公开(公告)号：CN105008880B

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201380074229.3

申请日：2013-12-05

申请人： 欧姆龙株式会社

发明人： 井上胜之 ,  奥野敏明 ,  古村由幸

IPC分类号： G01L1/14 ,  G01L5/00 ,  G06F3/044 ,  H01L29/84

CPC分类号： H03K17/962 ,  G01L9/0073 ,  H03K17/975 ,  H03K2017/9602 ,  H03K2217/960755

摘要： 在固定电极(32)的上表面形成电介质层(33)。通过使电介质层(33)的上表面向下方凹陷，从而在电介质层(33)的上表面形成凹槽(33a)。在电介质层(33)的上表面层叠上基板(35a)以覆盖凹槽(33a)。通过上基板(35a)的一部分，即位于凹槽(33a)的上方的区域，来形成呈薄膜状的导电性膜片(35)。在电介质层(33)的与膜片(35)对置的区域，使电介质层在以该对置区域的中央为中心的圆周上的存在比率根据与所述对置区域的中央相隔的距离而变化。

公开(公告)号：CN103765179A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201280041882.5

申请日：2012-11-12

申请人： 欧姆龙株式会社

发明人： 井上胜之

IPC分类号： G01L1/14 ,  G01L9/00

CPC分类号： G01L9/0073

摘要： 一种电容式压力传感器，在固定电极（32）的上面形成电介质层（33），在电介质层（33）的表面凹设有凹部（34）。以覆盖凹部（34）的方式在电介质层（33）的表面上层叠上基板（37），在凹部（34）的上方配设薄膜状的导电性膜片（38）（上基板37的一部分）。在凹部（34）内，在电介质层（33）的表面上形成有用于与膜片（38）接触的第一接触面（35）和第二接触面（36）。第一接触面（35）和第二接触面（36）例如为水平面，第一接触面（35）和第二接触面（36）通过垂直面即台阶来隔开。第二接触面（36）位于比第一接触面（35）高的位置。

公开(公告)号：CN103765179B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280041882.5

申请日：2012-11-12

申请人： 欧姆龙株式会社

发明人： 井上胜之

IPC分类号： G01L1/14 ,  G01L9/00

CPC分类号： G01L9/0073

摘要： 一种电容式压力传感器，在固定电极（32）的上面形成电介质层（33），在电介质层（33）的表面凹设有凹部（34）。以覆盖凹部（34）的方式在电介质层（33）的表面上层叠上基板（37），在凹部（34）的上方配设薄膜状的导电性膜片（38）（上基板37的一部分）。在凹部（34）内，在电介质层（33）的表面上形成有用于与膜片（38）接触的第一接触面（35）和第二接触面（36）。第一接触面（35）和第二接触面（36）例如为水平面，第一接触面（35）和第二接触面（36）通过垂直面即台阶来隔开。第二接触面（36）位于比第一接触面（35）高的位置。

公开(公告)号：CN105026904A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201480012015.8

申请日：2014-03-04

申请人： 欧姆龙株式会社

发明人： 井上胜之

IPC分类号： G01L9/00 ,  H01L29/84

CPC分类号： G01L9/0073

摘要： 在由半导体构成的固定电极(32)的上表面形成介电层(33)。通过使介电层(33)的表面的一部分凹陷，在介电层(33)的表面形成凹槽(33a)。在介电层(33)的上表面层叠上基板(35a)以覆盖凹槽(33a)。上基板(35a)中位于凹槽(33a)上方的薄膜状的部分是能够因压力而弯曲的导电性膜片(35)。固定电极(32)的至少上表面的杂质浓度为2.00×1017cm-3以上且2.10×1019cm-3以下。

公开(公告)号：CN104848971B

公开(公告)日：2019-02-15

申请号：CN201510056317.1

申请日：2015-02-03

申请人： 欧姆龙株式会社

发明人： 井上胜之 ,  佐野浩二 ,  奥野敏明 ,  古村由幸

IPC分类号： G01L1/14

摘要： 本发明提供一种隔膜不易产生初期变形的静电电容型压力传感器、压力检测器及输入装置。固定电极基板(32)的上面由电介质膜(33)覆盖。在压缩应力膜(38)的上面或下面的一方形成有凹槽(34)(凹部)。在电介质膜(33)之上层叠上基板(35)。上基板(35)中与凹槽(34)相对的区域成为可弹性变形的隔膜(36)，在隔膜(36)的上面的至少一部分形成有压缩应力膜(38)。

公开(公告)号：CN107152982A

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201710075820.0

申请日：2017-02-13

申请人： 欧姆龙株式会社

发明人： 森原大辅 ,  井上胜之

IPC分类号： G01L9/00

摘要： 压力传感器芯片具备：形成在半导体基板内且密闭的压力基准室、形成在该压力基准室与外部之间且通过所述压力基准室内的压力与外部的压力之差而变形的膜片、设于所述膜片且可产生与该膜片的变形相对应的电信号的传感器部，俯视观察所述半导体基板时，将包括所述压力基准室、所述膜片及所述传感器部在内的检测部的周围部分中的一部分作为连接部，留下所述连接部而在所述检测部的周围形成有将该半导体基板贯通的贯通槽，所述半导体基板内的除所述检测部以外的部分与所述检测部被所述贯通槽分开。

公开(公告)号：CN105008880A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201380074229.3

申请日：2013-12-05

申请人： 欧姆龙株式会社

发明人： 井上胜之 ,  奥野敏明 ,  古村由幸

IPC分类号： G01L1/14 ,  G01L5/00 ,  G06F3/044 ,  H01L29/84

CPC分类号： H03K17/962 ,  G01L9/0073 ,  H03K17/975 ,  H03K2017/9602 ,  H03K2217/960755

摘要： 在固定电极(32)的上表面形成电介质层(33)。通过使电介质层(33)的上表面向下方凹陷，从而在电介质层(33)的上表面形成凹槽(33a)。在电介质层(33)的上表面层叠上基板(35a)以覆盖凹槽(33a)。通过上基板(35a)的一部分，即位于凹槽(33a)的上方的区域，来形成呈薄膜状的导电性膜片(35)。在电介质层(33)的与膜片(35)对置的区域，使电介质层在以该对置区域的中央为中心的圆周上的存在比率根据与所述对置区域的中央相隔的距离而变化。

公开(公告)号：CN105008879A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201380074227.4

申请日：2013-12-05

申请人： 欧姆龙株式会社

发明人： 井上胜之 ,  奥野敏明

IPC分类号： G01L1/14 ,  G01L5/00 ,  G06F3/044 ,  H01L29/84

CPC分类号： G06F3/044 ,  G06F3/0414

摘要： 在固定电极(32)的上表面形成电介质层(33)。通过使电介质层(33)的上表面向下方凹陷，从而在电介质层(33)的上表面形成凹槽(33a)。凹槽(33a)的底面被电介质层(33)覆盖。在电介质层(33)的表面层叠上基板(35a)以覆盖凹槽(33a)。通过上基板(35a)的一部分，即位于凹槽(33a)的上方的区域，来形成呈薄膜状的导电性膜片(35)。在膜片(35)的上表面中央部设置突起(39)。

公开(公告)号：CN107152982B

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201710075820.0

申请日：2017-02-13

申请人： 欧姆龙株式会社

发明人： 森原大辅 ,  井上胜之

IPC分类号： G01L9/00

摘要： 压力传感器芯片具备：形成在半导体基板内且密闭的压力基准室、形成在该压力基准室与外部之间且通过所述压力基准室内的压力与外部的压力之差而变形的膜片、设于所述膜片且可产生与该膜片的变形相对应的电信号的传感器部，俯视观察所述半导体基板时，将包括所述压力基准室、所述膜片及所述传感器部在内的检测部的周围部分中的一部分作为连接部，留下所述连接部而在所述检测部的周围形成有将该半导体基板贯通的贯通槽，所述半导体基板内的除所述检测部以外的部分与所述检测部被所述贯通槽分开。

公开(公告)号：CN105008879B

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201380074227.4

申请日：2013-12-05

申请人： 欧姆龙株式会社

发明人： 井上胜之 ,  奥野敏明

IPC分类号： G01L1/14 ,  G01L5/00 ,  G06F3/044 ,  H01L29/84

CPC分类号： G06F3/044 ,  G06F3/0414

摘要： 在固定电极(32)的上表面形成电介质层(33)。通过使电介质层(33)的上表面向下方凹陷，从而在电介质层(33)的上表面形成凹槽(33a)。凹槽(33a)的底面被电介质层(33)覆盖。在电介质层(33)的表面层叠上基板(35a)以覆盖凹槽(33a)。通过上基板(35a)的一部分，即位于凹槽(33a)的上方的区域，来形成呈薄膜状的导电性膜片(35)。在膜片(35)的上表面中央部设置突起(39)。