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公开(公告)号：CN112725877A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011502352.9
申请日：2020-12-18
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种二氧化碲单晶的制备方法，属于单晶生长技术领域。所述二氧化碲单晶的制备方法，包括如下步骤：将水热反应物置于石英衬套管的底部，再加入水，将所述石英衬套管密封后，加热混匀，然后将加热后的所述石英衬套管置于高压釜的釜体中；在所述石英衬套管和所述釜体的夹层中加入水，将所述高压釜密封，再将密封后的所述高压釜置于电阻炉中，设置溶解区和生长区的温度，进行程序降温，即得到二氧化碲单晶。本发明采用石英衬套管水热法来制备二氧化碲单晶，可以使二氧化碲晶体在温度为300℃‑400℃、压力
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公开(公告)号：CN118256995A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311790636.6
申请日：2023-12-25
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种氟碳酸盐非线性光学晶体及生长方法，其化学式为K4Tb2(CO3)3F4，属于三方晶系，空间群为R32，晶胞参数为#imgabs0#α＝β＝90.0000°，γ＝120.0000°；#imgabs1#采用亚临界态水热法生长晶体，碳酸盐在高温下易分解，本发明使用的温度为500℃以上的高温高压水热法，生长温度低于比熔盐法，得到的晶体纯度高、热应力小、宏观缺陷少，能够有更好的结晶质量、更大的晶体尺寸。本发明晶体是新型氟和碳酸根配位的稀土铽材料，具有较好的非线性光学性能，能够在光学器件中实现更高的透明度和更低的光学损耗，能够应用于光电子学、光通信和光学传感器等领域。
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公开(公告)号：CN112164972A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202011181502.0
申请日：2020-10-29
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司
IPC分类号： H01S3/115
摘要： 本发明公开了一种替代布儒斯特角切割的LN晶体的电光调Q开关，包括棱镜、第一电光晶体和第二电光晶体，棱镜、第一电光晶体、第二电光晶体沿通光方向依次排列；棱镜的工作面包括两通光面和两反射面，两通光面均镀设有增透膜，两反射面依据光线在界面是否会发生全反射决定镀设增反膜；第一电光晶体和第二电光晶体采用横向电光效应，沿X轴或Y轴方向通光，沿Z轴施加电场；第一电光晶体和第二电光晶体的主轴绕通光方向相互旋转90°第一电光晶体和第二电光晶体的Z轴与入射面法线方向成45°角。本发明既满足了激光腔内光线产生特定平移的需求，又有效解决了传统布儒斯特角切割的LN电光Q开关温度稳定性差的问题。
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公开(公告)号：CN115896917A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211313315.2
申请日：2022-10-25
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司 , 山东省科学院新材料研究所
摘要： 本发明公开了一种制备毫米级纯立方相KTN单晶体的方法，步骤为取KTN原料置于黄金衬套管的底部，然后加入矿化剂溶液；将黄金衬套管密封后置于高压釜的釜体中；在黄金衬套管和釜体的夹层中加入水，将高压釜密封，再将密封后的高压釜置于电阻炉中进行恒温恒压处理；将电阻炉匀速降温，温度降至100℃后再迅速降温至室温，制得毫米级立方相KTN单晶体。本发明制备的毫米级的纯立方相KTN单晶体能够有效提高制备产品的通光质量，还可以降低晶体内部应力，提高晶体的抗光伤性能。本发明制备的晶体热应力小、缺陷少、均匀性和纯度高。
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公开(公告)号：CN113122908A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110308671.4
申请日：2021-03-23
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种复合YAG晶体的制备方法，属于复合晶体生长技术领域。其包括如下步骤：将纯YAG晶体定向、切割和抛光，制成籽晶后，悬挂于籽晶架上；将水热反应物置于黄金衬套管的底部，再放入矿化剂溶液，然后将籽晶架置于黄金衬套管的顶部，密封后置于高压釜的釜体中；在黄金衬套管和釜体的夹层中加入水，将高压釜密封，再将密封后的高压釜置于电阻炉中，程序升温，经过10d‑15d的生长，再程序降温，打开高压釜，取出黄金衬套管，即得到复合YAG晶体。本发明可以在10d‑15d生长出无明显杂质缺陷、高质量、大尺寸的复合YAG晶体。
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公开(公告)号：CN108796600B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201810763846.9
申请日：2018-07-12
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司 , 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种水热法生长磷氯铅矿单晶的方法，具体为：取铅源和磷酸二氢盐置于高温条件下烧结，得到陶瓷块，所得陶瓷块置于高压釜中，以氯离子浓度为1‑5mol/L的水溶性氯化物的水溶液作为矿化剂，采用温差水热法以生长得到磷氯铅矿单晶。本发明所述方法大大提高了晶体的生长速度，能够在较短时间内生长得到较大尺寸的磷氯铅矿单晶。
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公开(公告)号：CN108796600A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810763846.9
申请日：2018-07-12
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司 , 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种水热法生长磷氯铅矿单晶的方法，具体为：取铅源和磷酸二氢盐置于高温条件下烧结，得到陶瓷块，所得陶瓷块置于高压釜中，以氯离子浓度为1‑5mol/L的水溶性氯化物的水溶液作为矿化剂，采用温差水热法以生长得到磷氯铅矿单晶。本发明所述方法大大提高了晶体的生长速度，能够在较短时间内生长得到较大尺寸的磷氯铅矿单晶。
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公开(公告)号：CN219571619U
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202320439124.4
申请日：2023-03-10
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司
摘要： 本实用新型提供了一种用于氨热法高压釜内液氨填充的系统，包括液氨/氨气瓶、氮气瓶、真空泵、除氨塔、高压釜和冷阱；高压釜的釜体放置于冷阱中；液氨/氨气瓶的输出端通过管路连通有氨气流量计一，形成第一并联支路；氮气瓶的输出端通过管路连通有氮气流量计，形成第二并联支路；真空泵的输入端与除氨塔的输入端通过管路均连通至氨气流量计二，形成第三并联支路；第一并联支路、第二并联支路、第三并联支路均通过管路连通至釜体。本实用新型结构简单、制作容易，并且成本低廉、使用方便。本实用新型可以在安全的前提下高效地向高压釜反应腔内填入规定体积的液氨。
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公开(公告)号：CN213397248U
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202022787626.5
申请日：2020-11-26
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司
IPC分类号： G01F17/00
摘要： 本实用新型涉及一种用于辅助测量高压釜反应腔填充体积的装置，包括基座、导电机构和提示装置；所述基座放置在高压釜的上端面；所述导电机构安装在所述基座上且电连接所述提示装置的两极，并在高压釜反应腔加入与高压釜反应腔填充体积等量的水后使所述提示装置的两极导通发声或发光。该装置不仅结构比较简单，制作比较容易，而且使用也比较方便，测量高压釜反应腔填充体积也比较准确。实测结果表明，当采用该装置测量ф42×750型高压釜反应腔的填充体积时，同一个人重复测量以及不同人测量的结果都非常近似，其最大的绝对误差也只有0.2ml。
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