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公开(公告)号：CN112164972A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202011181502.0
申请日：2020-10-29
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司
IPC分类号： H01S3/115
摘要： 本发明公开了一种替代布儒斯特角切割的LN晶体的电光调Q开关，包括棱镜、第一电光晶体和第二电光晶体，棱镜、第一电光晶体、第二电光晶体沿通光方向依次排列；棱镜的工作面包括两通光面和两反射面，两通光面均镀设有增透膜，两反射面依据光线在界面是否会发生全反射决定镀设增反膜；第一电光晶体和第二电光晶体采用横向电光效应，沿X轴或Y轴方向通光，沿Z轴施加电场；第一电光晶体和第二电光晶体的主轴绕通光方向相互旋转90°第一电光晶体和第二电光晶体的Z轴与入射面法线方向成45°角。本发明既满足了激光腔内光线产生特定平移的需求，又有效解决了传统布儒斯特角切割的LN电光Q开关温度稳定性差的问题。
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公开(公告)号：CN106410592A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610869576.0
申请日：2016-09-30
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司 , 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
IPC分类号： H01S3/115
CPC分类号： H01S3/115
摘要： 本发明为一种全封闭的双晶体电光调Q开关，由2个金属电极和2个绝缘的导热基座交错环绕2块沿光传播方向主轴相对旋转90°的电光晶体组成组合内壳，组合内壳通过前后端面的环形连接盖固定，连接盖中心孔放置光学窗口片。所述组合内壳套入绝缘外壳，通过两端外侧的端盖封闭组合内壳形成一密封整体。所述2个金属电极分别连接接线端子穿出绝缘外壳接线孔连接外接导线。本发明电光晶体封装在组合内壳中，有效保护晶体端面；绝缘外壳确保使用安全；金属电极和导热基座散热均匀有效，保持晶体温度稳定，改善本调Q开关在高功率下工作的热退偏及波前畸变。
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公开(公告)号：CN114836837B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202210593140.9
申请日：2022-05-27
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种改变磷酸钛氧钾晶体材料反转畴宽度的方法，包括以下步骤：(1)在磷酸钛氧钾晶体基材的‑Z面和+Z面分别制作第一电极和第二电极；(2)通过外加脉冲电压的方式对上述已经制作电极的磷酸钛氧钾晶体进行周期极化，并根据第一电极的尺寸设置电极线组的极化参数；(3)测试已经完成极化的磷酸钛氧钾晶体畴壁横向展宽的实际宽度；(4)将已经完成极化的磷酸钛氧钾晶体放入烘箱，并根据测试所得畴壁横向展宽的实际宽度设置烘箱的恒温温度以及时间。该方法通过高温退火使铁电畴在反转过程中的横向扩展回退，畴壁宽度接近理论值，从而实现对磷酸钛氧钾晶体反转畴的有效调控，提高晶片的转换效率，具有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN106410592B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN201610869576.0
申请日：2016-09-30
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司 , 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
IPC分类号： H01S3/115
摘要： 本发明为一种全封闭的双晶体电光调Q开关，由2个金属电极和2个绝缘的导热基座交错环绕2块沿光传播方向主轴相对旋转90°的电光晶体组成组合内壳，组合内壳通过前后端面的环形连接盖固定，连接盖中心孔放置光学窗口片。所述组合内壳套入绝缘外壳，通过两端外侧的端盖封闭组合内壳形成一密封整体。所述2个金属电极分别连接接线端子穿出绝缘外壳接线孔连接外接导线。本发明电光晶体封装在组合内壳中，有效保护晶体端面；绝缘外壳确保使用安全；金属电极和导热基座散热均匀有效，保持晶体温度稳定，改善本调Q开关在高功率下工作的热退偏及波前畸变。
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公开(公告)号：CN106526653B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201611177189.7
申请日：2016-12-19
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司 , 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
IPC分类号： G01T1/202
摘要： 本发明公开一种闪烁探测器，由金属腔体、金属过滤层、ZnO:Sc单晶片、耐温玻璃窗口、光纤面板、UVT导光管、光电倍增管和分压器组成；金属腔体为自探测的前端向后端贯通的中空腔体，金属过滤层、ZnO:Sc单晶片、耐温玻璃窗口、光纤面板、UVT导光管、电倍增管和分压器紧固在金属腔体内，并在金属腔体内自探测的前端向后端依次排列；金属过滤层外接地线；光电倍增管的阴极连接UVT导光管，阳极与分压器相连。本发明具有高密度、超快衰减和高光输出的特点。
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公开(公告)号：CN110596042A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910987283.6
申请日：2019-10-17
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种双轴晶体主轴方向光学均匀性的测试装置及测试方法。所述的测试装置包括沿光轴方向依次设置的光源、聚光透镜、准直透镜、起偏器、相位补偿器、检偏器、成像镜头和相机，待测晶体置于相位补偿器和检偏器之间，所述的相位补偿器由两块光楔构成，通过调节两块光楔的相对位置来调节相位延迟量，其中所述光楔的材质为成分与待测晶体相同且光学均匀性好的晶体。本发明所述装置结构简单、成本低廉且便于维护。与传统测试方法相比，本发明所述方法无需反复测试背景干扰及不同偏振态激光通过晶体形成干涉图，受环境影响小，测试效率高、适合批量化的生产检测；而且本发明所述方法操作简单、对测试晶体的加工要求不高，易于推广使用。
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公开(公告)号：CN104858817B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201510288395.4
申请日：2015-05-29
申请人： 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司 , 桂林百锐光电技术有限公司
IPC分类号： B25B11/02
摘要： 本发明为一种电光调Q开关双晶体配对夹持工装及其使用方法，本夹持工装的锁紧装置底座上固接长方体支架固定块，底座底面中心有垂直中心定位孔。支架固定块顶部有一与V型支架的底部相配合的梯形槽。定位座底面为平面，上方为截面矩形的槽，槽底有垂直于底面的定位杆。本夹持工装的使用方法为，V型支架的底部插入梯形槽；中心定位孔插在定位杆上，锁紧装置卡嵌于矩形槽内；V型支架前后平台上涂导电剂放置晶体；在光路上微调晶体位置；锁紧装置与粘有双晶体的V型支架一起置于烘箱；固化导电胶后，完成双晶体配对。本发明稳定地固定V型支架，方便晶体位置调整，达到透射光斑为一个，大幅度提高了双晶体配对的成功率和效率。
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公开(公告)号：CN117970723A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410132909.6
申请日：2024-01-31
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司 , 合肥量芯科技有限公司
摘要： 本发明公开了KTP晶体的并联点触式周期电极图案、周期极化装置及方法，该KTP晶体的并联点触式周期电极图案包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极分别设于KTP晶体相对面上；第一电极包括若干个间隔并排设置的框型电极；第二电极为金属电极；框型电极包括第一带半圆电极部、第二带半圆电极部和条状电极部，第一带半圆电极部通过包括多个等宽空隙间隔的条状电极的条状电极部与第二带半圆电极部电连接；基于KTP晶体的并联点触式周期电极图案的周期极化装置，通过外加脉冲电压对KTP晶体进行高压脉冲极化，并设置极化参数，判断KTP晶体畴反转程度，再通过外加低压直流电的方式继续对KTP晶体进行极化，实现对KTP晶体反转畴的有效调控，提高晶片转换效率。
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公开(公告)号：CN114836837A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210593140.9
申请日：2022-05-27
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种改变磷酸钛氧钾晶体材料反转畴宽度的方法，包括以下步骤：(1)在磷酸钛氧钾晶体基材的‑Z面和+Z面分别制作第一电极和第二电极；(2)通过外加脉冲电压的方式对上述已经制作电极的磷酸钛氧钾晶体进行周期极化，并根据第一电极的尺寸设置电极线组的极化参数；(3)测试已经完成极化的磷酸钛氧钾晶体畴壁横向展宽的实际宽度；(4)将已经完成极化的磷酸钛氧钾晶体放入烘箱，并根据测试所得畴壁横向展宽的实际宽度设置烘箱的恒温温度以及时间。该方法通过高温退火使铁电畴在反转过程中的横向扩展回退，畴壁宽度接近理论值，从而实现对磷酸钛氧钾晶体反转畴的有效调控，提高晶片的转换效率，具有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN112725877A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011502352.9
申请日：2020-12-18
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种二氧化碲单晶的制备方法，属于单晶生长技术领域。所述二氧化碲单晶的制备方法，包括如下步骤：将水热反应物置于石英衬套管的底部，再加入水，将所述石英衬套管密封后，加热混匀，然后将加热后的所述石英衬套管置于高压釜的釜体中；在所述石英衬套管和所述釜体的夹层中加入水，将所述高压釜密封，再将密封后的所述高压釜置于电阻炉中，设置溶解区和生长区的温度，进行程序降温，即得到二氧化碲单晶。本发明采用石英衬套管水热法来制备二氧化碲单晶，可以使二氧化碲晶体在温度为300℃‑400℃、压力
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