公开(公告)号：CN102945800B

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201210344519.2

申请日：2005-06-07

申请人： 桑迪士克公司

发明人： J.A.怀特佛德 ,  R.部鲁尔 ,  M.布勒堤 ,  陈建 ,  K.C.克鲁登 ,  段镶锋 ,  W.P.弗里曼 ,  D.希尔德 ,  F.利昂 ,  刘超 ,  A.麦瑟 ,  K.S.闵 ,  J.W.帕斯 ,  E.西尔

IPC分类号： H01L21/28 ,  G03F7/075 ,  G11C13/00 ,  H01L21/312 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00

CPC分类号： C09C1/3081 ,  B82Y30/00 ,  C01P2004/16 ,  C01P2004/45 ,  C01P2004/54 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/10 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/60 ,  C09C3/006 ,  C09C3/063 ,  C09C3/12 ,  H01G4/14 ,  Y10S977/773 ,  Y10T428/2982 ,  Y10T428/2989 ,  Y10T428/2991 ,  Y10T428/2993 ,  Y10T428/2995 ,  Y10T428/2996 ,  Y10T428/2998

摘要： 提供了用来制备离散的涂覆纳米结构的配体组合物，以及涂覆纳米结构本身和包含它们的器件。还提供了在纳米结构上形成后沉积壳和对纳米结构进行可逆改性的方法。本发明的配体和涂覆的纳米结构特别适用于密堆积的纳米结构组合物，这种组合物能改善量子约束和/或减少纳米结构之间的交叉干扰。

公开(公告)号：CN102945800A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201210344519.2

申请日：2005-06-07

申请人： 桑迪士克公司

发明人： J.A.怀特佛德 ,  R.部鲁尔 ,  M.布勒堤 ,  陈建 ,  K.C.克鲁登 ,  段镶锋 ,  W.P.弗里曼 ,  D.希尔德 ,  F.利昂 ,  刘超 ,  A.麦瑟 ,  K.S.闵 ,  J.W.帕斯 ,  E.西尔

IPC分类号： H01L21/28 ,  G03F7/075 ,  G11C13/00 ,  H01L21/312 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00

CPC分类号： C09C1/3081 ,  B82Y30/00 ,  C01P2004/16 ,  C01P2004/45 ,  C01P2004/54 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/10 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/60 ,  C09C3/006 ,  C09C3/063 ,  C09C3/12 ,  H01G4/14 ,  Y10S977/773 ,  Y10T428/2982 ,  Y10T428/2989 ,  Y10T428/2991 ,  Y10T428/2993 ,  Y10T428/2995 ,  Y10T428/2996 ,  Y10T428/2998

摘要： 本发明提供了用来制备离散的涂覆纳米结构的配体组合物，以及涂覆纳米结构本身和包含它们的器件。还提供了在纳米结构上形成后沉积壳和对纳米结构进行可逆改性的方法。本发明的配体和涂覆的纳米结构特别适用于密堆积的纳米结构组合物，这种组合物能改善量子约束和/或减少纳米结构之间的交叉干扰。

公开(公告)号：CN102054527B

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201010503565.3

申请日：2005-06-07

申请人： 桑迪士克公司

发明人： J·A·怀特佛德 ,  R·部鲁尔 ,  M·布勒堤 ,  陈建 ,  K·C·克鲁登 ,  段镶锋 ,  W·P·弗里曼 ,  D·希尔德 ,  F·利昂 ,  刘超 ,  A·麦瑟 ,  K·S·闵 ,  J·W·帕斯 ,  E·西尔

IPC分类号： G11C13/00 ,  C09D1/00 ,  B82B1/00 ,  B82Y10/00

CPC分类号： C09C1/3081 ,  B82Y30/00 ,  C01P2004/16 ,  C01P2004/45 ,  C01P2004/54 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/10 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/60 ,  C09C3/006 ,  C09C3/063 ,  C09C3/12 ,  H01G4/14 ,  Y10S977/773 ,  Y10T428/2982 ,  Y10T428/2989 ,  Y10T428/2991 ,  Y10T428/2993 ,  Y10T428/2995 ,  Y10T428/2996 ,  Y10T428/2998

摘要： 提供了用来制备离散的涂覆纳米结构的配体组合物，以及涂覆纳米结构本身和包含它们的器件。还提供了在纳米结构上形成后沉积壳和对纳米结构进行可逆改性的方法。本发明的配体和涂覆的纳米结构特别适用于密堆积的纳米结构组合物，这种组合物能改善量子约束和/或减少纳米结构之间的交叉干扰。

公开(公告)号：CN101589461B

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN200780046789.2

申请日：2007-12-12

申请人： 桑迪士克公司

发明人： 陈建 ,  段镶锋 ,  卡伦·克鲁登 ,  刘超 ,  马迪胡里·L·那拉博卢 ,  西盖斯·兰加纳坦 ,  弗朗西斯科·利昂 ,  J·华莱士·帕斯

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L29/7881 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/517

摘要： 本发明描述用于例如非易失性存储器装置等电子装置的方法和设备。所述存储器装置包括多层控制电介质，例如双层或三层。所述多层控制电介质包括例如氧化铝(Al2O3)、氧化铪(HfO2)和/或氧化铝铪的混合膜等高k介电材料的组合。所述多层控制电介质提供增强的特性，包括增加的电荷保留、增强的存储器编程/擦除窗口、改进的可靠性和稳定性以及单一或多态(例如，两个、三个或四个位)操作的可行性。

公开(公告)号：CN102064102B

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201010245267.9

申请日：2005-06-07

申请人： 桑迪士克公司

发明人： D·L·希尔德 ,  K·C·克鲁登 ,  段镶锋 ,  刘超 ,  J·W·帕斯

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/40

CPC分类号： G03F7/0757 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  G11C13/00 ,  H01L21/02137 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3124 ,  Y10S977/755 ,  Y10S977/845 ,  Y10S977/855 ,  Y10S977/936 ,  Y10S977/938

摘要： 提供了形成纳米结构阵列或对纳米结构阵列形成图案的方法。所述方法涉及在包含纳米结构缔合基团的涂层上形成阵列，用光刻胶形成图案，和/或用器件促进形成阵列。还提供了用来形成纳米结构阵列的相关器件，以及包含纳米结构阵列的器件(例如存储器)。