公开(公告)号：CN102942178A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201210476861.8

申请日：2012-11-22

Applicant: 武汉大学

Inventor： 肖湘衡 ,  戴志高 ,  应见见 ,  任峰 ,  蒋昌忠

IPC: C01B31/04 ,  C23C14/04 ,  C23C14/14 ,  C23C16/26 ,  C23C16/01 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种贵金属纳米阵列与单层石墨烯复合基底及其制备方法，本发明方法为：将采用化学气相沉积法制备的单层石墨烯转移到贵金属纳米阵列上，并于50℃下保温30分钟，单层石墨烯即与贵金属纳米阵列牢固结合，形成贵金属纳米阵列与单层石墨烯复合基底。本发明方法简单容操作，原材料廉价，且所得复合基底大面积有序，本发明方法所得复合基底可应用在光电子器件，比如表面增强拉曼芯片，薄膜太阳能电池等领域。

公开(公告)号：CN102923647A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201210477364.X

申请日：2012-11-22

Applicant: 武汉大学

Inventor： 肖湘衡 ,  郑俊丰 ,  戴志高 ,  应见见 ,  任峰 ,  蒋昌忠

IPC: B82B3/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公布了一种间距与形貌可调控的金属纳米颗粒有序阵列的制备方法，该方法利用自组装紧密排布的纳米球层为模版，采用刻蚀法对纳米球自组装层进行刻蚀，改变纳米微球的间隙、尺寸大小和形貌；然后采用热蒸镀法在刻蚀后的纳米球层模板上沉积金属材料；去掉纳米球层后便可得到金属纳米颗粒有序阵列。本发明制备的金属纳米颗粒有序阵列排列整齐有序，呈现周期性重复，纳米颗粒大小基本一致。本发明方法技术可靠，工艺简单，成本低廉，可工业化生产高质量的间距与形貌可调控的有序排列的纳米颗粒。

公开(公告)号：CN102963883A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201210403067.0

申请日：2012-10-22

Applicant: 武汉大学

Inventor： 肖湘衡 ,  应见见 ,  戴志高 ,  任峰 ,  蒋昌忠

IPC: C01B31/04

Abstract: 本发明公开了一种石墨烯的制备方法。利用离子注入技术，将能量为40～80kV碳离子注入到通过磁控溅射在SiO2/Si衬底上生长一层厚度为200nm的Ni薄膜。通过调控注入离子剂量和退火工艺来制备石墨烯。注入剂量范围为4×1015～2.4×1016ions/cm2,退火温度为800～1000℃。本发明方法整个过程简单，仅仅需离子注入和热退火处理两个过程就可以，有利于大规模生产石墨烯。并且可以控制热处理条件来控制石墨烯的层数。