公开(公告)号：CN111711452A

公开(公告)日：2020-09-25

申请号：CN202010706810.4

申请日：2020-07-21

申请人： 桂林电子科技大学

发明人： 徐卫林 ,  翁浩然 ,  周茜 ,  韦雪明 ,  段吉海 ,  韦保林

IPC分类号： H03M1/38

摘要： 本发明公开一种有源-无源噪声整形逐次逼近ADC，包括DAC电容阵列DAC1和DAC2、有源-无源噪声整形模块(包括无源积分器PINT1和正反馈有源-无源积分器APINT2)、六输入比较器COMP、逐次逼近逻辑模块SAR、时钟生成模块CKG、基准电压生成模块BGVG。本发明在有源-无源噪声整形模块中使用最简单的MOS晶体管共源级结构，使低增益有源放大器和正反馈相结合，仅消耗几十微瓦便可获得良好的噪声整形特性，能在传统逐次逼近ADC基础上提升有效位数超过5位。该发明可用于低功耗、高精度的模数转换场景，例如生物医学信号采集，高精度仪表设计等领域，具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN216531251U

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202123016513.6

申请日：2021-12-03

申请人： 桂林电子科技大学

发明人： 胡斯哲 ,  徐卫林 ,  韦雪明 ,  韦保林 ,  谢宁波 ,  周茜

IPC分类号： H03F1/56 ,  H03F1/32 ,  H03F3/45

摘要： 本实用新型公开一种高线性度低谐波失真伪电阻电路，PMOS管M1的1号端口、PMOS管M2的衬底和偏置电压源V1的正极相连，并形成伪电阻本体的A端口；偏置电压源V1的负极接PMOS管M1的栅极；PMOS管M1的2号端口连接PMOS管M2的1号端口；PMOS管M2的2号端口、PMOS管M1的衬底和偏置电压源V2的正极相连，并形成伪电阻本体的B端口；偏置电压源V2的负极接PMOS管M2的栅极。本实用新型通过对常规对称伪电阻的衬底连接进行修改，将两个管子的衬底分别连接在另一个管子的信号输入端，其基本原理是通过减小PMOS管的过驱动电压的下降速度来提高线性度。

公开(公告)号：CN212435678U

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN202021448729.2

申请日：2020-07-21

申请人： 桂林电子科技大学

发明人： 徐卫林 ,  翁浩然 ,  周茜 ,  韦雪明 ,  段吉海 ,  韦保林

IPC分类号： H03M1/38

摘要： 本实用新型公开一种有源‑无源噪声整形逐次逼近ADC，包括DAC电容阵列DAC1和DAC2、有源‑无源噪声整形模块(包括无源积分器PINT1和正反馈有源‑无源积分器APINT2)、六输入比较器COMP、逐次逼近逻辑模块SAR、时钟生成模块CKG、基准电压生成模块BGVG。本实用新型在有源‑无源噪声整形模块中使用最简单的MOS晶体管共源级结构，使低增益有源放大器和正反馈相结合，仅消耗几十微瓦便可获得良好的噪声整形特性，能在传统逐次逼近ADC基础上提升有效位数超过5位。该实用新型可用于低功耗、高精度的模数转换场景，例如生物医学信号采集，高精度仪表设计等领域，具有良好的应用前景。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利