-
公开(公告)号:CN107994924A
公开(公告)日:2018-05-04
申请号:CN201711336941.2
申请日:2017-12-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H04B1/717
CPC classification number: H04B1/7172 , H04B1/7174
Abstract: 本发明涉及一种基于自适应脉冲形成因子的超宽带脉冲波形制造方法,主要解决现有技术中存在的超宽带脉冲波形设计步骤繁复、功率谱利用率和频谱利用率低的技术问题。本发明通过选取前11阶高斯导函数作为基函数,根据辐射掩蔽标准计算出最佳脉冲形成因子,采用迭代算法选取最优权重系数,再将所述最佳脉冲形成因子和最佳权重系数进行线性加权组合获得最优超宽带脉冲波形的技术方案,较好的解决了该问题,可用于超宽带脉冲波形的设计。