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公开(公告)号：CN114624812A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210258126.3
申请日：2022-03-16
摘要： 本发明属于高功率光纤激光技术领域，公开了一种多芯传能光纤及其制备方法。该多芯传能光纤包括内包层、纤芯和涂覆层，内包层沿轴向设有至少两个芯孔；纤芯一一对应地穿设于芯孔，纤芯包括内芯、掺氟层和缓冲层，掺氟层套设于内芯的外周，缓冲层套设于掺氟层的外周；涂覆层包括第一涂覆层和第二涂覆层，第一涂覆层套设于内包层的外周，第二涂覆层套设于第一涂覆层的外侧。本发明提供的多芯传能光纤，内包层能将至少两个纤芯集成于一束，使单根光纤能传输多束激光，进而提高激光焊接设备集成度；通过设置掺氟层，掺氟层能负向构建纤芯折射率，防止纤芯内传输激光泄漏；通过设置缓冲层，缓冲层能有效提高内芯的抗弯性能，起到应力缓冲作用。
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公开(公告)号：CN114624812B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202210258126.3
申请日：2022-03-16
摘要： 本发明属于高功率光纤激光技术领域，公开了一种多芯传能光纤及其制备方法。该多芯传能光纤包括内包层、纤芯和涂覆层，内包层沿轴向设有至少两个芯孔；纤芯一一对应地穿设于芯孔，纤芯包括内芯、掺氟层和缓冲层，掺氟层套设于内芯的外周，缓冲层套设于掺氟层的外周；涂覆层包括第一涂覆层和第二涂覆层，第一涂覆层套设于内包层的外周，第二涂覆层套设于第一涂覆层的外侧。本发明提供的多芯传能光纤，内包层能将至少两个纤芯集成于一束，使单根光纤能传输多束激光，进而提高激光焊接设备集成度；通过设置掺氟层，掺氟层能负向构建纤芯折射率，防止纤芯内传输激光泄漏；通过设置缓冲层，缓冲层能有效提高内芯的抗弯性能，起到应力缓冲作用。
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公开(公告)号：CN116974003A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310963715.6
申请日：2023-08-02
申请人： 江苏亨通光导新材料有限公司 , 江苏亨通光电股份有限公司 , 江苏亨通光纤科技有限公司
IPC分类号： G02B6/02 , G02B6/028 , G02B6/036 , C03B37/018 , C03B37/027
摘要： 本发明公开一种低衰减大模场直径弯曲不敏感单模光纤及制备方法，该光纤为渐变型光纤，包括芯层和包层，芯层的折射率为抛物线型分布，包层包括三下陷包层和外包层。本发明中，芯层采用渐变抛物线型折射率分布，充分利用其可抑制非线性效应、放宽MAC对模场直径的容忍程度的优点，可较大程度降低芯层锗的掺杂量，使芯层和内包层粘度匹配更优，通过优化芯层折射率水平、调控三下陷包层的深度及宽度，可实现宏弯水平符合G.657A2的标准，满足FTTH复杂的布局环境的要求，同时拥有大的模场直径，可与常规G.652D完全兼容；外包层掺铝，可提升玻璃的粘度，拉丝时将应力集中在包层，芯层受力较少，减少光纤内部缺陷，从而降低光纤衰减。
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公开(公告)号：CN116282885A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310313571.X
申请日：2023-03-28
申请人： 江苏亨通光导新材料有限公司 , 江苏亨通光电股份有限公司 , 江苏亨通光纤科技有限公司
IPC分类号： C03B37/014 , G05B19/418
摘要： 本发明公开了提高光纤预制棒截止波长和模场直径均匀性的控制方法，包括以下步骤：制备光纤预制棒，将VAD制备的芯棒搭配成OVD沉积所需母棒并给定OVD目标设计外径；OVD开工后，将整根母棒不同测试点测算出的数据信息上传至OVD沉积机台控制系统，计算与目标截止波长、目标模场直径之间的偏差，进而重新计算不同测试点的目标设计外径，反算需沉积重量；OVD工艺沉积结束后，根据不同位置设计外径的大小差异化调节温度，进行烧结整形，使光棒外径趋于均匀。本发明在OVD法沉积过程中，根据母棒参数均匀性调控外包层直径沉积均匀性，再通过调节烧结温度来控制整体光棒直径均匀性，有效改善光纤预制棒拉丝截止波长和模场直径均匀性。
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公开(公告)号：CN115437060A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211077684.6
申请日：2022-09-05
申请人： 江苏亨通光导新材料有限公司 , 江苏亨通光电股份有限公司 , 江苏亨通光纤科技有限公司
IPC分类号： G02B6/02 , G02B6/036 , G02B6/028 , C03B37/014
摘要： 本发明公开一种低损抗弯单模光纤及其制备方法，该光纤从内到外依次包括纤芯层、第一内包层、第二内包层、过渡层和外包层。本发明中，纤芯层、第一内包层和第二内包层通过VAD法一步沉积而成，过渡层与外包层通过OVD法分步沉积而成，工艺路径简单，成本低，有利于规模化；第一内包层掺氟，通过精准控制氟的掺杂量可实现纤芯层中锗氟共掺，降低纤芯层的粘度，使纤芯层和内包层粘度匹配更优，减少光纤内部的缺陷，降低衰减损耗；过渡层中掺氯，优化过渡层的宽度，可有效阻挡外包层中的羟基进行到纤芯层，减弱对光纤衰减造成的负面影响；外包层中掺铝，有利于在拉丝过程中将应力集中在包层，使纤芯层受力较少，减少光纤内部缺陷，降低衰减损耗。
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公开(公告)号：CN115321808B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202211028046.5
申请日：2022-08-25
申请人： 江苏亨通光导新材料有限公司 , 江苏亨通光电股份有限公司 , 江苏亨通光纤科技有限公司
IPC分类号： C03B37/012 , C03B37/027 , G02B6/036
摘要： 本发明公开了一种氢不敏感超低损耗光纤及制作方法，属于光纤通信技术领域，该光纤包括由内至外依次设置的芯层和包层，芯层包括由内至外依次设置的内芯层和外芯层，包层包括由内至外依次设置的内包层、中包层和外包层。本发明提供的氢不敏感超低损耗光纤及制作方法，在1550nm窗口处具有极低的损耗系数，在1550nm波长处的衰减系数小于或等于0.16dB/km，在1550nm波长处的模场直径为11～14μm，同时兼顾大有效面积，在1550nm波长处的有效面积为70～160μm^2，且具有良好的氢损性能及优秀的弯曲不敏感特性，非常适用于长距离、大容量、高速率光通信传输系统。
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公开(公告)号：CN115685439A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211242517.2
申请日：2022-10-11
申请人： 江苏亨通光导新材料有限公司 , 江苏亨通光电股份有限公司 , 江苏亨通光纤科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种耦合型多芯光纤及其制备方法；该耦合型多芯光纤包括纤芯单元和包围该纤芯单元的光纤包层；纤芯单元包括多个传输纤芯，每个传输纤芯包括芯层和包围该芯层的纤芯包层；该多个传输纤芯在光纤包层中呈均匀分布；包围传输纤芯的光纤包层包括内包层和环形的外包层；该多芯光纤的折射率剖面为阶跃型剖面结构；该多芯光纤的中心处不设置传输纤芯。该耦合型多芯光纤具有较低的的传输损耗和空间模式色散以及较优的弯曲性能。
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公开(公告)号：CN116282885B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202310313571.X
申请日：2023-03-28
申请人： 江苏亨通光导新材料有限公司 , 江苏亨通光电股份有限公司 , 江苏亨通光纤科技有限公司
IPC分类号： C03B37/014 , G05B19/418
摘要： 本发明公开了提高光纤预制棒截止波长和模场直径均匀性的控制方法，包括以下步骤：制备光纤预制棒，将VAD制备的芯棒搭配成OVD沉积所需母棒并给定OVD目标设计外径；OVD开工后，将整根母棒不同测试点测算出的数据信息上传至OVD沉积机台控制系统，计算与目标截止波长、目标模场直径之间的偏差，进而重新计算不同测试点的目标设计外径，反算需沉积重量；OVD工艺沉积结束后，根据不同位置设计外径的大小差异化调节温度，进行烧结整形，使光棒外径趋于均匀。本发明在OVD法沉积过程中，根据母棒参数均匀性调控外包层直径沉积均匀性，再通过调节烧结温度来控制整体光棒直径均匀性，有效改善光纤预制棒拉丝截止波长和模场直径均匀性。
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公开(公告)号：CN117447056A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311714229.7
申请日：2023-12-14
申请人： 江苏亨通光导新材料有限公司 , 江苏亨通光电股份有限公司 , 江苏亨通光纤科技有限公司
IPC分类号： C03B23/11 , C03B23/045 , C03B37/018
摘要： 本发明公开了一种制备合成石英管的设备及其方法，本发明涉及石英管的合成领域，包括挂棒组件，所述挂棒组件内腔的正中转动连接有第一气动卡盘，第一气动卡盘的下部设置有加热炉，加热炉左右两侧的正中对称固定连接有炉内测径器，加热炉底部的左右两侧对称固定连接有驱动组件，两个安装架内腔的正中对称转动连接有第二气动卡盘，驱动组件的底部固定连接有底座，底座的顶部固定连接有石英管内孔密封组件。本发明所述的一种合成石英管的设备及其合成方法，通过纵向拉制旋转受热的母管，生成期望尺寸的石英管，该石英管羟基含量较低、尺寸精度高，非常适用于G.654.E及特种光纤制备过程中的MCVD、PCVD等工艺使用的基管。
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公开(公告)号：CN116908957A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310859573.9
申请日：2023-07-13
申请人： 江苏亨通光导新材料有限公司 , 江苏亨通光电股份有限公司 , 江苏亨通光纤科技有限公司
IPC分类号： G02B6/036 , C03B37/027 , C03B37/018
摘要： 本发明公开了一种G.654.E光纤及制备方法，所述光纤包括复合芯层、包覆在复合芯层外的过渡层、包覆在过渡层外的外包层，其特征在于：所述复合芯层包括从内到外设置的芯层、第一内包层、第二内包层以第一外包层，所述包覆在过渡层外的外包层作为第二外包层；所述芯层为锗氟及碱金属共掺石英玻璃材质，碱金属掺杂浓度为10～200ppm。本发明的光纤截止波长、模场直径、损耗系数、色散等综合性能参数在应用波段良好，可满足G.654.E光纤标准。本发明的光纤截止波长、模场直径、损耗系数、色散等综合性能参数在应用波段性能优越，可满足G.654.E光纤标准。
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