公开(公告)号：CN109408910A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201811167785.6

申请日：2018-10-08

申请人： 武汉科技大学

发明人： 甘朝晖 ,  余磊 ,  蒋旻

IPC分类号： G06F17/50

摘要： 本发明涉及一种浮地型分数阶忆阻器的等效电路及其使用方法。其技术方案是：浮地型分数阶忆阻器的等效电路施加激励电压v(t)后通过放大模块(8)、压控移相器(6)、频率/电压转换器(23)等23个模块的作用，能精确模拟分数阶忆阻器的电气特性且精度高，同时能保证通过浮地型分数阶忆阻器的等效电路的端子A和端子D的电流相等；引入的分数阶忆阻器阶次的控制信号α＇能改变分数阶忆阻器的阶次，引入的分数阶忆阻器状态变量初始值的控制信号x0＇能改变分数阶忆阻器状态变量的初始值。浮地型分数阶忆阻器的等效电路的分数阶阶次和分数阶忆阻器状态变量初始值调整方便和易于控制，使用时等效电路的端子A和端子D都能与其他电路中的元件进行任意连接。

公开(公告)号：CN113705134A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202110988802.8

申请日：2021-08-26

申请人： 武汉科技大学

发明人： 尚涛 ,  甘朝晖 ,  余磊

IPC分类号： G06F30/32

摘要： 本发明具体涉及一种浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路。其技术方案是：浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路由四个电流传输器和五个阻抗元件组成，结构简单，在不改变电路拓扑结构的情况下，通过改变第一阻抗元件(3)、第二阻抗元件(5)、第三阻抗元件(1)、第四阻抗元件(6)和第五阻抗元件(8)的元件类型，能将任意一种接地型分数阶记忆元件转换成任意一种浮地型分数阶记忆元件，通用性强；浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路在端子A和端子B之间施加激励电压信号v(t)后，能够保证端子A的电流i1(t)和端子B的电流i2(t)相等，使用时浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路的端子A和端子B都能与其他电路中的元件进行任意连接，灵活性高。

公开(公告)号：CN109408910B

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN201811167785.6

申请日：2018-10-08

申请人： 武汉科技大学

发明人： 甘朝晖 ,  余磊 ,  蒋旻

IPC分类号： G06F30/30

摘要： 本发明涉及一种浮地型分数阶忆阻器的等效电路及其使用方法。其技术方案是：浮地型分数阶忆阻器的等效电路施加激励电压v(t)后通过放大模块(8)、压控移相器(6)、频率/电压转换器(23)等23个模块的作用，能精确模拟分数阶忆阻器的电气特性且精度高，同时能保证通过浮地型分数阶忆阻器的等效电路的端子A和端子D的电流相等；引入的分数阶忆阻器阶次的控制信号α＇能改变分数阶忆阻器的阶次，引入的分数阶忆阻器状态变量初始值的控制信号x0＇能改变分数阶忆阻器状态变量的初始值。浮地型分数阶忆阻器的等效电路的分数阶阶次和分数阶忆阻器状态变量初始值调整方便和易于控制，使用时等效电路的端子A和端子D都能与其他电路中的元件进行任意连接。