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公开(公告)号：CN110518034A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910669498.3
申请日：2019-07-24
申请人： 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
摘要： 本揭示提供一种OLED显示屏及其制作方法、OLED显示装置，OLED显示屏包括阵列基板以及设置于阵列基板上的阴极结构；其中，阴极结构包括金属膜层，金属膜层包括第一金属膜层和第二金属膜层，第一金属膜层位于第一有效显示区内，第二金属膜层位于第二有效显示区内，金属膜层中至少第二金属膜层经过减薄处理，且第二金属膜层的厚度小于或等于第一金属膜层的厚度，通过调整阴极结构中的金属膜层在OLED显示屏中的不同区域的膜厚不同，并增加导电膜层以补偿金属膜层的导电能力，能够实现阴极结构在不同区域具有不同的光学透光率，达到现有阴极结构的导电能力，并且可将该阴极结构应用至屏下摄像头技术中，有利于提高OLED显示屏的屏占比。
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公开(公告)号：CN108022875A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201711239623.4
申请日：2017-11-30
申请人： 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
发明人： 孙涛
IPC分类号： H01L21/77 , H01L21/306 , H01L27/12
摘要： 本发明提供了一种薄膜晶体管的制作方法，其中形成背沟道的方法包括步骤：S21、在栅极绝缘层上叠层制作有源材料膜层、源漏极材料膜层和光阻材料膜层，获得蚀刻基板；S22、对蚀刻基板依次进行一次湿法蚀刻、一次干法蚀刻和烧光阻、二次湿法蚀刻，形成源漏极和光阻层；S23、采用第一刻蚀气体蚀刻有源材料膜层，形成背沟道；S24、采用第二刻蚀气体去除光阻层，获得薄膜晶体管。根据本发明的制作方法在进行背沟道蚀刻时可避免使用铜剥离液，而是通过合理搭配多种刻蚀气体的组分、用量等，在完成背沟道蚀刻和去光阻的同时，还避免了现有技术中的铜离子扩散以及铜剥离液中其他杂质离子的污染问题。本发明还提供了上述制作方法在阵列基板中的应用。
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公开(公告)号：CN107275377A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710513522.5
申请日：2017-06-28
申请人： 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
IPC分类号： H01L27/32
摘要： 本发明公开了一种OLED器件，包括基板，所述基板上设有多个OLED子像素，其中每两个相邻且颜色不同的所述OLED子像素之间设有绝缘的阻隔体，所述阻隔体用于阻挡两个所述OLED子像素之间的载流子扩散。本发明还公开了一种包括所述OLED器件的显示装置。本发明的方案能够防止相邻OLED子像素之间的发光串扰，避免了OLED子像素的色坐标偏移。
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公开(公告)号：CN110518034B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201910669498.3
申请日：2019-07-24
申请人： 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
摘要： 本揭示提供一种OLED显示屏及其制作方法、OLED显示装置，OLED显示屏包括阵列基板以及设置于阵列基板上的阴极结构；其中，阴极结构包括金属膜层，金属膜层包括第一金属膜层和第二金属膜层，第一金属膜层位于第一有效显示区内，第二金属膜层位于第二有效显示区内，金属膜层中至少第二金属膜层经过减薄处理，且第二金属膜层的厚度小于或等于第一金属膜层的厚度，通过调整阴极结构中的金属膜层在OLED显示屏中的不同区域的膜厚不同，并增加导电膜层以补偿金属膜层的导电能力，能够实现阴极结构在不同区域具有不同的光学透光率，达到现有阴极结构的导电能力，并且可将该阴极结构应用至屏下摄像头技术中，有利于提高OLED显示屏的屏占比。
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公开(公告)号：CN108022875B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201711239623.4
申请日：2017-11-30
申请人： 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
发明人： 孙涛
IPC分类号： H01L21/77 , H01L21/306 , H01L27/12
摘要： 本发明提供了一种薄膜晶体管的制作方法，其中形成背沟道的方法包括步骤：S21、在栅极绝缘层上叠层制作有源材料膜层、源漏极材料膜层和光阻材料膜层，获得蚀刻基板；S22、对蚀刻基板依次进行一次湿法蚀刻、一次干法蚀刻和烧光阻、二次湿法蚀刻，形成源漏极和光阻层；S23、采用第一刻蚀气体蚀刻有源材料膜层，形成背沟道；S24、采用第二刻蚀气体去除光阻层，获得薄膜晶体管。根据本发明的制作方法在进行背沟道蚀刻时可避免使用铜剥离液，而是通过合理搭配多种刻蚀气体的组分、用量等，在完成背沟道蚀刻和去光阻的同时，还避免了现有技术中的铜离子扩散以及铜剥离液中其他杂质离子的污染问题。本发明还提供了上述制作方法在阵列基板中的应用。
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公开(公告)号：CN108615822A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810404651.5
申请日：2018-04-28
申请人： 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种柔性OLED显示面板，包括：柔性基底、阵列设置于所述柔性基底上的像素单元以及覆设于所述像素单元上的薄膜封装层；其中，所述柔性基底上设置有水氧阻挡层，所述像素单元位于所述水氧阻挡层上，任意相邻的两个所述像素单元之间设置有间隔挡墙，所述间隔挡墙和所述水氧阻挡层为一体成型的结构；在所述柔性OLED显示面板的厚度方向上，所述间隔挡墙从所述水氧阻挡层延伸至所述薄膜封装层。本发明还公开了如上所述柔性OLED显示面板的制备方法以及包含所述柔性OLED显示面板的显示装置。本发明可以提高柔性OLED显示面板在被弯曲时的应力释放能力，提升柔性OLED显示面板的弯折性能。
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公开(公告)号：CN107275377B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201710513522.5
申请日：2017-06-28
申请人： 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
IPC分类号： H01L27/32
摘要： 本发明公开了一种OLED器件，包括基板，所述基板上设有多个OLED子像素，其中每两个相邻且颜色不同的所述OLED子像素之间设有绝缘的阻隔体，所述阻隔体用于阻挡两个所述OLED子像素之间的载流子扩散。本发明还公开了一种包括所述OLED器件的显示装置。本发明的方案能够防止相邻OLED子像素之间的发光串扰，避免了OLED子像素的色坐标偏移。
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