公开(公告)号：CN110371978B

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN201910585616.2

申请日：2019-07-01

申请人： 武汉科技大学

发明人： 余超 ,  万航 ,  丁军 ,  邓承继 ,  祝洪喜

IPC分类号： C01B32/914 ,  C01B21/072

摘要： 本发明涉及一种基于Cr2AlC的Cr3C2‑AlN复合粉体及其制备方法。其技术方案是：将Cr2AlC粉体置入石墨坩埚，再将所述石墨坩埚放入气氛炉，抽真空至真空度≤100Pa，充入氮气，然后将所述气氛炉升温至1000～1600℃，保温0.5～5h，自然冷却至室温，制得基于Cr2AlC的Cr3C2‑AlN复合粉体。所述Cr2AlC粉体的纯度≥99.0wt％；Cr2AlC粉体的粒度≤150μm。所述氮气的纯度≥98.5％。本发明热处理时间短、工艺简单和能实现所述Cr3C2‑AlN复合粉体微米至纳米级别的粒径可控，所制备的基于Cr2AlC的Cr3C2‑AlN复合粉体纯度高和分散性好。

公开(公告)号：CN110371978A

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201910585616.2

申请日：2019-07-01

申请人： 武汉科技大学

发明人： 余超 ,  万航 ,  丁军 ,  邓承继 ,  祝洪喜

IPC分类号： C01B32/914 ,  C01B21/072

摘要： 本发明涉及一种基于Cr2AlC的Cr3C2-AlN复合粉体及其制备方法。其技术方案是：将Cr2AlC粉体置入石墨坩埚，再将所述石墨坩埚放入气氛炉，抽真空至真空度≤100Pa，充入氮气，然后将所述气氛炉升温至1000～1600℃，保温0.5～5h，自然冷却至室温，制得基于Cr2AlC的Cr3C2-AlN复合粉体。所述Cr2AlC粉体的纯度≥99.0wt％；Cr2AlC粉体的粒度≤150μm。所述氮气的纯度≥98.5％。本发明热处理时间短、工艺简单和能实现所述Cr3C2-AlN复合粉体微米至纳米级别的粒径可控，所制备的基于Cr2AlC的Cr3C2-AlN复合粉体纯度高和分散性好。