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公开(公告)号：CN117507163B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202410001144.2
申请日：2024-01-02
申请人： 江苏中科智芯集成科技有限公司
摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种可调间距晶圆切割设备和工艺，可调间距晶圆切割工艺包括采用可调间距晶圆切割设备对晶圆进行切割；可调间距晶圆切割设备包括中心杆、刀片和调节机构，刀片套接在中心杆上，且能够沿中心杆的杆长方向滑动，刀片的数量有多个，且相邻两个刀片之间的距离均为L，调节机构配置成能够调节L的大小。在对晶圆进行切割的过程中，在调节机构的作用下能够等比例的调节多个刀片之间的间距，从而能够根据需求切割出不同尺寸的芯片，通用性较高，且采用多个刀片同时对晶圆进行切割的方式，能够减少晶圆切割时的工作时间，提高晶圆的切割效率。
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公开(公告)号：CN117484381B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311841474.4
申请日：2023-12-29
申请人： 江苏中科智芯集成科技有限公司
摘要： 本发明涉及研磨加工技术领域，具体涉及一种晶圆研磨装置及研磨工艺。晶圆研磨装置包括基座、平台、抛光头和保持环，平台上安装有抛光垫，抛光垫上持续有抛光液注入；保持环套设于晶圆外，抛光头驱动保持环和晶圆在抛光垫的偏心位置处绕自身轴线转动；保持环上开设有多组沟槽，每组沟槽包括引液槽和排液槽，引液槽和排液槽交叉分布且互不连通；引液槽与保持环外圈连通的进液口低于排液槽与保持环外圈连通的出料口，引液槽与保持环内圈连通的出液口高于排液槽与保持环内圈连通的进料口，使得抛光液容易通过进液口进入引液槽内，排液槽内的抛光液能在保持环转动的离心作用下甩出，进一步减小进液口处的抛光液与出料口排出的抛光液的混合概率。
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公开(公告)号：CN117507163A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202410001144.2
申请日：2024-01-02
申请人： 江苏中科智芯集成科技有限公司
摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种可调间距晶圆切割设备和工艺，可调间距晶圆切割工艺包括采用可调间距晶圆切割设备对晶圆进行切割；可调间距晶圆切割设备包括中心杆、刀片和调节机构，刀片套接在中心杆上，且能够沿中心杆的杆长方向滑动，刀片的数量有多个，且相邻两个刀片之间的距离均为L，调节机构配置成能够调节L的大小。在对晶圆进行切割的过程中，在调节机构的作用下能够等比例的调节多个刀片之间的间距，从而能够根据需求切割出不同尺寸的芯片，通用性较高，且采用多个刀片同时对晶圆进行切割的方式，能够减少晶圆切割时的工作时间，提高晶圆的切割效率。
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公开(公告)号：CN118218784B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410649810.3
申请日：2024-05-24
申请人： 江苏中科智芯集成科技有限公司
IPC分类号： B23K26/364 , B23K26/70
摘要： 本发明公开了一种晶圆激光开槽方法，属于半导体技术领域，包括以下步骤：在晶圆表面涂覆激光保护液，形成保护层；利用第一激光沿保护层的表面向下开槽形成凹槽；利用第二激光沿凹槽向下开槽；所述第一激光的能量为A1，单位为W；所述第一激光的频率为B1，单位为KHz；所述第二激光的能量为A2，单位为W；所述第二激光的频率为B2，单位为KHz；所述第一激光和第二激光满足：0.75≤（A1×B1/A2×B2）≤1.82；本发明所述的晶圆激光开槽方法能够避免在槽口形成碎屑，避免在槽口堆积碎料，在开槽过程中，避免发生激光爆点，能够有效的降低熔渣高度，有效的提高激光开槽效果，提高封装良品率。
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公开(公告)号：CN117484703B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202410000735.8
申请日：2024-01-02
申请人： 江苏中科智芯集成科技有限公司
摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种晶圆高效能划片装置及其划片工艺，划片工艺包括采用晶圆高效能划片装置对晶圆进行划片；划片装置包括安装座和刀片，安装座能够绕竖直线转动一百八十度，在安装座上平行设置有两根螺旋杆，每根螺旋杆上均套接有摇杆，每个摇杆上均对称设置有两个均能够绕自身轴线转动刀片，摇杆能够沿螺旋杆的轴线方向滑动，在滑动前后具有相应的第一位置和第二位置，摇杆能够绕螺旋杆的轴线转动，在转动前后具有相应的倾斜状态和竖直状态。划片过程中，通过设置晶圆高效能划片装置具有连续循环的四种划片状态，随着划片的连续进行，使得不同刀之间的总划片长度相等、磨损程度一致，使得所有刀具有相同的更换周期。
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公开(公告)号：CN117484703A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202410000735.8
申请日：2024-01-02
申请人： 江苏中科智芯集成科技有限公司
摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种晶圆高效能划片装置及其划片工艺，划片工艺包括采用晶圆高效能划片装置对晶圆进行划片；划片装置包括安装座和刀片，安装座能够绕竖直线转动一百八十度，在安装座上平行设置有两根螺旋杆，每根螺旋杆上均套接有摇杆，每个摇杆上均对称设置有两个均能够绕自身轴线转动刀片，摇杆能够沿螺旋杆的轴线方向滑动，在滑动前后具有相应的第一位置和第二位置，摇杆能够绕螺旋杆的轴线转动，在转动前后具有相应的倾斜状态和竖直状态。划片过程中，通过设置晶圆高效能划片装置具有连续循环的四种划片状态，随着划片的连续进行，使得不同刀之间的总划片长度相等、磨损程度一致，使得所有刀具有相同的更换周期。
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公开(公告)号：CN118218784A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410649810.3
申请日：2024-05-24
申请人： 江苏中科智芯集成科技有限公司
IPC分类号： B23K26/364 , B23K26/70
摘要： 本发明公开了一种晶圆激光开槽方法，属于半导体技术领域，包括以下步骤：在晶圆表面涂覆激光保护液，形成保护层；利用第一激光沿保护层的表面向下开槽形成凹槽；利用第二激光沿凹槽向下开槽；所述第一激光的能量为A1，单位为W；所述第一激光的频率为B1，单位为KHz；所述第二激光的能量为A2，单位为W；所述第二激光的频率为B2，单位为KHz；所述第一激光和第二激光满足：0.75≤（A1×B1/A2×B2）≤1.82；本发明所述的晶圆激光开槽方法能够避免在槽口形成碎屑，避免在槽口堆积碎料，在开槽过程中，避免发生激光爆点，能够有效的降低熔渣高度，有效的提高激光开槽效果，提高封装良品率。
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公开(公告)号：CN117507162B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202410001125.X
申请日：2024-01-02
申请人： 江苏中科智芯集成科技有限公司
摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种多切割刀划片装置及其控制方法，多切割刀划片控制方法包括采用多切割刀划片装置对晶圆进行划片；多切割刀划片装置包括机座、N个刀片和调节机构，N个刀片同轴设置在机座上，且相邻两个刀片之间具有预设间距，每个刀片均能够绕自身轴线转动以对晶圆进行划片，调节机构配置成在N个刀片对晶圆进行部分划片后，根据晶圆上剩余划片道的数量调节用于切割晶圆的刀片的数量为X，以使X个刀片能够将晶圆上剩余的划片道均切割完，从而通过调节用于切割晶圆的刀片的数量和晶圆上剩余划片道的数量相匹配，避免出现部分刀片空转但并不切割晶圆的情况，在节省能量的同时，提高芯片的生产效率。
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公开(公告)号：CN117507162A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202410001125.X
申请日：2024-01-02
申请人： 江苏中科智芯集成科技有限公司
摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种多切割刀划片装置及其控制方法，多切割刀划片控制方法包括采用多切割刀划片装置对晶圆进行划片；多切割刀划片装置包括机座、N个刀片和调节机构，N个刀片同轴设置在机座上，且相邻两个刀片之间具有预设间距，每个刀片均能够绕自身轴线转动以对晶圆进行划片，调节机构配置成在N个刀片对晶圆进行部分划片后，根据晶圆上剩余划片道的数量调节用于切割晶圆的刀片的数量为X，以使X个刀片能够将晶圆上剩余的划片道均切割完，从而通过调节用于切割晶圆的刀片的数量和晶圆上剩余划片道的数量相匹配，避免出现部分刀片空转但并不切割晶圆的情况，在节省能量的同时，提高芯片的生产效率。
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公开(公告)号：CN117484381A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311841474.4
申请日：2023-12-29
申请人： 江苏中科智芯集成科技有限公司
摘要： 本发明涉及研磨加工技术领域，具体涉及一种晶圆研磨装置及研磨工艺。晶圆研磨装置包括基座、平台、抛光头和保持环，平台上安装有抛光垫，抛光垫上持续有抛光液注入；保持环套设于晶圆外，抛光头驱动保持环和晶圆在抛光垫的偏心位置处绕自身轴线转动；保持环上开设有多组沟槽，每组沟槽包括引液槽和排液槽，引液槽和排液槽交叉分布且互不连通；引液槽与保持环外圈连通的进液口低于排液槽与保持环外圈连通的出料口，引液槽与保持环内圈连通的出液口高于排液槽与保持环内圈连通的进料口，使得抛光液容易通过进液口进入引液槽内，排液槽内的抛光液能在保持环转动的离心作用下甩出，进一步减小进液口处的抛光液与出料口排出的抛光液的混合概率。
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