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公开(公告)号：CN113093328B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202110276030.5
申请日：2021-03-15
摘要： 本发明公开了轴向纤芯数值孔径变化的增益光纤、套管及其制备方法，其增益光纤包括：沿径向方向由内而外依次套设的纤芯、内包层、外包层和涂覆层；纤芯的折射率高于内包层的折射率，内包层的折射率高于外包层的折射率，外包层的折射率低于涂覆层的折射率；内包层的折射率沿其自身的轴线方向呈变化趋势，使增益光纤的纤芯数值孔径沿其自身的轴线方向对应变动。本发明增益光纤在轴向上的纤芯数值孔径变化随光纤的弯曲半径变化时，增益光纤的产生弯曲损耗变化一致，优化高功率光纤的光束质量，提升高功率光纤激光器的模式不稳定阈值，实现高功率激光输出。
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公开(公告)号：CN113093328A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110276030.5
申请日：2021-03-15
摘要： 本发明公开了轴向纤芯数值孔径变化的增益光纤、套管及其制备方法，其增益光纤包括：沿径向方向由内而外依次套设的纤芯、内包层、外包层和涂覆层；纤芯的折射率高于内包层的折射率，内包层的折射率高于外包层的折射率，外包层的折射率低于涂覆层的折射率；内包层的折射率沿其自身的轴线方向呈变化趋势，使增益光纤的纤芯数值孔径沿其自身的轴线方向对应变动。本发明增益光纤在轴向上的纤芯数值孔径变化随光纤的弯曲半径变化时，增益光纤的产生弯曲损耗变化一致，优化高功率光纤的光束质量，提升高功率光纤激光器的模式不稳定阈值，实现高功率激光输出。
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公开(公告)号：CN113161858A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110320694.7
申请日：2021-03-25
摘要： 本发明属于激光技术领域，并具体公开了一种实现高功率单频激光输出的方法及装置。所述方法包括：采用电信号源产生具有规律特征的第一调制信号，记录该第一调制信号的频率和幅值，并根据第一调制信号的频率和幅值，计算第一调制信号的调制深度；采用该第一调制信号将信号光的线宽进行展宽，将展宽后的信号光进行高功率放大，获得窄线宽激光，获取高功率放大后信号光的相位；采用电信号源产生具有规律特征的第二调制信号，所述第二调制信号的调制深度与第一调制信号的调制深度相同，且所述第二调制信号的相位与高功率放大后信号光的相位相反；采用所述第二调制信号将所述窄线宽激光调制为单频激光输出。本发明能有效实现高功率单频激光输出。
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公开(公告)号：CN113105112A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110301435.X
申请日：2021-03-22
IPC分类号： C03B37/018 , C03B37/027 , C03C25/24 , G02B6/036
摘要： 本发明公开了一种新型耐辐照增益光纤的制备方法，包括：通过MCVD设备制作整体由内向外组合成含有芯棒、石英管和掺氟石英管的光纤预制棒；将制备好的光纤预制棒在高温拉丝塔上进行拉丝并进行两次涂覆，获得的光纤由内而外依次为光纤芯层、石英包层、掺氟石英包层、低折射率涂层和高折射率涂层；将制备好的光纤进行载氢处理；将载氢后的三包层光纤取出，截取5‑20m，在10‑20分钟内采用剥涂覆设备剥除掉光纤涂覆层，将裸光纤拉直，在裸光纤表面涂上一层碳涂覆层，形成耐辐照增益双包层光纤；本发明还公开对应光纤；其能够有效阻止光纤中氢的逸出，减少光纤的辐致损耗，降低光纤因辐照而引起的结构缺陷，提高增益光纤的耐辐照能力。
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公开(公告)号：CN113105112B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202110301435.X
申请日：2021-03-22
IPC分类号： C03B37/018 , C03B37/027 , C03C25/25 , G02B6/036
摘要： 本发明公开了一种新型耐辐照增益光纤的制备方法，包括：通过MCVD设备制作整体由内向外组合成含有芯棒、石英管和掺氟石英管的光纤预制棒；将制备好的光纤预制棒在高温拉丝塔上进行拉丝并进行两次涂覆，获得的光纤由内而外依次为光纤芯层、石英包层、掺氟石英包层、低折射率涂层和高折射率涂层；将制备好的光纤进行载氢处理；将载氢后的三包层光纤取出，截取5‑20m，在10‑20分钟内采用剥涂覆设备剥除掉光纤涂覆层，将裸光纤拉直，在裸光纤表面涂上一层碳涂覆层，形成耐辐照增益双包层光纤；本发明还公开对应光纤；其能够有效阻止光纤中氢的逸出，减少光纤的辐致损耗，降低光纤因辐照而引起的结构缺陷，提高增益光纤的耐辐照能力。
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公开(公告)号：CN112563883A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011202192.6
申请日：2020-11-02
摘要： 本发明的一种集成化外腔式单频线偏振半导体激光器，包括InGaAs半导体芯片、LiNbO3晶体衬底、LiNbO3波导结构、LiNbO3波导光栅和热电制冷器TEC；LiNbO3波导结构、LiNbO3波导光栅制作于LiNbO3晶体衬底上；LiNbO3波导光栅是所述LiNbO3波导结构的一部分刻蚀周期性结构而形成；LiNbO3波导光栅的周期性结构包括一半低折射率长度部分和一半高折射率长度部分，共同构成一个周期长度L。本发明将InGaAs多量子阱材料作为激光的增益介质，输出波长范围可覆盖1000nm到1100nm，实现了InGaAs半导体芯片高TE模式占比激发，提高输出激光的消光比；采用短直线型谐振腔结构，通过InGaAs半导体芯片与LiNbO3波导光栅直接键合集成方式，提升了对准精度，增加了激光耦合效率，改善光束质量，降低耦合损耗，提高了激光器单纵模稳定性。
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公开(公告)号：CN113161858B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202110320694.7
申请日：2021-03-25
摘要： 本发明属于激光技术领域，并具体公开了一种实现高功率单频激光输出的方法及装置。所述方法包括：采用电信号源产生具有规律特征的第一调制信号，记录该第一调制信号的频率和幅值，并根据第一调制信号的频率和幅值，计算第一调制信号的调制深度；采用该第一调制信号将信号光的线宽进行展宽，将展宽后的信号光进行高功率放大，获得窄线宽激光，获取高功率放大后信号光的相位；采用电信号源产生具有规律特征的第二调制信号，所述第二调制信号的调制深度与第一调制信号的调制深度相同，且所述第二调制信号的相位与高功率放大后信号光的相位相反；采用所述第二调制信号将所述窄线宽激光调制为单频激光输出。本发明能有效实现高功率单频激光输出。
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公开(公告)号：CN116282886A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310090598.7
申请日：2023-01-18
IPC分类号： C03B37/018 , C03B37/027
摘要： 本发明属于光纤技术领域，公开了一种增益控制光纤的制备方法，包括以下步骤：通过PCVD工艺在第一衬管的内表面沉积出非稀土掺杂层，融缩后得到非稀土掺杂芯套管；通过MCVD工艺在第二衬管的内表面沉积出稀土掺杂芯层，酸洗掉所述第二衬管后得到稀土掺杂芯棒；利用管棒法将所述非稀土掺杂芯套管和稀土掺杂芯棒组合，在拉丝塔上拉制得到增益控制光纤。有益效果：结合PCVD和MCVD工艺的特点，采用PCVD工艺制备非稀土掺杂芯套管，MCVD工艺制备稀土掺杂芯棒，可制备出折射率精确调控的增益控制光纤。
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公开(公告)号：CN113252171B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202110413118.7
申请日：2021-04-16
摘要： 本发明属于激光技术领域，并具体公开了一种窄线宽激光光谱测量方法及装置。所述方法包括：对单频激光进行移频调制，以输出频率随时间变化的单频激光；将待测窄线宽激光与经过移频调制后的单频激光进行合束，然后测量合束后激光的差频信号，根据所述差频信号对合束后激光进行滤波处理，从而获取窄线宽激光的输出光谱分布。所述装置包括单频激光器、移频调制模块、光合束器、光电探测器、电带通滤波器以及处理与显示模块。本发明利用移频器可正移频也可负移频，且移频量可调谐的特点，当移频量覆盖窄线宽激光光谱宽度时，可简单高效的测量出窄线宽激光的谱线分布，具有测量精度高、速度快，测量方法简单等特点。
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公开(公告)号：CN113252171A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110413118.7
申请日：2021-04-16
摘要： 本发明属于激光技术领域，并具体公开了一种窄线宽激光光谱测量方法及装置。所述方法包括：对单频激光进行移频调制，以输出频率随时间变化的单频激光；将待测窄线宽激光与经过移频调制后的单频激光进行合束，然后测量合束后激光的差频信号，根据所述差频信号对合束后激光进行滤波处理，从而获取窄线宽激光的输出光谱分布。所述装置包括单频激光器、移频调制模块、光合束器、光电探测器、电带通滤波器以及处理与显示模块。本发明利用移频器可正移频也可负移频，且移频量可调谐的特点，当移频量覆盖窄线宽激光光谱宽度时，可简单高效的测量出窄线宽激光的谱线分布，具有测量精度高、速度快，测量方法简单等特点。
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