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公开(公告)号：CN111366087B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202010275953.4
申请日：2020-04-09
申请人： 武汉颐光科技有限公司 , 华中科技大学
IPC分类号： G01B11/06
摘要： 本发明涉及光学薄膜测量技术领域，特别涉及一种可局部测量的显微成像膜厚测量装置，包括：光路组件、载物组件及机架组件，载物组件设置在机架组件上；光路组件连接在机架组件上；光路组件用于对载物组件上的薄膜进行光学测量。本发明提供的可局部测量的显微成像膜厚测量装置，光源可同时作为测量光源和照明光源，不仅能发出测量光束，同时能提供对测量区域标记的光束，不需要另外设置照明光源，可避免对测量光源带来杂散光，提高了测量结果的准确性。
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公开(公告)号：CN111426275B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202010276441.X
申请日：2020-04-09
申请人： 武汉颐光科技有限公司 , 华中科技大学
IPC分类号： G01B11/06
摘要： 本发明涉及光学测量技术领域，特别涉及一种薄膜的测量方法，通过将黑样件放在样品台上，测量反射率谱为0的黑样件反射光强谱；将厚度已知的测量样件放在样品台上进行测量，利用光谱仪获取标准样件的反射光强谱；测量标准样件时对应的黑样光强；找到局部测量区域后关闭照明光源，利用光谱仪获取待测样件的反射光强谱；计算待测样件的实际测量反射率谱；假定待测样件的膜厚序列，通过计算获取相对应的反射率谱序列；通过表达拟合程度，拟合程度最佳时所对应的厚度d为待测样件膜厚。本发明提供的薄膜的测量方法，可实现对样品的局部区域精确测量。
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公开(公告)号：CN111426275A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010276441.X
申请日：2020-04-09
申请人： 武汉颐光科技有限公司 , 华中科技大学
IPC分类号： G01B11/06
摘要： 本发明涉及光学测量技术领域，特别涉及一种薄膜的测量方法，通过将黑样件放在样品台上，测量反射率谱为0的黑样件反射光强谱；将厚度已知的测量样件放在样品台上进行测量，利用光谱仪获取标准样件的反射光强谱；测量标准样件时对应的黑样光强；找到局部测量区域后关闭照明光源，利用光谱仪获取待测样件的反射光强谱；计算待测样件的实际测量反射率谱；假定待测样件的膜厚序列，通过计算获取相对应的反射率谱序列；通过表达拟合程度，拟合程度最佳时所对应的厚度d为待测样件膜厚。本发明提供的薄膜的测量方法，可实现对样品的局部区域精确测量。
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公开(公告)号：CN109580054A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811448151.8
申请日：2018-11-30
申请人： 武汉颐光科技有限公司 , 华中科技大学
IPC分类号： G01L1/24
摘要： 本发明属于应力检测领域，并公开了一种透明物体应力测量仪及其方法。该测量仪包括底座和设置在底座上方的波片和检偏镜，底座用于放置待测量的样件，该底座内部设置有光源、匀光板和起偏镜，匀光板设置在光源上方，用于将光源发出的光均匀化，起偏镜设置中匀光板上方，用于将从匀光板出射的光转化为线偏振光；波片设置在待测量样件的上方，从匀光板出射的线偏振光经待测量样件后转化为椭圆偏振光，波片用于将该椭圆偏振光重新转化为线偏振光，检偏镜设置在波片上方，其通过旋转寻找将待测量样件置于底座上后检偏镜中的消光态，其旋转的角度即为所需测量的角度。通过本发明，操作简便、测量快捷，测量光路简洁，整体结构紧凑，适用范围广。
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公开(公告)号：CN109580551A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811455824.2
申请日：2018-11-30
申请人： 武汉颐光科技有限公司 , 华中科技大学
摘要： 本发明属于检测与测量领域，并公开了一种傅里叶变换红外穆勒矩阵椭偏仪及其测量方法。该椭偏仪包括光源调制模块、起偏调制模块、检偏调制模块、样品台和控制模块，其中：光源调制模块包括红外光源、迈克尔逊干涉仪和离轴抛物镜，起偏调制模块包括起偏器和第一旋转相位延迟器；样品台上方摆放待测样品；检偏调制模块包括第二旋转相位延迟器、检偏器和红外光电探测器；控制模块包括电机驱动控制器和计算机。本发明通过引入傅里叶变换仪可以实现红外光谱范围的快速准确测量；并且选用双菱形菲涅尔棱镜能够实现全光谱范围内消色差的功能；此外，本发明通过使用步进式双旋转相位延迟器的调制方式，可以在一次测量中获得待测样品的全穆勒矩阵信息。
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公开(公告)号：CN111366087A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010275953.4
申请日：2020-04-09
申请人： 武汉颐光科技有限公司 , 华中科技大学
IPC分类号： G01B11/06
摘要： 本发明涉及光学薄膜测量技术领域，特别涉及一种可局部测量的显微成像膜厚测量装置，包括：光路组件、载物组件及机架组件，载物组件设置在机架组件上；光路组件连接在机架组件上；光路组件用于对载物组件上的薄膜进行光学测量。本发明提供的可局部测量的显微成像膜厚测量装置，光源可同时作为测量光源和照明光源，不仅能发出测量光束，同时能提供对测量区域标记的光束，不需要另外设置照明光源，可避免对测量光源带来杂散光，提高了测量结果的准确性。
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公开(公告)号：CN115728245B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202211233199.3
申请日：2022-10-10
申请人： 武汉颐光科技有限公司
摘要： 本发明提供一种椭偏仪全局参数校准方法及校准系统，方法包括：获取标准样件的测量光强信号，进行傅里叶分析，计算全光谱范围下的测量傅里叶系数；根据椭偏仪的结构参数，计算其偏振特性参数；根据偏振特性参数和全局参数，计算理论傅里叶系数；计算理论傅里叶系数和所述测量傅里叶系数之间的评价函数，通过不断调整待校准双旋转补偿器型穆勒矩阵椭偏仪的结构参数和全局参数，迭代更新评价函数，直到评价函数小于设定阈值，获取校准后的全局参数。本发明提出的双旋转补偿器型穆勒矩阵椭偏仪系统参数的全局校准算法，只需要一次校准就能获得全光谱范围的系统参数，同时得到真实的安装方位角参数，有助于降低仪器出厂的系统差异。
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公开(公告)号：CN112345460B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202011098802.2
申请日：2020-10-14
申请人： 武汉颐光科技有限公司
摘要： 本发明提供一种穆勒矩阵椭偏仪的双旋转与高产率模式切换方法及系统，首先使双补偿器型穆勒矩阵椭偏仪工作在双旋转模式下，计算获得系统参数；然后关停起偏臂或检偏臂端电机，重新校准部分系统参数；最后更新系统参数，双补偿器型穆勒矩阵椭偏仪成功从双旋转模式切换为高产率模式。本发明通过将双补偿器型穆勒矩阵椭偏仪设定为双旋转模式获得大部分系统参数后，在不对仪器本身系统结构做任何改变的情况下，停掉起偏臂或检偏臂端低速电机，更新部分系统参数即可成功切换为高产率模式，通过让穆勒矩阵椭偏仪灵活切换为双旋转模式或高产率模式，使其根据实际工业需求满足高精度或高产率的测量要求。
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公开(公告)号：CN117191745A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311079546.6
申请日：2023-08-24
申请人： 武汉颐光科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种薄膜测量中正向建模快速退偏的方法，其方法包括：获取一组测量光谱的波长序列，通过正向建模，得到所述波长序列的每个波长点对应的第一斯托克向量；根据预设的高斯节点个数，计算节点序列以及每个节点的权重值；基于所述节点序列和预设退偏参数，对所述波长序列的每个波长点进行退偏，得到多个退偏波长点；基于每个退偏波长点对应的第一斯托克向量，通过插值法计算所述多个退偏波长点对应的斯托克向量序列；基于所述多个退偏波长点的斯托克向量序列和对应节点的权重，计算所述波长点退偏后的正向建模光谱。本发明通过拉格朗日插值法和高斯函数，对斯托克向量更新和退偏正向建模方式重构，提高薄膜结构的正向建模退偏的计算速度。
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公开(公告)号：CN116182720A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211575088.0
申请日：2022-12-08
申请人： 武汉颐光科技有限公司
IPC分类号： G01B11/06
摘要： 本发明提供一种基于波长校准的样件厚度测量方法，椭偏系统通过逐波长校准的方式获得样品所需信息，但光谱仪波长标定存在偏差，使用光谱仪获取的光强信号与标定的波长非一一对应，波长的偏差通过校准过程全传递给样件厚度，影响最终的测量结果。本发明通过逐波长校准方式修正光强信号中的波长，并获取校准后的系统参数等信息，最终提升整个椭偏系统参数的校准精度以及样件厚度的测量精度。
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