公开(公告)号：CN115985970B

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202211722619.4

申请日：2022-12-30

申请人： 江南大学

发明人： 王霄 ,  陈小钰 ,  王佳玮 ,  敖金平 ,  李杨 ,  陈治伟 ,  白利华 ,  王利强

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/47 ,  H01L29/24

摘要： 本发明公开了一种低正向导通电压氧化镓肖特基二极管及其制备方法，包括自下而上依次叠层的阴极、n+‑Ga2O3外延层、n‑‑Ga2O3外延层和阳极；其中，所述n+‑Ga2O3外延层与所述阴极之间构成欧姆接触，所述阴极为钛和金的叠层；所述n‑‑Ga2O3外延层与所述阳极之间形成肖特基接触，所述阳极为具有低功函数的材料和金的叠层。本发明降低了器件结构的复杂性的同时降低了正向导通电压，从而提高了二极管器件性能，实现正向导通电压小，有利于应用在微波功率整流方面。

公开(公告)号：CN115985970A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202211722619.4

申请日：2022-12-30

申请人： 江南大学

发明人： 王霄 ,  陈小钰 ,  王佳玮 ,  敖金平 ,  李杨 ,  陈治伟 ,  白利华 ,  王利强

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/47 ,  H01L29/24

摘要： 本发明公开了一种低正向导通电压氧化镓肖特基二极管及其制备方法，包括自下而上依次叠层的阴极、n+‑Ga2O3外延层、n‑‑Ga2O3外延层和阳极；其中，所述n+‑Ga2O3外延层与所述阴极之间构成欧姆接触，所述阴极为钛和金的叠层；所述n‑‑Ga2O3外延层与所述阳极之间形成肖特基接触，所述阳极为具有低功函数的材料和金的叠层。本发明降低了器件结构的复杂性的同时降低了正向导通电压，从而提高了二极管器件性能，实现正向导通电压小，有利于应用在微波功率整流方面。