公开(公告)号：CN112458493B

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202011398889.5

申请日：2020-12-02

Applicant: 江南大学

Inventor： 董玉明 ,  张煜霞 ,  王光丽 ,  李激 ,  顾丹 ,  张萍波 ,  冷炎 ,  朱永法 ,  蒋平平

IPC: C25B11/091 ,  C25B1/55 ,  C25B1/04

Abstract: 本发明公开了一种单宁酸‑钴络合物修饰的NixP/CuO/NiO光电阴极及制备方法，属于材料科学技术和化学领域。本发明所述的制备单宁酸‑钴络合物修饰的NixP/CuO/NiO光电阴极的方法包括如下步骤：通过水热合成法将NiO薄膜沉积到FTO导电玻璃上、通过空气热氧化法制备CuO/NiO电极、采用光化学方法制备NixP/CuO/NiO电极、将NixP/CuO/NiO电极浸入CoCl2溶液10‑20min后取出，洗涤；再浸入单宁酸溶液中，调节pH为9‑10，反应0.5‑1.5h；反应结束后洗涤、干燥，得到单宁酸‑钴络合物修饰的NixP/CuO/NiO光电阴极。本发明所述的单宁酸‑钴络合物修饰的NixP/CuO/NiO光电阴极的产氢效率高，可以达到1.77μmol/h以上；稳定性良好，在测试长达8000s时，该电极的光电流密度仅比初始值略有下降。

公开(公告)号：CN112458493A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN202011398889.5

申请日：2020-12-02

Applicant: 江南大学

Inventor： 董玉明 ,  张煜霞 ,  王光丽 ,  李激 ,  顾丹 ,  张萍波 ,  冷炎 ,  朱永法 ,  蒋平平

IPC: C25B11/091 ,  C25B1/55 ,  C25B1/04

Abstract: 本发明公开了一种单宁酸‑钴络合物修饰的NixP/CuO/NiO光电阴极及制备方法，属于材料科学技术和化学领域。本发明所述的制备单宁酸‑钴络合物修饰的NixP/CuO/NiO光电阴极的方法包括如下步骤：通过水热合成法将NiO薄膜沉积到FTO导电玻璃上、通过空气热氧化法制备CuO/NiO电极、采用光化学方法制备NixP/CuO/NiO电极、将NixP/CuO/NiO电极浸入CoCl2溶液10‑20min后取出，洗涤；再浸入单宁酸溶液中，调节pH为9‑10，反应0.5‑1.5h；反应结束后洗涤、干燥，得到单宁酸‑钴络合物修饰的NixP/CuO/NiO光电阴极。本发明所述的单宁酸‑钴络合物修饰的NixP/CuO/NiO光电阴极的产氢效率高，可以达到1.77μmol/h以上；稳定性良好，在测试长达8000s时，该电极的光电流密度仅比初始值略有下降。

公开(公告)号：CN112430826A

公开(公告)日：2021-03-02

申请号：CN202011387679.6

申请日：2020-12-01

Applicant: 江南大学

Inventor： 董玉明 ,  张煜霞 ,  李激 ,  张萍波 ,  冷炎 ,  王光丽 ,  顾丹 ,  朱永法 ,  蒋平平

IPC: C25B11/04 ,  C25B1/04 ,  C25B1/55

Abstract: 本发明公开了一种NiS/CuInS2/BiOCl电极及其制备方法，属于材料科学技术和化学领域。本发明所述的制备NiS/CuInS2/BiOCl电极的方法，包括如下步骤：在反应容器中将CuInS2/BiOCl电极固定，之后在反应容器中加入硫脲、醋酸镍和乙醇的混合水溶液，氮气脱气；脱气完成之后，置于氙灯下光照；光照之后洗涤、干燥，得到NiS/CuInS2/BiOCl电极。本发明的NiS/CuInS2/BiOCl电极的光催化活性高，可以用于光催化分解水产氢反应，反应1h后其产氢速率达到0.048μmol/h以上。