公开(公告)号：CN111525024B

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202010285269.4

申请日：2020-04-13

申请人： 欧阳俊

发明人： 欧阳俊 ,  牛淼淼 ,  朱汉飞

IPC分类号： H01L41/316 ,  H01L41/187 ,  C23C14/08 ,  C23C14/16 ,  C23C14/35

摘要： 本发明公开了铁酸铋膜材料、低温在硅基底上集成制备铁酸铋膜的方法及应用。其方法为：在300～400℃条件下，在基体表面由下向上依次磁控溅射底电极、缓冲层、铁酸铋膜，降低温度至室温，在铁酸铋膜表面磁控溅射顶电极，所述缓冲层的材质为能够与铁酸铋晶格匹配的钙钛矿结构的导电氧化物。本发明能够降低制备铁酸铋膜材料的温度至450℃以下，且该铁酸铋膜材料具有较高的极化强度。

公开(公告)号：CN111525024A

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN202010285269.4

申请日：2020-04-13

申请人： 欧阳俊

发明人： 欧阳俊 ,  牛淼淼 ,  朱汉飞

IPC分类号： H01L41/316 ,  H01L41/187 ,  C23C14/08 ,  C23C14/16 ,  C23C14/35

摘要： 本发明公开了铁酸铋膜材料、低温在硅基底上集成制备铁酸铋膜的方法及应用。其方法为：在300～400℃条件下，在基体表面由下向上依次磁控溅射底电极、缓冲层、铁酸铋膜，降低温度至室温，在铁酸铋膜表面磁控溅射顶电极，所述缓冲层的材质为能够与铁酸铋晶格匹配的钙钛矿结构的导电氧化物。本发明能够降低制备铁酸铋膜材料的温度至450℃以下，且该铁酸铋膜材料具有较高的极化强度。

公开(公告)号：CN105336845A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201510628242.X

申请日：2015-09-28

申请人： 欧阳俊

发明人： 欧阳俊 ,  朱汉飞 ,  刘梦琳

IPC分类号： H01L41/187 ,  H01L41/39 ,  H01L33/44

CPC分类号： H01L41/1878 ,  H01L33/44 ,  H01L41/39

摘要： 本发明提供了一种高极化强度铁酸铋厚膜材料体系及中低温制备方法，包括基体、缓冲层、底电极、铁酸铋介电层、顶电极，以半导体单晶为基体，缓冲层为金属或金属氧化物薄层，底电极为惰性金属薄层。提供的制备工艺中材料体系的晶化温度较低(≤500℃)，利于大面积硅集成电路的应用；低的晶化温度大大降低了材料体系中元素的挥发，避免了材料氧空位等缺陷的产生并获得了具有优异性能的膜材料，其饱和极化强度高达～130μC/cm2，可承受的外电压不小于200V。本发明工艺流程、设备操作简单，所用原材料均为市场所售，成本较低，易于器件集成，适合于工业化推广及生产。