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公开(公告)号：CN114230359B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202010940503.2
申请日：2020-09-09
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: C04B37/00
Abstract: 本申请提供了一种陶瓷覆铜板的制备方法，包括：对铜箔进行湿法氧化，在铜箔的两侧表面形成铜氧化物层；将湿法氧化后的铜箔与陶瓷基板进行高温覆接，以在陶瓷覆铜板的至少一侧表面形成铜层，得到陶瓷覆铜基材；铜层的非覆接面具有高度大于0.1mm的铜氧共晶凸点；将陶瓷覆铜基材在氧分压不超过50ppm的气氛中进行热处理以消除铜氧共晶凸点，得到陶瓷覆铜板；其中，热处理的保温温度高于高温覆接的保温温度，热处理时的升温时长大于高温覆接时的升温时长。该制备方法得到的陶瓷覆铜板上的铜层的非覆接面趋于平整，不存在凸点，便于后续焊接。本申请还提供了采用该方法制得的陶瓷覆铜板。
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公开(公告)号：CN114230359A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202010940503.2
申请日：2020-09-09
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: C04B37/00
Abstract: 本申请提供了一种陶瓷覆铜板的制备方法，包括：对铜箔进行湿法氧化，在铜箔的两侧表面形成铜氧化物层；将湿法氧化后的铜箔与陶瓷基板进行高温覆接，以在陶瓷覆铜板的至少一侧表面形成铜层，得到陶瓷覆铜基材；铜层的非覆接面具有高度大于0.1mm的铜氧共晶凸点；将陶瓷覆铜基材在氧分压不超过50ppm的气氛中进行热处理以消除铜氧共晶凸点，得到陶瓷覆铜板；其中，热处理的保温温度高于高温覆接的保温温度，热处理时的升温时长大于高温覆接时的升温时长。该制备方法得到的陶瓷覆铜板上的铜层的非覆接面趋于平整，不存在凸点，便于后续焊接。本申请还提供了采用该方法制得的陶瓷覆铜板。
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公开(公告)号：CN112552070A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201910917332.9
申请日：2019-09-26
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: C04B37/02
Abstract: 本发明涉及一种氮化硅陶瓷覆铜基板及其制备方法。该氮化硅陶瓷覆铜基板包括：氮化硅陶瓷基板和覆接于所述氮化硅陶瓷基板至少一个表面上的铜层；所述氮化硅陶瓷基板和所述铜层之间形成有界面结合层；所述界面结合层包括依次叠加的氧化硅层、X1氧化物层、M层；所述氧化硅层与所述氮化硅陶瓷基板接触；所述X1氧化物层含有活性金属氧化物；所述M层含有CuCr2O4、CuMn2O4和CuFe2O4中的一种或多种。该氮化硅陶瓷覆铜基板中的界面结合层能提高铜层和氮化硅陶瓷基板间的结合强度，且氮化硅陶瓷覆铜基板的生产成本低。
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公开(公告)号：CN112552070B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN201910917332.9
申请日：2019-09-26
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: C04B37/02
Abstract: 本发明涉及一种氮化硅陶瓷覆铜基板及其制备方法。该氮化硅陶瓷覆铜基板包括：氮化硅陶瓷基板和覆接于所述氮化硅陶瓷基板至少一个表面上的铜层；所述氮化硅陶瓷基板和所述铜层之间形成有界面结合层；所述界面结合层包括依次叠加的氧化硅层、X1氧化物层、M层；所述氧化硅层与所述氮化硅陶瓷基板接触；所述X1氧化物层含有活性金属氧化物；所述M层含有CuCr2O4、CuMn2O4和CuFe2O4中的一种或多种。该氮化硅陶瓷覆铜基板中的界面结合层能提高铜层和氮化硅陶瓷基板间的结合强度，且氮化硅陶瓷覆铜基板的生产成本低。
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