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公开(公告)号：CN114334650B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202111680541.X
申请日：2021-12-30
Applicant: 桂林理工大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供一种p‑GaN HEMT中的新结构，包括如下步骤：外延生长；AlGaN与p‑GaN形成结；对外延生长的AlGaN/p‑GaN/AlGaN/GaN材料进行清洗；光刻隔离区；有源区台面隔离；刻蚀AlGaN与p‑GaN的结叠层；欧姆接触；栅极制备；钝化层沉积；开孔及金属互联。本发明以p型栅为基础设的AlGaN/p‑GaN/AlGaN/GaN HEMT双结栅器件，通过在p‑GaN上面加了一层AlGaN盖帽层，形成结，提高栅极性能，抑制漏电流。该盖帽层不仅与p‑GaN层形成结，而且还作为阻挡层阻挡了载流子注入行为。由于双结栅减少了泄漏并扩大了栅极击穿电压，因此具有更好的直流特性、关态击穿电压和栅极可靠性，从而推进了制备更高可靠性GaN功率器件的进程。
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公开(公告)号：CN116445865A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310120903.2
申请日：2023-02-16
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种甲基氯化胺掺杂铅基钙钛矿薄膜的制备方法。本发明将甲基氯化胺加入甲基碘化胺中形成混合物，在真空管式炉的高温条件下，该混合物形成气相化合物与碘化铅反应生产高质量的钙钛矿薄膜。该法对制备高质量钙钛矿薄膜具有指导意义，有利于推进钙钛矿组件的产业化应用。
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公开(公告)号：CN112174100B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202011050831.1
申请日：2020-09-29
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C01B21/082 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明涉及一种多层鸡蛋卷状复合超硬相C3N4纳米管的制备方法，以镁、三氧化二铁和尿素为原料，在氨气气氛下球磨后，转移至反应釜于550‑650℃下保温4‑8h，得到多层鸡蛋卷状复合超硬相C3N4纳米管粉体。本发明使用设备简单，原料价格低廉无毒，制备得到多层鸡蛋卷状复合超硬相C3N4纳米管粉体在材料增强增韧，吸附催化等领域具有一定的应用潜力。
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公开(公告)号：CN114023816A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111139478.9
申请日：2021-09-28
Applicant: 桂林理工大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明的内容为提供一种新型V字形沟槽结构的GaN HEMT器件的结构及制备方法。通过V字形腰部引出的栅电极加电压控制栅电极两边AlGaN/GaN异质结形成的二维电子气(2DEG)浓度，来调控器件开关状态。其中，两侧的电流往V字形底部传输到Si衬底，通过Si衬底与最下层的背衬底漏极接触，这就实现了通过栅电极调控源、漏电极导通形成电流传输的V字形沟槽结构的GaN HEMT器件。本发明在传统垂直型结构的基础上提供一种新型V字形沟槽结构的GaN HEMT器件的想法，以克服现有结构的不足。
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公开(公告)号：CN111128710A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN202010042535.0
申请日：2020-01-15
Applicant: 桂林理工大学 , 宁波海特创电控有限公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/335 , H01L29/45
Abstract: 本发明涉及一种GaN HEMT无金低粗糙度欧姆接触电极的制备方法，本发明采用磁控溅射Ti/Al/Pd/W金属薄膜结构，通过后期高温N2氛围下RTA快速退火促进Ti/Al/Pd/W重新结晶，相互发生固相反应，形成欧姆接触电极。传统的Ti/Al/Ni/Au结构在合金过程中，Al处于熔融状态，会形成AlAu2或AlAu4等颗状物，增大欧姆接触电极表面粗糙度，因此合金以后会影响光刻标记识别，一般需要重新制作标记，从而加大了工艺复杂度，降低了光刻对准精度，影响最终成品率，并且粗糙的欧姆接触电极容易引起金属电迁移，影响器件可靠性。同时本发明也明显提升了欧姆接触金属电极的导电性和抗性。
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公开(公告)号：CN110373641A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910620889.6
申请日：2019-07-10
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池CIGS靶材的快速制备方法，其包括制备铜铟镓硒四元粉，硒化亚铜粉，以及硒化铜粉，然后烧结成CIGS四元靶。首先将称量好的三种原料粉研磨，然后分别放入行星球磨机内混合12-48h(公转300-500转/分，公转和自转比为1：2，球磨罐材料为氧化锆内衬，球磨介质为酒精，磨球材料为ZrO2，抽真空后向腔体内充入氩气)使之合金化，随后将粉体置于放电等离子体烧结炉中(冲入氩气等惰性气体，抑制Se的挥发)烧结制备得到铜铟镓硒四元靶。本发明工艺采用SPS烧结，简单有效，相较于传统的热压及其他烧结来说，效率更高，能够做到在较低温度、短时间内快速烧结，烧结制备的的晶粒尺寸较小，在同等条件下制备得到的靶材相对密度更高，达98％以上。
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公开(公告)号：CN114334650A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111680541.X
申请日：2021-12-30
Applicant: 桂林理工大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供一种p‑GaN HEMT中的新结构，包括如下步骤：外延生长；AlGaN与p‑GaN形成结；对外延生长的AlGaN/p‑GaN/AlGaN/GaN材料进行清洗；光刻隔离区；有源区台面隔离；刻蚀AlGaN与p‑GaN的结叠层；欧姆接触；栅极制备；钝化层沉积；开孔及金属互联。本发明以p型栅为基础设的AlGaN/p‑GaN/AlGaN/GaN HEMT双结栅器件，通过在p‑GaN上面加了一层AlGaN盖帽层，形成结，提高栅极性能，抑制漏电流。该盖帽层不仅与p‑GaN层形成结，而且还作为阻挡层阻挡了载流子注入行为。由于双结栅减少了泄漏并扩大了栅极击穿电压，因此具有更好的直流特性、关态击穿电压和栅极可靠性，从而推进了制备更高可靠性GaN功率器件的进程。
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公开(公告)号：CN112993029B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202110154226.7
申请日：2021-02-04
Applicant: 宁波海特创电控有限公司 , 桂林理工大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供一种提高GaN HEMT界面质量的方法，包括如下步骤：外延生长；Si基GaN外延晶片清洗；光刻及对准标记形成；台面隔离；源、漏欧姆接触；钝化层沉积；栅槽刻蚀；紫外/O2处理；栅金属沉积；保护层沉积；开孔及金属互联。本发明采用有效波长为85％254nm和15％185nm紫外热阴极低压汞蒸汽灯，加上氧气对栅金属沉积前进行预处理生成Ga2O界面介质层，不仅具有低成本无污染的优势而且还有效提高了界面质量，有利于器件的产业化应用。
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公开(公告)号：CN114023817A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111291026.2
申请日：2021-11-01
Applicant: 桂林理工大学 , 宁波海特创电控有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/51 , H01L21/336
Abstract: 本发明的内容为提供带压电介质层的GaN HEMT器件的结构及制备方法。以压电介质层的压电效应为原理实现电能和机械能的转换，通过在栅电极施加电压调控器件应力影响AlGaN/GaN异质结沟道二维电子气浓度，从而影响器件的导通电流。本文通过在传统GaN HEMT器件结构的基础上，通过压电材料替换传统的栅介质层，发明了一种全新的带压电介质层的GaN HMET器件结构。
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公开(公告)号：CN110817814A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911240325.6
申请日：2019-12-06
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C01B21/064 , C01B3/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , B01J20/02 , B01J20/30 , B01J27/138
Abstract: 本发明涉及一种一维分级结构薄壁BN微米管的制备方法，所述制备方法主要是将含硼前驱体置入管式炉中，通入氮化反应气体加热至1000~1200℃，保温2h以上，即可获得大批量高品质的一维氮化硼分级结构材料。本发明无需使用基底，制备工艺简单有效，简单，能耗低，所用原料低廉无毒，提纯后目标产物的纯度高，有助于实现氮化硼微纳分级结构材料的批量生产。
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