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公开(公告)号：CN119803649A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510162916.5
申请日：2025-02-14
Applicant: 武汉大学
IPC: G01H11/08
Abstract: 本发明公开了一种MEMS水声传感器及其制备方法，所述MEMS水声传感器包括带有凹槽的第一衬底，以及与所述第一衬底键合的第二衬底，还包括第二衬底的顶部设置的压电结构；所述压电结构包括依次设置的下电极层、压电层和上电极层；所述凹槽内设置有限位结构，所述第二衬底与所述第一衬底的凹槽形成空腔本发明在水声传感器的空腔中增加了限位结构，限制了水听器薄膜的形变程度。结果表明限位结构的增设，在不明显降低传感器的灵敏度的前提下，能够显著提高耐压性，能够保证水声传感器在深海高压下能保持较高灵敏度并稳定工作。
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