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公开(公告)号：CN115000360A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210429160.2
申请日：2022-04-22
申请人： 武汉理工大学 , 武汉理工大学深圳研究院
摘要： 本发明公开了一种P/SiOX/C复合电极材料及其制备方法与应用，所述制备方法包括：将乙烯基三甲氧基硅烷分散于盐酸/去离子水混合溶剂中，搅拌均匀形成凝胶；向所述凝胶中加入红磷，混合均匀后静置熟化，然后将上层清液移除，将下层固相物质烘干，得到块状混合物；将所述块状混合物在惰性气氛下进行烧结，将烧结产物进行球磨，即得到P/SiOX/C复合电极材料。本发明通过溶胶‑凝胶法制备P/SiOX/C复合电极材料，方法过程简单、反应条件温和、易于规模化生产，制备的P/SiOX/C复合电极材料在作为锂离子负极材料时，表现出优异的循环稳定性、倍率性能和高容量性能。
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公开(公告)号：CN115332524A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210933937.9
申请日：2022-08-04
申请人： 武汉理工大学 , 武汉理工大学深圳研究院
摘要： 本发明公开了一种TiO2/SiOx体相双连续结构电极材料及其制备方法与应用，所述TiO2/SiOx体相双连续结构电极材料包括第一连续结构和与所述第一连续结构插连的第二连续结构，所述第一连续结构为桥接的TiO2纳米颗粒，所述第二连续结构为SiOx纳米颗粒网络结构，其中，0.5＜x＜2，所述SiOx纳米颗粒的粒径小于所述TiO2纳米颗粒，所述TiO2纳米颗粒的粒径不大于10nm。本发明基于纳米尺度复合的双连续体相结构的独特优势，TiO2/SiOx体相双连续结构电极材料作为锂离子负极材料时，表现出优异的容量，快充性能和循环性能，是高容量、长循环寿命锂离子电池的潜在应用材料。
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公开(公告)号：CN115000360B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202210429160.2
申请日：2022-04-22
申请人： 武汉理工大学 , 武汉理工大学深圳研究院
摘要： 本发明公开了一种P/SiOX/C复合电极材料及其制备方法与应用，所述制备方法包括：将乙烯基三甲氧基硅烷分散于盐酸/去离子水混合溶剂中，搅拌均匀形成凝胶；向所述凝胶中加入红磷，混合均匀后静置熟化，然后将上层清液移除，将下层固相物质烘干，得到块状混合物；将所述块状混合物在惰性气氛下进行烧结，将烧结产物进行球磨，即得到P/SiOX/C复合电极材料。本发明通过溶胶‑凝胶法制备P/SiOX/C复合电极材料，方法过程简单、反应条件温和、易于规模化生产，制备的P/SiOX/C复合电极材料在作为锂离子负极材料时，表现出优异的循环稳定性、倍率性能和高容量性能。
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公开(公告)号：CN116053104A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310220175.2
申请日：2023-03-02
申请人： 武汉理工大学
IPC分类号： H01J37/147 , H01J37/09 , H01J37/26
摘要： 本申请公开了一种用于透射电子显微镜的电子束偏转脉冲发生装置，应用于透射电子显微镜的物镜系统中，包括方波脉冲模块和负脉冲发生模块；所述方波脉冲模块，用于根据待测样品的特性向所述负脉冲发生模块发送预设频率的方波触发脉冲信号；所述负脉冲发生模块，用于对所述方波触发脉冲信号进行波形处理，得到具有偏置电压的负脉冲输出信号；其中，所述负脉冲输出信号用于改变电子束的入射角度和入射电子数量。本发明可产生具有直流偏置电压且脉宽较窄的快速脉冲信号，使电子束在直流偏置电压的作用下发生偏转，而不辐照在样品上；当快速脉冲到来时，电子束在脉冲发生时的极短时间内辐照在样品上，能够对样品进行保护、延长样品的使用寿命。
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公开(公告)号：CN115275004A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210843363.6
申请日：2022-07-18
申请人： 武汉理工大学
摘要： 本发明属于半导体储存相关技术领域，提出了一种基于离子扩散和相变机制实现忆阻器忆阻的方法，所述忆阻器的结构包含上下电极层、中间功能层Ag2Te半导体，其特征在于：对所述忆阻器施加超低电压，引起Ag2Te半导体发生相变和离子扩散，进而引起阻变实现忆阻器忆阻。本发明设计了一种单向正脉冲电压信号输入模式，这能稳定实现阻变，不但避免了离子扩散带来的缺点，还使所述忆阻器的电阻可发生可控的高低阻态切换。
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公开(公告)号：CN115172735A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210884233.7
申请日：2022-07-25
申请人： 武汉理工大学
摘要： 本发明提出了一种利用铝掺杂改善五氧化二铌快充性能的方法，即结合简单的溶剂热和热处理工艺，通过铝掺杂和还原气氛处理引入了一定量的O2‑空位和低氧化态Nb4+，制备得到具有稳定快充性能的改性五氧化二铌材料，提高了离子导电性和电导率。由于铝离子对铌离子的取代，提高了五氧化二铌的晶格稳定性，降低了铌离子在电池循环中的不良跃迁，稳定了其快充过程中的容量，并提高了快充的循环稳定性。该改性五氧化二铌材料作为锂离子电池负极时，在20A g‑1的大电流密度下，经过9900次循环后仍可保持82mAh g‑1的可逆比容量，展现了在高倍率充放电过程中的长期稳定性。本发明为开发高容量、高结构稳定性的快充电极材料提供了一种很有潜力的方法。
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公开(公告)号：CN116553620A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310424330.2
申请日：2023-04-19
申请人： 武汉理工大学
摘要： 本发明公开了一种高熵尖晶石氧化物材料及其制备方法和应用。该材料的化学式为LiAxMn2‑xO4，A元素为掺杂元素，包含Li，Mg，Al，Ti，V，Cr，Fe，Co，Ni，Cu，Zn中的五种以上，其中，x取值为0.05‑0.15；按原子百分比计，单个掺杂元素占所有掺杂元素和锰元素总原子数的0.5‑2％。该材料用作锂离子电池正极活性材料时，在急速充放电时依然具有优异的倍率性能和循环稳定性，相较于商用LiMn2O4正极材料，该高熵尖晶石的倍率性能有显著的优势，能达到10C倍率下的极速充放电电池正极材料的要求，实现了极速充放电电池的构筑，具有重要的工业应用价值。
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公开(公告)号：CN113437216A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110760585.7
申请日：2021-07-06
申请人： 武汉理工大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明属于半导体储存相关技术领域，提出了一种基于电子‑离子混合导体的忆阻器及其制备方法。所述忆阻器自下而上包括衬底、底电极、阻变层及顶电极；所述阻变层为电子‑离子混合导体，具体为Cu2Se、Cu2S、Cu2Te、Ag2Se、Ag2S、Ag2Te、Zn4Sb3、AgCrSe2、CuCrSe2、Ag8MX6 (M=Sn,Ge,Si;X=Te,Se,S)、Ag9AlSe6、Ag9GaSe6中的一种。所述阻变层在外加电压作用下会发生取向畴的可逆转变，从而使所述忆阻器的电阻发生高低阻态的切换。本发明提出了该忆阻器的制备方法，所述制备方法选用真空蒸镀、磁控溅射、激光脉冲沉积或电子束蒸发中的一种。本发明丰富了忆阻器的种类，在存储器和仿生物突触领域具有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN114583120B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202111607424.0
申请日：2021-12-27
申请人： 武汉理工大学
摘要： 本发明属于锂离子电池技术领域，具体涉及一种富锂材料表面设计和构筑具有金属离子成分梯度结构的方法，主要包括以下几个步骤：1)将适量的富锂材料与适量的有机配体混合；2)将上述混合物放置于真空条件下进行加热反应；3)将上一步得到的产物在空气或氧气气氛下热处理得到改性后的富锂材料。利用金属有机框架材料驱动的原位钴富集表面修饰优化富锂材料，作为锂离子电池正极材料时，显著提升了其首圈库伦效率、循环和倍率性能，在0.4C(1C＝250mAh g‑1)的电流密度下，具有200mAh g‑1的可逆比容量，容量保持率可达90％；在1C的电流密度下，仍具有190mAh g‑1的可逆比容量。
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公开(公告)号：CN112723874B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202110062203.3
申请日：2021-01-18
申请人： 武汉理工大学
IPC分类号： C04B35/453 , C04B35/622 , C04B35/63 , C04B35/645
摘要： 本发明公开了一种优化BiCuSeO基热电材料性能的方法及其织构助剂，它是以Bi2O3粉、Bi粉、Cu粉、Se粉等为原料制备BiCuSeO基体，采用Cu2Se作为助剂促进织构组织的发生，将BiCuSeO基体与Cu2Se按一定的化学计量比混合，进行放电等离子体烧结得到具有显著织构组织的BiCuSeO基块体热电材料，此织构组织可显著优化BiCuSeO基块体热电材料的性能。本发明首次公开了Cu2Se作为织构助剂，通过促进材料织构组织的形成协同优化BiCuSeO基材料热电性能的方法。该方法制备时间短、工艺简单、对设备要求低、节能环保、适合规模化生产等优点，为BiCuSeO基化合物的规模化制备和大规模应用奠定了良好的基础。
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