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公开(公告)号:CN106486571B
公开(公告)日:2018-10-26
申请号:CN201610968220.2
申请日:2016-10-26
申请人: 武汉大学
摘要: 本发明公开了一种高导热量子点薄膜的制备方法,包括:S1混合纳米级的半导体量子点、高聚物基体和第一有机溶剂,并使高聚物基体完全溶解于第一有机溶剂,获得量子点溶液;S2将量子点溶液转移至电纺丝设备的注射器中,利用电纺丝设备制备电纺丝膜;S3对电纺丝膜进行热压得到压实电纺丝膜;S4将压实电纺丝膜浸入LED封装胶中,真空脱泡后取出,经加热固化,即得到高导热量子点薄膜。本发明简单有效,环保经济,显著提高提升了量子点薄膜的导热性能,从而可改善量子点LED的散热性能和光色稳定性。
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公开(公告)号:CN106486571A
公开(公告)日:2017-03-08
申请号:CN201610968220.2
申请日:2016-10-26
申请人: 武汉大学
CPC分类号: H01L33/06 , H01L33/005 , H01L33/0083 , H01L33/26 , H01L33/28
摘要: 本发明公开了一种高导热量子点薄膜的制备方法,包括:S1混合纳米级的半导体量子点、高聚物基体和第一有机溶剂,并使高聚物基体完全溶解于第一有机溶剂,获得量子点溶液;S2将量子点溶液转移至电纺丝设备的注射器中,利用电纺丝设备制备电纺丝膜;S3对电纺丝膜进行热压得到压实电纺丝膜;S4将压实电纺丝膜浸入LED封装胶中,真空脱泡后取出,经加热固化,即得到高导热量子点薄膜。本发明简单有效,环保经济,显著提高提升了量子点薄膜的导热性能,从而可改善量子点LED的散热性能和光色稳定性。
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