高压直流滤波电容器可听噪声试验电路及试验方法

    公开(公告)号:CN105242124A

    公开(公告)日:2016-01-13

    申请号:CN201510739728.0

    申请日:2015-11-04

    Abstract: 一种高压直流滤波电容器可听噪声试验电路及试验方法,包括直流电压加载回路和谐波电流加载回路,还设置有隔直电容器,直流电压加载回路通过隔直电容器与谐波加载回路并联;隔直电容器与被测试品高压直流滤波电容器并联连接,被测试品充以直流电压的同时隔直电容器也充以同样数值的直流电压;隔直电容器在谐波加载回路中还与被测试品串联连接,流经隔直电容器的谐波电流和流经被测试品的谐波电流数值相同。本发明通过设置了隔直电容器使直流电压回路和谐波加载回路并联起来,既保证谐波加载回路的安全又能确保谐波电流输出至高压直流滤波电容器试品。同时直流电压加载回路中的整流硅堆和限流电阻对谐波电压起到阻隔作用,保证工频电源不受影响。

    一种双套管绝缘高压直流电容器极间直流耐压试验防爆电路

    公开(公告)号:CN111273141A

    公开(公告)日:2020-06-12

    申请号:CN202010165143.3

    申请日:2020-03-11

    Abstract: 本发明公开了一种双套管绝缘高压直流电容器极间直流耐压试验防爆电路,包括第一防爆电路Z1,第二防爆电路Z2,第三防爆电路Z3,所述第一防爆电路Z1一端连接于正极直流电源(+B1),Z1另一端接于所述双套管绝缘高压直流电容器C的套管(C1)内的导电体,所述第二防爆电路Z2一端连接于负极直流电源(-B2),Z2另一端接于所述双套管绝缘高压直流电容器C的另一套管(C2)内的导电体,第三防爆电路Z3一端连接于负极直流电源(-B2),Z3另一端接于所述双套管绝缘高压直流电容器C的外壳(D)。本发明在高压直流电容器外壳(D)与负极直流电源(-B2)间串接防爆电路Z3、电容器各套管支路串联防爆电路Z1、Z2,能够在电容器端子对外壳间的绝缘薄弱点被击穿时,电容器贮存的能量通过防爆电路安全释放掉,对电容器起到防爆的保护作用,从而提高耐压试验的安全性。

    一种低噪声电力电容器心子

    公开(公告)号:CN109360737A

    公开(公告)日:2019-02-19

    申请号:CN201811245407.5

    申请日:2018-10-24

    Abstract: 本发明涉及一种低噪声电力电容器心子,包括若干个上下叠加在一起的串联段,每一个所述串联段由多个元件并联而成,相邻的两个所述串联段通过导电片进行电气连接;若干个所述串联段中的元件从上到下按照水平设置和竖直设置两种方式交替进行以避免其震动方向完全一致,进而达到降低噪声的目的。本发明的有益效果是:通过调整电容器内部心子部分元件或串联段的相对位置,使心子在运行时由震动方向高度一致变为多方向分散,从而减小心子震动作用而引起产品外壳辐射的噪声。

    一种直流支撑电容器冲击放电试验装置

    公开(公告)号:CN113406456B

    公开(公告)日:2025-01-28

    申请号:CN202110815291.X

    申请日:2021-07-19

    Abstract: 本发明涉及电力电子电容器试验技术领域,具体是一种直流支撑电容器冲击放电试验装置。包括平行设置的第一、二接线板和安装在第一、二接线板上的放电间隙、放电触发装置,所述放电间隙包括第一、二放电块,两个导电斜面和第一、二放电块的两个内侧面组成无底的Y形槽,所述放电触发装置包括固定板、活动板和导电圆柱,试验初始状态时,导电圆柱受活动板承托停留在长条通孔内,试验中,第一、二接线板通过接线柱插入安装通孔内被固定在直流支撑电容器顶端。本装置具有峰值放电电流大、阻抗小、触发放电方式安全、制作工艺简单、成本低、工作可靠的技术效果。

    一种自愈式金属化膜电容器自愈性能的测试方法

    公开(公告)号:CN112444700A

    公开(公告)日:2021-03-05

    申请号:CN202011337044.5

    申请日:2020-11-25

    Abstract: 本发明公开了一种自愈式金属化膜电容器自愈性能的测试方法,包括测试装置,所述测试装置包括脉冲抽取单元M1和与脉冲抽取单元M1并联的试品电容Cs、由电阻分压器及电压表组成的直流电压测量单元PV1和数据采集及处理单元M2,所述方法包括数据采集及处理单元M2在试品电容Cs发生自愈时,采集脉冲抽取单元M1输出的向下跳变的脉冲电压信号波形,得到自愈前的试验电压、自愈持续时间、自愈能量和自愈频次测试数据。这种方法成本低、基于自愈时电压降落的直接测量,自愈参数的测量简单方便,同时能在试品电容自愈失败时,数据采集及处理单元不会被过电压损坏。

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