-
公开(公告)号：CN105008876A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201480009824.3
申请日：2014-02-18
Applicant: 欧姆龙株式会社
CPC classification number: G01J5/12 , G01J5/023 , G01J5/046 , G01J2005/123
Abstract: 红外线传感器(101)具有：半导体基板，在其上表面具有凹部；上部层，其形成于所述半导体基板的上侧，具有与所述凹部对应地开口的传感器开口部(3)；以及传感器部(2)，其以将传感器开口部(3)的内周的第1部位(61)和第2部位(62)之间连接起来的方式，在离开所述凹部的内表面的状态下呈S字形横穿传感器开口部(3)。传感器部(2)在真空中被密封。传感器部(2)的中央部(4)被配置为能够接受来自观测对象的红外线。传感器部(2)具有将中央部(4)与第1部位(61)及第2部位(62)之间的温度差变换为电信号的热电变换构造。
-
公开(公告)号：CN105008877A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201480010005.0
申请日：2014-02-18
Applicant: 欧姆龙株式会社
Abstract: 红外线传感器的制造方法包括下述工序：在第1区域上形成温差电堆支撑层的工序；在其上表面上形成温差电堆(24)的工序；然后，在第2区域上形成电路元件的工序；以覆盖所述第1和第2区域的方式形成上部层(41)的工序；将上部层(41)向下挖到中途的工序；通过进一步将上部层(41)向下挖而形成蚀刻孔(38)的工序；以及经过蚀刻孔(38)对半导体基板(1)的一部分进行蚀刻而使所述温差电堆支撑层和温差电堆(24)从半导体基板(1)悬起，由此形成传感器部(2)的工序。传感器部(2)的上表面(2u)位于比所述第2区域中的上部层(41u)的上表面低的位置。
-
公开(公告)号：CN105008876B
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201480009824.3
申请日：2014-02-18
Applicant: 欧姆龙株式会社
CPC classification number: G01J5/12 , G01J5/023 , G01J5/046 , G01J2005/123
Abstract: 红外线传感器(101)具有：半导体基板，在其上表面具有凹部；上部层，其形成于所述半导体基板的上侧，具有与所述凹部对应地开口的传感器开口部(3)；以及传感器部(2)，其以将传感器开口部(3)的内周的第1部位(61)和第2部位(62)之间连接起来的方式，在离开所述凹部的内表面的状态下呈S字形横穿传感器开口部(3)。传感器部(2)在真空中被密封。传感器部(2)的中央部(4)被配置为能够接受来自观测对象的红外线。传感器部(2)具有将中央部(4)与第1部位(61)及第2部位(62)之间的温度差变换为电信号的热电变换构造。
-
公开(公告)号：CN105008877B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201480010005.0
申请日：2014-02-18
Applicant: 欧姆龙株式会社
Abstract: 红外线传感器的制造方法包括下述工序：在第1区域上形成温差电堆支撑层的工序；在其上表面上形成温差电堆(24)的工序；然后，在第2区域上形成电路元件的工序；以覆盖所述第1和第2区域的方式形成上部层(41)的工序；将上部层(41)向下挖而形成蚀刻孔(38)的工序；以及经过蚀刻孔(38)对半导体基板(1)的一部分进行蚀刻而使所述温差电堆支撑层和温差电堆(24)从半导体基板(1)悬起，由此形成传感器部(2)的工序。传感器部(2)的上表面(2u)位于比所述第2区域中的上部层(41u)的上表面低的位置。(41)向下挖到中途的工序；通过进一步将上部层
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.025 seconds)
