公开(公告)号：CN109133986B

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201811229600.X

申请日：2018-10-22

申请人： 武汉科技大学

发明人： 余超 ,  邢广超 ,  丁军 ,  邓承继 ,  祝洪喜

IPC分类号： C04B38/10 ,  C04B35/581 ,  C04B35/565

摘要： 本发明涉及一种基于发泡法的AlN‑SiC多孔复合陶瓷及其制备方法。其技术方案是：按Al4SiC4粉∶去离子水的质量比为1∶(0.15～0.3)配料，搅拌，得到Al4SiC4浆料。再按所述Al4SiC4粉∶泡沫稳定剂∶发泡剂∶表面活性剂的质量比为1∶(0.01～0.025)∶(0.0125～0.025)∶(0.01～0.02)，将泡沫稳定剂、发泡剂和表面活性剂混合，加入去离子水，搅拌，得到泡沫。将泡沫倒入Al4SiC4浆料中，搅拌，于模具中静置，干燥，脱模，在氮气气氛和1200～1500℃保温60～300min，冷却，即得基于发泡法的AlN‑SiC多孔复合陶瓷。本发明具有工艺简单和制备温度低的特点，所制备的AlN‑SiC多孔复合陶瓷局部化学成分均匀、机械强度高和生成的AlN晶须尺寸可控。

公开(公告)号：CN109133986A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201811229600.X

申请日：2018-10-22

申请人： 武汉科技大学

发明人： 余超 ,  邢广超 ,  丁军 ,  邓承继 ,  祝洪喜

IPC分类号： C04B38/10 ,  C04B35/581 ,  C04B35/565

CPC分类号： C04B38/10 ,  C04B35/565 ,  C04B35/581 ,  C04B2235/6567

摘要： 本发明涉及一种基于发泡法的AlN‑SiC多孔复合陶瓷及其制备方法。其技术方案是：按Al4SiC4粉∶去离子水的质量比为1∶(0.15～0.3)配料，搅拌，得到Al4SiC4浆料。再按所述Al4SiC4粉∶泡沫稳定剂∶发泡剂∶表面活性剂的质量比为1∶(0.01～0.025)∶(0.0125～0.025)∶(0.01～0.02)，将泡沫稳定剂、发泡剂和表面活性剂混合，加入去离子水，搅拌，得到泡沫。将泡沫倒入Al4SiC4浆料中，搅拌，于模具中静置，干燥，脱模，在氮气气氛和1200～1500℃保温60～300min，冷却，即得基于发泡法的AlN‑SiC多孔复合陶瓷。本发明具有工艺简单和制备温度低的特点，所制备的AlN‑SiC多孔复合陶瓷局部化学成分均匀、机械强度高和生成的AlN晶须尺寸可控。