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公开(公告)号：CN110337730A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201880013936.4
申请日：2018-02-22
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
发明人： 安德烈亚斯·鲁道夫 , 马库斯·布勒尔 , 沃尔夫冈·施密德 , 约翰内斯·鲍尔 , 马丁·鲁道夫·贝林格
IPC分类号： H01L33/06
摘要： 描述一种光电子半导体芯片(10)，包括：-p型半导体区域(4)；-n型半导体区域(9)，-在p型半导体区域(4)与n型半导体区域(9)之间设置的有源层(6)，所述有源层构成为多量子阱结构(6A，6B)并且具有交替的量子阱层(6A)和阻挡层(6B)，其中量子阱层(6A)适合于发射在第一波长范围中的第一辐射(21)；以及-至少一个另外的量子阱层(7A)，所述另外的量子阱层设置在多量子阱结构(6A、6B)之外，并且适合于发射在第二波长范围中的第二辐射(22)，其中-第一波长范围处于对于人眼不可见的红外光谱范围中，和-第二波长范围包括如下波长，所述波长至少部分对于人眼而言是可见的。
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公开(公告)号：CN103875141A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201280048167.4
申请日：2012-08-22
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
发明人： 伊瓦尔·通林 , 马丁·鲁道夫·贝林格
CPC分类号： H01L33/06 , B82Y20/00 , H01L33/0062 , H01L33/08 , H01L33/12 , H01L33/30 , H01L33/305 , H01S5/34326
摘要： 在至少一个实施形式中提出用于光电子半导体芯片（10）的半导体层序列（1）。半导体层序列（1）包含至少三个量子阱（2），所述量子阱设计成用于产生电磁辐射。此外，半导体层序列（1）包括多个势垒层（3），所述势垒层中的至少一个分别设置在两个相邻的量子阱（2）之间。量子阱（2）具有第一平均铟含量并且势垒层（3）具有较小的第二平均铟含量。势垒层（3）的第二平均晶格常数在此小于量子阱（2）的第一平均晶格常数。
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公开(公告)号：CN110574246B
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN201880026466.5
申请日：2018-04-13
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
发明人： 罗兰德·海因里希·恩茨曼 , 安德烈亚斯·武伊齐克 , 胡贝特·哈尔布里特 , 马丁·鲁道夫·贝林格 , 约瑟普·马里克 , 马里耶·格拉斯·贾马 , 贝特霍尔德·哈恩 , 克里斯蒂安·穆勒 , 伊莎贝尔·奥托
IPC分类号： H01S5/042
摘要： 在一个实施方式中，半导体激光器(1)包括：半导体层序列(2)，其具有用于产生激光辐射(L)的有源区(20)。在半导体层序列(2)的彼此相对置的主侧上存在两个电连接区域(21，22)。接触载体(3)包括用于电接触半导体层序列(2)的电接触面(31，32)。电连接线路(23)从半导体层序列(2)的背离接触载体(3)的一侧朝向接触载体(3)伸展。连接线路(23)位于半导体层序列(2)上或位于半导体层序列(2)中。
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公开(公告)号：CN110192312B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201880007155.4
申请日：2018-01-09
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
发明人： 胡贝特·哈尔布里特 , 安德烈亚斯·普洛斯尔 , 罗兰德·海因里希·恩茨曼 , 马丁·鲁道夫·贝林格
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/042 , H01S5/02253 , H01S5/42
摘要： 在一个实施方式中，半导体激光器(1)包括表面发射的半导体激光器芯片(4)，所述半导体激光器芯片具有：半导体层序列(40)，所述半导体层序列具有用于产生激光辐射(L)的有源区(41)；和光出射面(44)，所述光出射面垂直于半导体层序列(4)的生长方向(G)取向。此外，半导体激光器(1)包含衍射光学元件(3)，所述衍射光学元件设计用于扩宽和分配激光辐射(L)，使得半导体激光器(1)优选是人眼安全的。衍射光学元件(3)的光学有效结构(33)由具有至少1.65或2.0的折射率的材料构成。
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公开(公告)号：CN110178220A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201880007156.9
申请日：2018-01-12
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
发明人： 安德烈亚斯·普洛斯尔 , 西格弗里德·赫尔曼 , 马丁·鲁道夫·贝林格 , 弗兰克·辛格 , 托马斯·施瓦茨 , 亚历山大·F·普福伊费尔
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/00 , H01L33/62
摘要： 提出一种方法，设计用于制造光电子半导体器件并且包括如下步骤：A)提供源衬底(21，22，23)，其中每个源衬底(21，22，23)装配有特定类型的发射辐射的半导体芯片(41，42，43)；B)提供具有安装平面(30)的目标衬底(3)；C)在目标衬底(3)上或在至少一个源衬底(21，22，23)上产生平台(52，53)；以及D)将至少一部分的半导体芯片(41，42，43)借助晶片间工艺从源衬底(21，22，23)传递到目标衬底(3)上，使得传递到目标衬底(3)上的半导体芯片(41，42，43)在一种类型之内保持其彼此间的相对位置，并且目标衬底(3)上的每种类型的半导体芯片(41，42，43)由于平台(52，53)在安装平面(30)之上具有不同的高度(H1，H2，H3)。
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公开(公告)号：CN103828072A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201280046500.8
申请日：2012-07-30
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
发明人： 马丁·鲁道夫·贝林格 , 克里斯托夫·克伦普 , 伊瓦尔·通林 , 彼得·海德博恩
IPC分类号： H01L33/30
CPC分类号： H01L33/30 , H01L33/0025 , H01L33/06 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 提出一种发射辐射的半导体芯片（1），所述半导体芯片具有带有半导体层序列（2）的半导体本体，其中带有半导体层序列的半导体本体在竖直方向上在第一主面（21）和第二主面（22）之间延伸；半导体层序列具有设置用于产生辐射的有源区域（5）、第一导电类型的第一区域（3）和与第一导电类型不同的第二导电类型的第二区域（4）；第一区域在竖直方向上在第一主面和有源区域之间延伸；第二区域在竖直方向上在第二主面和有源区域之间延伸；有源区域的至少一个层基于砷化物的化合物半导体材料；并且第一区域或第二区域关于在竖直方向上的相应的伸展至少一半基于磷化物的化合物半导体材料。
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公开(公告)号：CN113872048A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111030865.9
申请日：2018-01-09
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
发明人： 胡贝特·哈尔布里特 , 安德烈亚斯·普洛斯尔 , 罗兰德·海因里希·恩茨曼 , 马丁·鲁道夫·贝林格
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/042 , H01S5/42 , H01S5/0225
摘要： 在一个实施方式中，半导体激光器(1)包括表面发射的半导体激光器芯片(4)，所述半导体激光器芯片具有：半导体层序列(40)，所述半导体层序列具有用于产生激光辐射(L)的有源区(41)；和光出射面(44)，所述光出射面垂直于半导体层序列(4)的生长方向(G)取向。此外，半导体激光器(1)包含衍射光学元件(3)，所述衍射光学元件设计用于扩宽和分配激光辐射(L)，使得半导体激光器(1)优选是人眼安全的。衍射光学元件(3)的光学有效结构(33)由具有至少1.65或2.0的折射率的材料构成。
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公开(公告)号：CN110088918A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201780077998.7
申请日：2017-12-15
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
发明人： 安德烈亚斯·普洛斯尔 , 诺温·文马尔姆 , 多米尼克·斯科尔茨 , 克里斯托弗·施瓦茨迈尔 , 马丁·鲁道夫·贝林格 , 亚历山大·F·普福伊费尔
摘要： 根据用于制造半导体器件的方法的至少一个实施方式，该方法包括如下方法步骤：其中将具有第一横向热膨胀系数的辅助载体施加在半导体本体的第一侧上。此外，该方法包括如下方法步骤：其中将具有第二横向热膨胀系数的连接载体施加在所述半导体本体的第二侧上，所述第二侧背离所述辅助载体。在此，所述半导体本体施加在与所述辅助载体不同的生长衬底上，所述第一横向热膨胀系数和所述第二横向热膨胀系数相差最多50％，以及在施加所述辅助载体(40)之前去除所述生长衬底(30)。
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公开(公告)号：CN110178220B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201880007156.9
申请日：2018-01-12
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
发明人： 安德烈亚斯·普洛斯尔 , 西格弗里德·赫尔曼 , 马丁·鲁道夫·贝林格 , 弗兰克·辛格 , 托马斯·施瓦茨 , 亚历山大·F·普福伊费尔
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/00 , H01L33/62
摘要： 提出一种方法，设计用于制造光电子半导体器件并且包括如下步骤：A)提供源衬底(21，22，23)，其中每个源衬底(21，22，23)装配有特定类型的发射辐射的半导体芯片(41，42，43)；B)提供具有安装平面(30)的目标衬底(3)；C)在目标衬底(3)上或在至少一个源衬底(21，22，23)上产生平台(52，53)；以及D)将至少一部分的半导体芯片(41，42，43)借助晶片间工艺从源衬底(21，22，23)传递到目标衬底(3)上，使得传递到目标衬底(3)上的半导体芯片(41，42，43)在一种类型之内保持其彼此间的相对位置，并且目标衬底(3)上的每种类型的半导体芯片(41，42，43)由于平台(52，53)在安装平面(30)之上具有不同的高度(H1，H2，H3)。
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公开(公告)号：CN110088918B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN201780077998.7
申请日：2017-12-15
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
发明人： 安德烈亚斯·普洛斯尔 , 诺温·文马尔姆 , 多米尼克·斯科尔茨 , 克里斯托弗·施瓦茨迈尔 , 马丁·鲁道夫·贝林格 , 亚历山大·F·普福伊费尔
摘要： 根据用于制造半导体器件的方法的至少一个实施方式，该方法包括如下方法步骤：其中将具有第一横向热膨胀系数的辅助载体施加在半导体本体的第一侧上。此外，该方法包括如下方法步骤：其中将具有第二横向热膨胀系数的连接载体施加在所述半导体本体的第二侧上，所述第二侧背离所述辅助载体。在此，所述半导体本体施加在与所述辅助载体不同的生长衬底上，所述第一横向热膨胀系数和所述第二横向热膨胀系数相差最多50％，以及在施加所述辅助载体(40)之前去除所述生长衬底(30)。
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