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公开(公告)号:CN109824029B
公开(公告)日:2022-05-27
申请号:CN201910243578.2
申请日:2019-03-28
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了基于聚偏二氯乙烯氮掺杂多孔碳材料,以聚偏二氯乙烯为碳源,以碱性含氮化合物乙二胺或二乙烯三胺为去卤化剂和氮源,经一步法实现脱氯和氮掺杂,最后通过煅烧活化制得。基于聚偏二氯乙烯氮掺杂多孔碳材料的制备方法,包括以下步骤:1)一步法脱氯和氮掺杂;2)碳前驱体的煅烧活化。作为超级电容器电极材料的应用,当电流密度为0.5A g‑1时,比电容值范围在401‑470 F g‑1。本发明具有以下优点:1.实现PVC、PVDC回收利用;2.实现常温下对聚偏二氯乙烯进行去卤化;在多孔碳材料和超级电容器领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN109824029A
公开(公告)日:2019-05-31
申请号:CN201910243578.2
申请日:2019-03-28
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了基于聚偏二氯乙烯氮掺杂多孔碳材料,以聚偏二氯乙烯为碳源,以碱性含氮化合物乙二胺或二乙烯三胺为去卤化剂和氮源,经一步法实现脱氯和氮掺杂,最后通过煅烧活化制得。基于聚偏二氯乙烯氮掺杂多孔碳材料的制备方法,包括以下步骤:1)一步法脱氯和氮掺杂;2)碳前驱体的煅烧活化。作为超级电容器电极材料的应用,当电流密度为0.5A g-1时,比电容值范围在401-470 F g-1。本发明具有以下优点:1.实现PVC、PVDC回收利用;2.实现常温下对聚偏二氯乙烯进行去卤化;在多孔碳材料和超级电容器领域具有广阔的应用前景。
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