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公开(公告)号：CN118137642A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410058921.7
申请日：2024-01-15
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明公开一种TEG能量最大化收集电源管理电路，该电路包括TEG能量源、可充电电池VBAT、输入电容CIN、输出电容COUT、电感L、功率开关、核心控制模块、负载RL。为实现TEG能量最大化收集，通过最大功率追踪电路使得TEG能量在最大功率点处进行转换，在可充电电池供电期间，采用双相位切换的方式，设计了两个电感放电回路。若输入电容CIN上的电压到达了最大功率点电压时，电感电流通过第一放电回路放电，即通过TEG回流至电感，同时将TEG的能量转换到负载；反之，通过第二放电回路放电，即通过续流开关回流至电感。相比传统能量收集系统，本发明通过双相位切换的方式，解决了传统能量收集系统在重载时单纯由电池供电而无法收集TEG能量或无法最大化收集TEG能量的问题。
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公开(公告)号：CN116846233A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310762525.8
申请日：2023-06-27
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明公开一种带阈值补偿的高效CMOS整流电路，该整流电路由两个整流开关MOS管、两个电容、比较器、偏置产生电路、开关控制电路、衬底偏置动态调节电路构成。通过比较器和开关控制电路来决定整流开关MOS管的偏置电压，整流开关MOS管导通时，提供额外的偏置电压来降低开关MOS管的开启电压，整流开关MOS管关断时，取消开关MOS管的偏置电压，从而减小整流开关MOS管的开启电压和反相电流泄露，提高电压转换效率。采用衬底偏置动态调节电路使整流开关PMOS管的衬底连接到漏极和源极之间的最高电位，防止整流开关PMOS管发生闩锁效应，同时减少衬底漏电流，进一步提高整流效率，相比传统外部偏置整流电路的电压转换效率为70％，本发明可获得90％的电压转换效率。
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公开(公告)号：CN220173112U
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202321639100.X
申请日：2023-06-27
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本实用新型公开一种带阈值补偿的高效CMOS整流电路，该整流电路由两个整流开关MOS管、两个电容、比较器、偏置产生电路、开关控制电路、衬底偏置动态调节电路构成。通过比较器和开关控制电路来决定整流开关MOS管的偏置电压，整流开关MOS管导通时，提供额外的偏置电压来降低开关MOS管的开启电压，整流开关MOS管关断时，取消开关MOS管的偏置电压，从而减小整流开关MOS管的开启电压和反相电流泄露，提高电压转换效率。采用衬底偏置动态调节电路使整流开关PMOS管的衬底连接到漏极和源极之间的最高电位，防止整流开关PMOS管发生闩锁效应，同时减少衬底漏电流，进一步提高整流效率，相比传统外部偏置整流电路的电压转换效率为70％，本实用新型可获得90％的电压转换效率。
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公开(公告)号：CN221828658U
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202420098207.6
申请日：2024-01-15
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本实用新型公开一种TEG能量最大化收集电源管理电路，该电路包括TEG能量源、可充电电池VBAT、输入电容CIN、输出电容COUT、电感L、功率开关、核心控制模块、负载RL。为实现TEG能量最大化收集，通过最大功率追踪电路使得TEG能量在最大功率点处进行转换，在可充电电池供电期间，采用双相位切换的方式，设计了两个电感放电回路。若输入电容CIN上的电压到达了最大功率点电压时，电感电流通过第一放电回路放电，即通过TEG回流至电感，同时将TEG的能量转换到负载；反之，通过第二放电回路放电，即通过续流开关回流至电感。相比传统能量收集系统，本实用新型通过双相位切换的方式，解决了传统能量收集系统在重载时单纯由电池供电而无法收集TEG能量或无法最大化收集TEG能量的问题。
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