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公开(公告)号：CN117174725A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311017159.X
申请日：2023-08-14
申请人： 武汉鲲鹏微纳光电有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L23/10 , H01L21/50 , H01L21/56
摘要： 本发明属于半导体封装技术领域，具体涉及一种芯片封装结构，包括芯片以及盖板，芯片的键合面和盖板的键合面上均设置有金属层，金属层之间通过金属间化合物层连接。本发明可以在相互键合的两个键合面上分别镀高熔点金属材料，并在其中一个键合面的高熔点金属材料上镀低熔点金属材料，通过熔融低熔点金属材料，使低熔点金属材料熔融后向两侧的高熔点金属材料中扩散以形成金属间化合物层，高熔点金属材料残留一定厚度作为金属层，通过金属间化合物层将两侧的金属层连在一起，实现芯片的封装，不仅可以在低温下键合，工艺成本低，而且金属间化合物熔点高，封装结构可以在高温下使用，适用范围更广。
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公开(公告)号：CN117163917A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311003350.9
申请日：2023-08-10
申请人： 武汉鲲鹏微纳光电有限公司
摘要： 本发明涉及半导体真空封装技术领域，具体涉及一种MEMS真空封装结构及封装方法，包括如下步骤：S1、制作封装结构，封装结构包括封装壳体以及被封装于封装壳体中的MEMS元件和吸气剂，且吸气剂被罩设于吸气剂保护罩中；S2、破坏吸气剂保护罩，使吸气剂暴露于封装壳体的内部环境中；S3、激活吸气剂，实现真空封装。本发明在吸气剂外设置吸气剂保护罩，起到保护吸气剂的作用，使吸气剂在封装结构制作过程中不受污染；同时在封装结构制作完成后，破坏吸气剂保护罩，使吸气剂暴露在封装壳体内部环境中，未经污染的吸气剂在激活后，可充分发挥其吸气性能，保证真空封装可靠性。
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公开(公告)号：CN117163914A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311003413.0
申请日：2023-08-10
申请人： 武汉鲲鹏微纳光电有限公司
IPC分类号： B81B7/02
摘要： 本发明涉及半导体真空封装技术领域，具体涉及一种MEMS封装结构及MEMS真空封装结构，包括封装壳体以及被封装于所述封装壳体中的MEMS元件和吸气剂，所述吸气剂被罩设于吸气剂保护罩中，所述吸气剂保护罩包括可破坏区，用于在外部作用下被破坏并使所述吸气剂暴露在所述封装壳体的内部环境中。本发明在吸气剂外设置吸气剂保护罩，起到保护吸气剂的作用，使吸气剂在工艺过程中不受污染；同时在吸气剂保护罩上设置可破坏区，在牺牲层释放完成后，将可破坏区通过外部作用破坏，形成连通吸气剂与封装壳体内部环境的通道，使吸气剂暴露在封装壳体的内部环境中，未经污染的吸气剂在激活后，可充分发挥其吸气性能，保证真空封装可靠性。
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公开(公告)号：CN117174724A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311017114.2
申请日：2023-08-14
申请人： 武汉鲲鹏微纳光电有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/50 , H01L21/56
摘要： 本发明涉及半导体封装技术领域，具体涉及一种晶圆级封装方法及封装结构，包括如下步骤：S1、将盖板晶圆和芯片晶圆键合：先在相互键合的两个第一键合面上分别镀第一金属层，并在其中一个第一金属层上镀第二金属层，将两个第一键合面对准，然后熔融第二金属层，将两侧的第一金属层连接；S2、划片，得到晶圆级封装结构。本发明通过熔融第二金属层，将两侧的第一金属层连接，从而实现盖板晶圆和芯片晶圆的键合，不仅工艺简单、成本低，而且适用于工业大批量生产。
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