一种氮氧化物传感器芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN104931559A

    公开(公告)日:2015-09-23

    申请号:CN201510376504.8

    申请日:2015-07-01

    IPC分类号: G01N27/26

    摘要: 本发明涉及一种氮氧化物传感器芯片及其制备方法。其技术方案是:采用丝网印刷方式分次将加热电阻(1)、氮氧化物浓差电池(2)和STF氧敏电阻(3)中的各元件用对应的浆料印刷在氧化铝基片(4)的表面,每次印刷后采用相应的工艺进行烧结,制得氮氧化物传感器芯片。本发明制备的氮氧化物传感器芯片与现有技术相比,具有制备简单和成本低的特点,所制备的氮氧化物传感器芯片测量效果好和能同时测量氮氧化物含量和氧含量。

    一种氮氧化物传感器芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN104931559B

    公开(公告)日:2017-12-26

    申请号:CN201510376504.8

    申请日:2015-07-01

    IPC分类号: G01N27/26

    摘要: 本发明涉及一种氮氧化物传感器芯片及其制备方法。其技术方案是:采用丝网印刷方式分次将加热电阻(1)、氮氧化物浓差电池(2)和STF氧敏电阻(3)中的各元件用对应的浆料印刷在氧化铝基片(4)的表面,每次印刷后采用相应的工艺进行烧结,制得氮氧化物传感器芯片。本发明制备的氮氧化物传感器芯片与现有技术相比,具有制备简单和成本低的特点,所制备的氮氧化物传感器芯片测量效果好和能同时测量氮氧化物含量和氧含量。