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公开(公告)号：CN112421357B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202011068245.X
申请日：2020-10-08
摘要： 本发明的一种用于高功率光纤激光器的调频式半导体种子源，包括多段式分布布拉格反射DBR半导体激光器，依次分别是前光栅区、相位区、有源区与后光栅区，还包括T型偏置器Bias‑T，对激光器的各区分别用电流进行控制，有源区的注入电流为激光器提供增益，通过电流注入使前光栅区、后光栅区的光反射谱发生移动，两个光反射谱之间的游标效应产生有效的模式选择，通过T型偏置器Bias‑T注入相位区的直流电流使腔模产生平移，实现种子源光谱均匀展宽；调节相位区注入的直流电流，使种子源波长连续调谐。本发明结构紧凑、体积小巧，成本低廉，适用于数千瓦级高功率窄线宽光纤激光器，可大幅度提升激光器的SBS阈值，进而提高激光器输出功率。
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公开(公告)号：CN113161858A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110320694.7
申请日：2021-03-25
摘要： 本发明属于激光技术领域，并具体公开了一种实现高功率单频激光输出的方法及装置。所述方法包括：采用电信号源产生具有规律特征的第一调制信号，记录该第一调制信号的频率和幅值，并根据第一调制信号的频率和幅值，计算第一调制信号的调制深度；采用该第一调制信号将信号光的线宽进行展宽，将展宽后的信号光进行高功率放大，获得窄线宽激光，获取高功率放大后信号光的相位；采用电信号源产生具有规律特征的第二调制信号，所述第二调制信号的调制深度与第一调制信号的调制深度相同，且所述第二调制信号的相位与高功率放大后信号光的相位相反；采用所述第二调制信号将所述窄线宽激光调制为单频激光输出。本发明能有效实现高功率单频激光输出。
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公开(公告)号：CN113105112A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110301435.X
申请日：2021-03-22
IPC分类号： C03B37/018 , C03B37/027 , C03C25/24 , G02B6/036
摘要： 本发明公开了一种新型耐辐照增益光纤的制备方法，包括：通过MCVD设备制作整体由内向外组合成含有芯棒、石英管和掺氟石英管的光纤预制棒；将制备好的光纤预制棒在高温拉丝塔上进行拉丝并进行两次涂覆，获得的光纤由内而外依次为光纤芯层、石英包层、掺氟石英包层、低折射率涂层和高折射率涂层；将制备好的光纤进行载氢处理；将载氢后的三包层光纤取出，截取5‑20m，在10‑20分钟内采用剥涂覆设备剥除掉光纤涂覆层，将裸光纤拉直，在裸光纤表面涂上一层碳涂覆层，形成耐辐照增益双包层光纤；本发明还公开对应光纤；其能够有效阻止光纤中氢的逸出，减少光纤的辐致损耗，降低光纤因辐照而引起的结构缺陷，提高增益光纤的耐辐照能力。
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公开(公告)号：CN113093328A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110276030.5
申请日：2021-03-15
摘要： 本发明公开了轴向纤芯数值孔径变化的增益光纤、套管及其制备方法，其增益光纤包括：沿径向方向由内而外依次套设的纤芯、内包层、外包层和涂覆层；纤芯的折射率高于内包层的折射率，内包层的折射率高于外包层的折射率，外包层的折射率低于涂覆层的折射率；内包层的折射率沿其自身的轴线方向呈变化趋势，使增益光纤的纤芯数值孔径沿其自身的轴线方向对应变动。本发明增益光纤在轴向上的纤芯数值孔径变化随光纤的弯曲半径变化时，增益光纤的产生弯曲损耗变化一致，优化高功率光纤的光束质量，提升高功率光纤激光器的模式不稳定阈值，实现高功率激光输出。
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公开(公告)号：CN113105112B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202110301435.X
申请日：2021-03-22
IPC分类号： C03B37/018 , C03B37/027 , C03C25/25 , G02B6/036
摘要： 本发明公开了一种新型耐辐照增益光纤的制备方法，包括：通过MCVD设备制作整体由内向外组合成含有芯棒、石英管和掺氟石英管的光纤预制棒；将制备好的光纤预制棒在高温拉丝塔上进行拉丝并进行两次涂覆，获得的光纤由内而外依次为光纤芯层、石英包层、掺氟石英包层、低折射率涂层和高折射率涂层；将制备好的光纤进行载氢处理；将载氢后的三包层光纤取出，截取5‑20m，在10‑20分钟内采用剥涂覆设备剥除掉光纤涂覆层，将裸光纤拉直，在裸光纤表面涂上一层碳涂覆层，形成耐辐照增益双包层光纤；本发明还公开对应光纤；其能够有效阻止光纤中氢的逸出，减少光纤的辐致损耗，降低光纤因辐照而引起的结构缺陷，提高增益光纤的耐辐照能力。
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公开(公告)号：CN112563883A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011202192.6
申请日：2020-11-02
摘要： 本发明的一种集成化外腔式单频线偏振半导体激光器，包括InGaAs半导体芯片、LiNbO3晶体衬底、LiNbO3波导结构、LiNbO3波导光栅和热电制冷器TEC；LiNbO3波导结构、LiNbO3波导光栅制作于LiNbO3晶体衬底上；LiNbO3波导光栅是所述LiNbO3波导结构的一部分刻蚀周期性结构而形成；LiNbO3波导光栅的周期性结构包括一半低折射率长度部分和一半高折射率长度部分，共同构成一个周期长度L。本发明将InGaAs多量子阱材料作为激光的增益介质，输出波长范围可覆盖1000nm到1100nm，实现了InGaAs半导体芯片高TE模式占比激发，提高输出激光的消光比；采用短直线型谐振腔结构，通过InGaAs半导体芯片与LiNbO3波导光栅直接键合集成方式，提升了对准精度，增加了激光耦合效率，改善光束质量，降低耦合损耗，提高了激光器单纵模稳定性。
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公开(公告)号：CN113161858B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202110320694.7
申请日：2021-03-25
摘要： 本发明属于激光技术领域，并具体公开了一种实现高功率单频激光输出的方法及装置。所述方法包括：采用电信号源产生具有规律特征的第一调制信号，记录该第一调制信号的频率和幅值，并根据第一调制信号的频率和幅值，计算第一调制信号的调制深度；采用该第一调制信号将信号光的线宽进行展宽，将展宽后的信号光进行高功率放大，获得窄线宽激光，获取高功率放大后信号光的相位；采用电信号源产生具有规律特征的第二调制信号，所述第二调制信号的调制深度与第一调制信号的调制深度相同，且所述第二调制信号的相位与高功率放大后信号光的相位相反；采用所述第二调制信号将所述窄线宽激光调制为单频激光输出。本发明能有效实现高功率单频激光输出。
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公开(公告)号：CN113161857A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110276021.6
申请日：2021-03-15
摘要： 本发明公开了一种激光放大器及其泵浦光双程吸收系统、方法，其泵浦光双程吸收系统包括：传输泵浦光和信号光的双包层光纤；准直输出由双包层光纤出的泵浦光的第一曲面光纤端帽；信号光高透泵浦光高反镜；耦合信号光的透镜组；传输信号光的第二曲面光纤端帽；以及，输入或输出信号光的光纤；由双包层光纤出的泵浦光经第一曲面光纤端帽准直输出，并经信号光高透泵浦光高反镜反射至第一曲面光纤端帽，原光路返回双包层光纤；双包层光纤、第一曲面光纤端帽、信号光高透泵浦光高反镜、透镜组、第二曲面光纤端帽、光纤依次设置以构成信号光的传输路径。本发明实现SBS和MI双提升，激光效率提升，解决了现有SBS和MI的矛盾关系。
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公开(公告)号：CN112684485B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110302186.6
申请日：2021-03-22
摘要： 本发明公开了一种光纤辐照监测装置及方法，其光纤辐照监测装置包括：光纤激光器，由光纤激光器射出的信号激光的输出功率不小于500W、光束质量因子M2小于1.5；多模光纤；包层光滤除器，包层光滤除器的外侧封装有金属封装层；温度传感器，温度传感器布置于金属封装层；温度数据处理器，温度数据处理器与温度传感器连接；以及，热电材料吸收体；光纤激光器射出的信号激光耦合至多模光纤的纤芯；多模光纤和包层光滤除器耦合连接，使得在多模光纤的纤芯中传输的信号激光耦合至包层光滤除器，并射入热电材料吸收体；在多模光纤的内包层中传输的包层光被包层光滤除器滤出至金属封装层。本发明实现了大剂量辐照环境的长时间有效监测。
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公开(公告)号：CN112684485A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202110302186.6
申请日：2021-03-22
摘要： 本发明公开了一种光纤辐照监测装置及方法，其光纤辐照监测装置包括：光纤激光器，由光纤激光器射出的信号激光的输出功率不小于500W、光束质量因子M2小于1.5；多模光纤；包层光滤除器，包层光滤除器的外侧封装有金属封装层；温度传感器，温度传感器布置于金属封装层；温度数据处理器，温度数据处理器与温度传感器连接；以及，热电材料吸收体；光纤激光器射出的信号激光耦合至多模光纤的纤芯；多模光纤和包层光滤除器耦合连接，使得在多模光纤的纤芯中传输的信号激光耦合至包层光滤除器，并射入热电材料吸收体；在多模光纤的内包层中传输的包层光被包层光滤除器滤出至金属封装层。本发明实现了大剂量辐照环境的长时间有效监测。
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