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公开(公告)号：CN117589324A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311561722.X
申请日：2023-11-20
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司 , 湖北光谷实验室
IPC: G01K7/32
Abstract: 本发明公开一种硅基微环测温方法、系统及装置，方法包括：控制DAC生成扰动信号；控制ADC对微环输出光功率进行采样；在ADC采样的同时，将采样信号与频率进行正交计算，以得到频率分量大小；根据频率分量大小与温度的关系，计算当前温度。本发明通过扰动信号来检测光功率变化特征，提取光波长偏移量，也即得到当前温度对应的频率分量大小，再由频率分量大小与温度的关系，进而对温度进行测定。相较于现有的其他微环测温方案，或集中于游标效应忽略实施波长监测方法，或使用神经网络对波长数据与温度数据进行模拟，或致力于结构创新、提高微环指标；本发明实施例提出的方案，基于扰动波长偏移来监测测温，具有实施性高、结构简单的优点。
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公开(公告)号：CN112564807A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011402494.8
申请日：2020-12-02
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
IPC: H04B10/50
Abstract: 本申请公开了一种光调制器的偏置电压的控制方法及装置，包括：获取光调制器的温度信息，并基于所述温度信息确定第一待调节偏置电压，根据偏置点锁定算法确定所述光调制器的第二待调节偏置电压，获取所述第一待调节偏置电压对应的第一高斯分布函数和所述第二待调节偏置电压对应的第二高斯分布函数，基于所述第一高斯分布函数和所述第二高斯分布函数的乘积，确定目标偏置电压。通过本申请实施例，能够对光调制器加载合适的偏置电压，保证其工作在合适的工作点上。
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公开(公告)号：CN110596918A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910883568.5
申请日：2019-09-18
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
IPC: G02F1/03
Abstract: 本申请实施例公开了一种调制器的偏置工作点的控制方法，包括：根据所述调制器的固有特性，确定待施加在所述调制器的调相电极上的扰动信号；其中，所述扰动信号为特定时变周期性的电压信号；从所述调制器的输出端的输出信号中，检测与所述扰动信号的频率相同的信号分量；根据所述信号分量的幅度，调节所述初始偏置电压，以确定所述调制器的偏置工作点。本申请实施例还同时提供了一种调制器的偏置工作点的控制装置。
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公开(公告)号：CN117978288A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202211318852.6
申请日：2022-10-26
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
IPC: H04B10/564 , H04B10/079
Abstract: 本发明涉及电信传输网管理技术领域，尤其涉及一种微环谐振腔调制器的控制方法、系统和装置，方法包括：以一定步长控制施加在微环调制器上的电压，同时对微环调制器Drop端的光功率进行监控，得到温度、电压与光功率的关系，确定初始的工作电压，设定目标光功率比值；计算需要设定的温度并进行温度设定；计算需要设定的电压并进行电压设定；采样当前温度作为反馈，直到温度稳定在需要设定的温度处；采样当前光功率比值作为反馈，直到光功率比值稳定在目标光功率比值处。本发明可以同时对温度以及光功率比值进行串联锁定，能够更加稳定准确的锁定Si‑MRM的工作点。
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公开(公告)号：CN112327035B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202011129788.8
申请日：2020-10-21
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
IPC: G01R19/00
Abstract: 本申请提供一种射频半波电压的测量方法、装置及系统，所述方法包括：生成测量参数，所述测量参数包括光信号、直流电压信号和多个不同幅度的射频调制电压信号；对所述光信号、直流电压信号和多个不同幅度的射频调制电压信号进行调制处理，得到多个扰动电流信号；根据所述多个扰动电流信号和预先构造的基准正交函数，计算得到与所述基准正交函数对应的多个误差结果；基于所述多个误差结果确定射频半波电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110971306A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201911128524.8
申请日：2019-11-18
Applicant: 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 , 武汉光迅科技股份有限公司
IPC: H04B10/548
Abstract: 本发明实施例公开了一种偏压控制方法，包括：获取调制器的多个调相电极中每一调相电极对应的第一时刻的偏压控制点；获取与每一调相电极对应的第一锁定系数；基于每一调相电极对应的第一时刻的偏压控制点和第一锁定系数，确定每一调相电极对应第二时刻的偏压调节量，得到多个调相电极对应的多个第二时刻的偏压调节量；基于多个第一时刻的偏压调节量对调制器进行偏压控制。本发明实施例还公开了一种偏压控制装置、调制器和存储介质。
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公开(公告)号：CN114114719B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202111261636.8
申请日：2021-10-28
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种实现MZ硅光调制器相位偏置点锁定的方法及装置，方法包括：激光器的输出光信号通过光纤输入到MZ硅光调制器中；MZ硅光调制器通过分光的方式，将主光路分出的两路光信号导入相位相差180度的第一光电探测器和第二光电探测器中，主光路作为MZ硅光调制器的输出光信号的光路；第一光电探测器和第二光电探测器分别输出第一光电流和第二光电流，第一光电探测器用于探测MZ硅光调制器输出相位同向的光信号，第二光电探测器用于探测与MZ硅光调制器输出相位相差180度的多模干涉耦合器反向端的光信号；MZ硅光调制器进行Quad点或Null点锁定时，MZ硅光调制器中热光移相器的调节量由第一光电流、第二光电流和热光移相器热功率计算得到。
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公开(公告)号：CN116318417A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310277295.6
申请日：2023-03-17
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
IPC: H04B10/50 , H04B10/564 , H04B10/61
Abstract: 本发明涉及光纤技术领域，特别是涉及一种基于光电流探测的相干光模块的定标方法和装置。主要包括：对于相干光模块的发射端，根据探测光电流获取不同波长和不同温度下各通道的发射端响应度，根据当前波长和温度对应的发射端响应度以及目标出光功率计算当前状态下探测光电流的目标采样值，调节出光参数使发射端探测光电流的实际采样值接近目标采样值；对于相干光模块的接收端，根据不同偏振态的探测光电流获取不同波长和不同温度下每个偏振态对应的接收端响应度，根据当前波长和温度下的接收端响应度以及每个偏振态的探测光电流计算接收到的入光功率，调节接收参数使接计算出的入光功率接近实际入光功率。本发明可以提高相干光模块定标的效率和准确度。
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公开(公告)号：CN110596918B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN201910883568.5
申请日：2019-09-18
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
IPC: G02F1/03
Abstract: 本申请实施例公开了一种调制器的偏置工作点的控制方法，包括：根据所述调制器的固有特性，确定待施加在所述调制器的调相电极上的扰动信号；其中，所述扰动信号为特定时变周期性的电压信号；从所述调制器的输出端的输出信号中，检测与所述扰动信号的频率相同的信号分量；根据所述信号分量的幅度，调节所述初始偏置电压，以确定所述调制器的偏置工作点。本申请实施例还同时提供了一种调制器的偏置工作点的控制装置。
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公开(公告)号：CN110958050A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201911133888.5
申请日：2019-11-19
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
IPC: H04B10/073
Abstract: 本发明涉及光通信领域，具体涉及一种IQ调制器的子消光比测试的方法和系统，具体步骤为：遍历两和母MZI采样电压集合，查找两子路的ON点；将第二子路调制电压设置为该的ON点，遍历第一子路采样电压集合，对第一子路采样电压集合中的每一个调制电压，遍历母MZI采样电压集合，查找第一子路的OFF点，并获得第一子路OFF点对应的最大的MPD值和最小的MPD值，并使用同样方式获得第二子路OFF点对应的最大的MPD值和最小的MPD值；使用一个子路ON状态另一子路OFF状态对应的两组最大的MPD值和最小的MPD值，计算两个子路的子消光比。本发明可以测试任何功率的子MZI的子消光比，而且可以避免噪声影响导致的测试误差，测试方法相较现有技术更方便准确、应用场景更广泛。
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