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公开(公告)号：CN102484052B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201080033519.X
申请日：2010-07-21
申请人： 桑迪士克科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： H01L21/76224 , B82Y10/00 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L27/11526 , H01L27/11529 , H01L27/11536 , H01L27/11546 , H01L27/11573 , H01L29/788 , Y10S438/962 , Y10S977/774 , Y10S977/936
摘要： 将基于纳米结构的电荷存储区域(CSR1-CSR5)包括在非易失性存储器设备中，并且与选择栅极(SG1)和外围电路(PG1、PG2)的制作集成在一起。在存储器阵列区和外围电路区的衬底上，应用一个或多个纳米结构涂层。提供用于从衬底的非期望区(例如用于选择栅极和外围晶体管的目标区)除去纳米结构涂层的各种方法。在一个示例中，使用基于自组装的过程形成一个或多个纳米结构涂层，以在衬底的有源区上有选择地形成纳米结构。自组装允许形成彼此电绝缘的离散的纳米结构线，而不需要对纳米结构涂层进行图案化或蚀刻。
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公开(公告)号：CN101410961B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200780011084.7
申请日：2007-04-03
申请人： 美光科技公司
发明人： 伦纳德·福布斯
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786 , H01L29/78 , H01L21/8242 , H01L29/06
CPC分类号： B82Y10/00 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/66666 , H01L29/7827 , Y10S977/70 , Y10S977/762 , Y10S977/932 , Y10S977/936
摘要： 本发明主题的一个方面涉及一种用于形成晶体管的方法。根据一实施例，在结晶衬底上形成非晶半导体材料鳍，且执行固相外延(SPE)工艺以使用所述结晶衬底作为晶体生长的晶种来使所述非晶半导体材料结晶。所述鳍在至少一个方向上具有小于最小特征大小的横截面厚度。在所述结晶半导体柱中在第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间形成晶体管主体。在所述半导体柱周围形成环绕栅极绝缘体，且在所述半导体柱周围形成环绕栅极并通过所述环绕栅极绝缘体使其与所述半导体柱分离。本发明中提供其它方面。
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公开(公告)号：CN101887935A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN201010206782.6
申请日：2001-08-22
申请人： 哈佛学院董事会
CPC分类号： H01L29/0665 , B01J23/50 , B01J23/52 , B01J23/72 , B01J35/0013 , B01J37/349 , B81C1/0019 , B81C1/00206 , B82Y10/00 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C30B11/00 , C30B25/005 , C30B29/605 , G01N27/4146 , G01N33/54373 , G11C13/0014 , G11C13/0019 , G11C13/025 , G11C13/04 , G11C2213/77 , G11C2213/81 , H01L21/02521 , H01L21/02532 , H01L21/0254 , H01L21/02543 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02573 , H01L21/02581 , H01L21/02603 , H01L21/02606 , H01L21/0262 , H01L21/02628 , H01L21/02631 , H01L21/02636 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L23/53276 , H01L29/045 , H01L29/0673 , H01L29/068 , H01L29/16 , H01L29/1602 , H01L29/18 , H01L29/20 , H01L29/207 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/26 , H01L29/267 , H01L33/06 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L51/002 , H01L51/0048 , H01L2924/0002 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , Y10S438/962 , Y10S977/762 , Y10S977/847 , Y10S977/858 , Y10S977/882 , Y10S977/883 , Y10S977/892 , Y10S977/936 , Y10T428/24 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供体掺杂半导体，其至少是下列其中之一：单晶体；拉长且体掺杂的半导体，所述半导体在沿其纵轴上的任意点上具有小于500纳米的最大横截面尺寸；至少一部分具有小于500纳米的最小宽度的自支撑且体掺杂的半导体，其中由体掺杂的半导体剖面产生的现象表现出所述剖面尺寸所引起的量子限制。此外还提供与体掺杂半导体相关的生长半导体的方法，制造器件的方法，半导体器件，制造纳米线半导体器件的方法，用纳米线制造发光二极管的方法，制造具有体掺杂半导体部件和一个和多个其他部件的装置的方法，在表面上装配多个拉长结构的方法，在表面上装配一个或更多拉长结构的系统以及半导体纳米线选择性地对准和定位在基体上的方法。
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公开(公告)号：CN101798057A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200910205893.2
申请日：2001-08-22
申请人： 哈佛学院董事会
IPC分类号： B82B3/00 , B82B1/00 , H01L21/335 , H01L21/77 , H01L21/329 , H01L29/861 , H01L33/00 , H01L29/88 , H01L29/872 , H01L21/331 , H01L29/73 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L21/82 , H01L27/24 , H01S5/00 , H01L31/18 , H01L31/102 , H01L31/101 , H01L31/042 , H01L27/00 , H01L25/00
CPC分类号： H01L29/0665 , B01J23/50 , B01J23/52 , B01J23/72 , B01J35/0013 , B01J37/349 , B81C1/0019 , B81C1/00206 , B82Y10/00 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C30B11/00 , C30B25/005 , C30B29/605 , G01N27/4146 , G01N33/54373 , G11C13/0014 , G11C13/0019 , G11C13/025 , G11C13/04 , G11C2213/77 , G11C2213/81 , H01L21/02521 , H01L21/02532 , H01L21/0254 , H01L21/02543 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02573 , H01L21/02581 , H01L21/02603 , H01L21/02606 , H01L21/0262 , H01L21/02628 , H01L21/02631 , H01L21/02636 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L23/53276 , H01L29/045 , H01L29/0673 , H01L29/068 , H01L29/16 , H01L29/1602 , H01L29/18 , H01L29/20 , H01L29/207 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/26 , H01L29/267 , H01L33/06 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L51/002 , H01L51/0048 , H01L2924/0002 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , Y10S438/962 , Y10S977/762 , Y10S977/847 , Y10S977/858 , Y10S977/882 , Y10S977/883 , Y10S977/892 , Y10S977/936 , Y10T428/24 , H01L2924/00
摘要： 本申请涉及生长半导体纳米线的方法，所述方法通过催化剂胶体颗粒催化生长半导体纳米线，每个所述半导体纳米线均具有最小宽度小于500纳米的至少一个部分，选择催化剂胶体颗粒以具有小于约20％的直径变化，使得根据该方法制造的一组半导体纳米线的直径变化小于20％。
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公开(公告)号：CN1476090B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN03119451.6
申请日：2003-03-12
申请人： 宇东科技股份有限公司
CPC分类号： H01L29/7317 , H01L27/0259 , Y10S977/936
摘要： 一种从信号焊盘接收信号的集成电路器件包括：响应来自信号焊盘的信号的至少一个硅双极结晶体管，用于提供静电放电保护；和用于检测来自信号焊盘的信号并给至少一个硅双极结晶体管提供偏置电压的检测电路，其中至少一个硅双极结晶体管包括形成在单个硅层中并与集成电路器件的衬底隔离的发射极、集电极和基极，并且基极耦合到检测电路以接收偏置电压。
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公开(公告)号：CN101467238A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200780017272.0
申请日：2007-05-04
申请人： 国际商业机器公司
发明人： 阿里·阿夫扎里-阿达卡尼 , 谢丽·R·卡根 , 劳拉·L·科斯巴
IPC分类号： H01L21/336 , B82B3/00
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C30B25/00 , C30B29/02 , C30B29/60 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/78681 , H01L29/78684 , Y10S977/762 , Y10S977/84 , Y10S977/89 , Y10S977/932 , Y10S977/936 , Y10S977/938
摘要： 本发明涉及一种形成碳纳米材料或者半导体纳米材料的方法。该方法包括：提供基底和将分子前体附着到该基底上。该分子前体包含用于附着到该基底上的表面结合基团和用于附着含金属物质的结合基团。该含金属物质选自金属阳离子、金属化合物、或者金属或金属氧化物纳米颗粒以形成金属化的分子前体。然后该金属化的分子前体经受热处理以提供催化部位，该碳纳米材料或者半导体纳米材料从该催化部位形成。该金属化的分子前体的加热在适合于该碳纳米材料或者半导体纳米材料的化学气相沉积的条件下进行。
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公开(公告)号：CN101310389A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200680042885.5
申请日：2006-10-29
申请人： NXP股份有限公司
发明人： 普拉巴特·阿加瓦尔 , 戈德弗里丢斯·A·M·胡尔克斯
CPC分类号： H01L29/7606 , B82Y10/00 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , Y10S977/936
摘要： 在此提出一种金属基极晶体管。该晶体管包括第一和第二电极(2，6)、以及控制第一和第二电极之间的电流的基极电极(6)。第一电极(2)由半导体材料制成。基极电极(3)是沉积在形成第一电极的半导体材料上面的金属层。根据本发明，第二电极由与基极电极(3)电接触的半导体纳米线(6)形成。
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公开(公告)号：CN100372142C
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN02816879.8
申请日：2002-08-29
申请人： 夏普株式会社
CPC分类号： H01L51/0095 , C08G83/005 , C08L101/005 , H01L27/3244 , H01L51/0053 , H01L51/0076 , H01L51/0077 , H01L51/0545 , H01L51/42 , H01L51/5012 , H01L51/5048 , H01L2251/308 , Y10S977/754 , Y10S977/936 , Y10S977/937 , Y10S977/938 , Y10T428/31504
摘要： 功能元件包括一对电极1和4及具有空穴传导层5和电子传导层2的高分子结构体。此高分子结构体具有第一超分支高分子和第二超分支高分子，第一超分支高分子和第二超分支高分子中的至少任一种具有空穴传导性或电子传导性，该空穴传导层和电子传导层中的任一层含有第一超分支高分子和第二超分支高分子中的任一种，在空穴传导层、电子传导层和空穴传导层与电子传导层之间的至少一层上，具有通过第一超分支高分子或第二超分支高分子由于非共价键的相互作用形成的自组织结构。
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公开(公告)号：CN1476090A
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN03119451.6
申请日：2003-03-12
申请人： 财团法人工业技术研究院
CPC分类号： H01L29/7317 , H01L27/0259 , Y10S977/936
摘要： 一种从信号焊盘接收信号的集成电路器件包括：响应来自信号焊盘的信号的至少一个硅双极结晶体管，用于提供静电放电保护；和用于检测来自信号焊盘的信号并给至少一个硅双极结晶体管提供偏置电压的检测电路，其中至少一个硅双极结晶体管包括形成在单个硅层中并与集成电路器件的衬底隔离的发射极、集电极和基极，并且基极耦合到检测电路以接收偏置电压。
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公开(公告)号：CN102738237B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201210101951.9
申请日：2012-04-09
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66045 , H01L29/1606 , H01L29/401 , H01L29/66431 , H01L29/66742 , H01L29/778 , H01L29/786 , Y10S977/936
摘要： 本发明提供石墨烯电子器件及其制造方法。该石墨烯电子器件可包括：栅极氧化物，在导电衬底上，该导电衬底配置为用作栅极电极；一对第一金属，在该栅极氧化物上，该对第一金属彼此分隔开；石墨烯沟道层，在该第一金属之间且在该第一金属上延伸；以及源极电极和漏极电极，在石墨烯沟道层的两边缘上。
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