公开(公告)号：CN103311426A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201310253561.8

申请日：2013-06-24

Applicant: 武汉科技大学

Inventor： 樊希安 ,  蔡新志 ,  荣振洲 ,  杨帆 ,  吴朝阳 ,  陆磊 ,  李光强

IPC: H01L35/18 ,  H01L35/34 ,  C22C1/03

Abstract: 本发明涉及一种用制冷晶棒加工废料制备N型Bi2Te3基热电材料的方法。其技术方案是：先将制冷晶棒的加工废料研磨，洗涤，烘干；将烘干后的粉末置入气体还原炉内，通入还原气体与惰性气体的混合气体，再将气体还原炉升温至200～550℃，保温1.0～5.0h，降温至室温，即得脱除杂质的制冷晶棒加工废料。然后将其放入石英管内，按N型Bi2Te3基热电材料的化学式（BixSb2-xTe3-ySey，其中1.5≤x≤2.0，0.1≤y≤0.7）添加纯度大于99.9wt%的Bi、Te、Sb和Se原料。最后对石英管抽真空封装，放入加热炉内熔炼，熔炼温度为580～850℃，保温0.5～5.0h，随炉冷却，取出石英管内的合金锭，即得N型Bi2Te3基热电材料。本发明具有工艺简单、回收周期短、环境污染小和成本低的特点。

公开(公告)号：CN103318852B

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201310252792.7

申请日：2013-06-24

Applicant: 武汉科技大学

Inventor： 樊希安 ,  蔡新志 ,  荣振洲 ,  杨帆 ,  吴朝阳 ,  陆磊 ,  李光强

IPC: C01B19/00

Abstract: 本发明涉及一种用制冷晶棒加工废料制备P型Bi2Te3基热电材料的方法。其技术方案是：先将制冷晶棒的加工废料研磨，洗涤，烘干；将烘干后的粉末置入气体还原炉内，通入还原气体与惰性气体的混合气体，再将气体还原炉升温至200～550℃，保温1.0～5.0h，降温至室温，即得脱除杂质的制冷晶棒加工废料。然后将其放入石英管内，按P型Bi2Te3基热电材料的化学式（BixSb2-xTe3-ySey，其中0.3≤x≤0.6，y≤0.7）添加纯度大于99.9wt%的Bi、Te、Sb和Se原料。最后对石英管进行抽真空封装，放入加热炉内熔炼，熔炼温度为580～850℃，保温0.5～5.0h，随炉冷却，取出石英管内的合金锭，即得P型Bi2Te3基热电材料。本发明具有工艺简单、回收周期短、环境污染小和成本低的特点。

公开(公告)号：CN103311426B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201310253561.8

申请日：2013-06-24

Applicant: 武汉科技大学

Inventor： 樊希安 ,  蔡新志 ,  荣振洲 ,  杨帆 ,  吴朝阳 ,  陆磊 ,  李光强

IPC: H01L35/18 ,  H01L35/34 ,  C22C1/03

Abstract: 本发明涉及一种用制冷晶棒加工废料制备N型Bi2Te3基热电材料的方法。其技术方案是：先将制冷晶棒的加工废料研磨，洗涤，烘干；将烘干后的粉末置入气体还原炉内，通入还原气体与惰性气体的混合气体，再将气体还原炉升温至200～550℃，保温1.0～5.0h，降温至室温，即得脱除杂质的制冷晶棒加工废料。然后将其放入石英管内，按N型Bi2Te3基热电材料的化学式（BixSb2-xTe3-ySey，其中1.5≤x≤2.0，0.1≤y≤0.7）添加纯度大于99.9wt%的Bi、Te、Sb和Se原料。最后对石英管抽真空封装，放入加热炉内熔炼，熔炼温度为580～850℃，保温0.5～5.0h，随炉冷却，取出石英管内的合金锭，即得N型Bi2Te3基热电材料。本发明具有工艺简单、回收周期短、环境污染小和成本低的特点。

公开(公告)号：CN103042222B

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201310033505.3

申请日：2013-01-29

Applicant: 武汉科技大学

Inventor： 樊希安 ,  吴朝阳 ,  李光强 ,  甘章华 ,  蔡新志 ,  陆磊 ,  杨帆 ,  侯延辉

IPC: B22F9/08

Abstract: 本发明涉及一种基于静电喷射的细晶粉末制备装置。其技术方案是：空心支杆(6)的下端通过变径密封接头(11)与石英坩埚(12)的上端联接，空心支杆(6)的上端穿过升降孔通过法兰(3)与升降机构(1)联接。在耐高温保护层(21)的内壁均匀地固定有4~8根发热体(22)，靠近炉体(8)下部的中心处装有水冷接收铜板(15)，水冷接收铜板(15)的正上方设置有感应加热线圈(13)。空心支杆(6)内设有刚玉绝缘保护管(5)，导电电极(2)的一端通过导线外接直流高压电源(25)正极，另一端从刚玉绝缘保护管(5)中穿出与石英坩埚(12)的底部接触；本发明具有投资少、效率高、操作简单和快速凝固的特点，能方便控制粉末形貌和显微结构，所制备的粉末粒径分布窄、晶粒细小和纯净度高。

公开(公告)号：CN103318852A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310252792.7

申请日：2013-06-24

Applicant: 武汉科技大学

Inventor： 樊希安 ,  蔡新志 ,  荣振洲 ,  杨帆 ,  吴朝阳 ,  陆磊 ,  李光强

IPC: C01B19/00

Abstract: 本发明涉及一种用制冷晶棒加工废料制备P型Bi2Te3基热电材料的方法。其技术方案是：先将制冷晶棒的加工废料研磨，洗涤，烘干；将烘干后的粉末置入气体还原炉内，通入还原气体与惰性气体的混合气体，再将气体还原炉升温至200～550℃，保温1.0～5.0h，降温至室温，即得脱除杂质的制冷晶棒加工废料。然后将其放入石英管内，按P型Bi2Te3基热电材料的化学式（BixSb2-xTe3-ySey，其中0.3≤x≤0.6，y≤0.7）添加纯度大于99.9wt%的Bi、Te、Sb和Se原料。最后对石英管进行抽真空封装，放入加热炉内熔炼，熔炼温度为580～850℃，保温0.5～5.0h，随炉冷却，取出石英管内的合金锭，即得P型Bi2Te3基热电材料。本发明具有工艺简单、回收周期短、环境污染小和成本低的特点。

公开(公告)号：CN103042222A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201310033505.3

申请日：2013-01-29

Applicant: 武汉科技大学

Inventor： 樊希安 ,  吴朝阳 ,  李光强 ,  甘章华 ,  蔡新志 ,  陆磊 ,  杨帆 ,  侯延辉

IPC: B22F9/08

Abstract: 本发明涉及一种基于静电喷射的细晶粉末制备装置。其技术方案是：空心支杆(6)的下端通过变径密封接头(11)与石英坩埚(12)的上端联接，空心支杆(6)的上端穿过升降孔通过法兰(3)与升降机构(1)联接。在耐高温保护层(21)的内壁均匀地固定有4~8根发热体(22)，靠近炉体(8)下部的中心处装有水冷接收铜板(15)，水冷接收铜板(15)的正上方设置有感应加热线圈(13)。空心支杆(6)内设有刚玉绝缘保护管(5)，导电电极(2)的一端通过导线外接直流高压电源(25)正极，另一端从刚玉绝缘保护管(5)中穿出与石英坩埚(12)的底部接触；本发明具有投资少、效率高、操作简单和快速凝固的特点，能方便控制粉末形貌和显微结构，所制备的粉末粒径分布窄、晶粒细小和纯净度高。

公开(公告)号：CN203044900U

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201320048238.2

申请日：2013-01-29

Applicant: 武汉科技大学

Inventor： 樊希安 ,  吴朝阳 ,  李光强 ,  甘章华 ,  蔡新志 ,  陆磊 ,  杨帆 ,  侯延辉

IPC: B22F9/08

Abstract: 本实用新型涉及一种非晶/纳米晶金属粉末的制备装置。其技术方案是：空心支杆(6)的下端通过变径密封接头(11)与石英坩埚(12)的上端联接，空心支杆(6)的上端穿过升降孔通过法兰(3)与升降机构(1)联接。在耐高温保护层(21)的内壁均匀地固定有4~8根发热体(22)，靠近炉体(8)下部的中心处装有水冷接收铜板(15)，水冷接收铜板(15)的正上方设置有感应加热线圈(13)。空心支杆(6)内设有刚玉绝缘保护管(5)，导电电极(2)的一端通过导线外接直流高压电源(25)正极，另一端从刚玉绝缘保护管(5)中穿出与石英坩埚(12)的底部接触；本实用新型具有投资少、效率高、操作简单和快速凝固的特点，能方便控制粉末形貌和显微结构，所制备的粉末粒径分布窄、晶粒细小和纯净度高。