-
公开(公告)号：CN108306271A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810014840.1
申请日：2018-01-08
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 江苏多维科技有限公司
IPC分类号： H02H9/04
摘要： 本发明公开了一种电源钳位ESD保护电路，包括ESD上升时间检测电路、施密特触发器、主放电MOS管栅压控制电路、主放电MOS管，所述的电源钳位ESD保护电路，只检测ESD电压的上升时间段，所述主放电MOS管工作于线性区。本发明通过检测电源钳位主ESD器件的电压上升时间，配合放电回路，实现了集成电路的ESD保护，且电路中只需要极小的电容，因此可以极大地减小集成电路的面积，使集成电路具有更高效的面积使用率，具有良好的工艺兼容性。同时，对电源电压毛刺也具有较大的容差能力。
-
公开(公告)号：CN108226824A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810015110.3
申请日：2018-01-08
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 江苏多维科技有限公司
摘要： 本发明提出了一种TMR和ASIC全集成电流传感器芯片，包括TMR磁电阻桥，聚磁层、ASIC芯片、引线框架、键合引线及封装体；TMR磁电阻桥由至少一个磁电阻桥臂构成，每个磁电阻桥臂由一个磁电阻结构成或者由多个磁电阻结串联构成；磁电阻结包括底部电极层、种子层、钉扎层、被钉扎层、隔离层、自由层、偏置层、保护层及顶部电极层；聚磁层，用于使TMR磁电阻的灵敏方向垂直于TMR和ASIC全集成电流传感器芯片的表面；所述ASIC芯片与所述TMR磁电阻桥位于所述封装体内部。将TMR传感器和ASIC封装在了一个独立的封装体内，最大限度地减少了电流传感器芯片的外围器件，能减小系统的设计难度，提高装配效率。
-
公开(公告)号：CN207559554U
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201721344897.5
申请日：2017-10-18
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 江苏多维科技有限公司
IPC分类号： H02H9/04
摘要： 本实用新型公开了一种电源钳位ESD保护电路，包括ESD上升时间检测电路、施密特触发器、主放电MOS管栅压控制电路、主放电MOS管，所述的电源钳位ESD保护电路，只检测ESD电压的上升时间段，所述主放电MOS管工作于线性区。本实用新型通过检测电源钳位主ESD器件的电压上升时间，配合放电回路，实现了集成电路的ESD保护，且电路中只需要极小的电容，因此可以极大地减小集成电路的面积，使集成电路具有更高效的面积使用率，具有良好的工艺兼容性。同时，对电源电压毛刺也具有较大的容差能力。
-
公开(公告)号：CN217406515U
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202221155913.7
申请日：2022-05-12
申请人： 江苏多维科技有限公司
IPC分类号： H03K17/90
摘要： 本实用新型公开了一种具有滤波功能的磁开关。该磁开关包括：磁传感模块和专用集成电路；专用集成电路包括电源模块、比较模块、滤波模块和逻辑运算模块；磁传感模块的输出端与比较模块的输入端电连接，滤波模块电连接在比较模块的输出端与逻辑运算模块的输入端之间；或者，滤波模块电连接在磁传感模块的输出端与比较模块的输入端之间，比较模块的输出端与逻辑运算模块的输入端电连接。本实用新型提供了高集成度磁开关，具有高频率响应，不仅有常规磁开关的特性，同时可以通过滤波模块设置开关频率阈值，使其能够在设定的开关频率范围内输出高低电平变化信号。从而避免了振动等环境影响情况下，磁开关无效动作的影响，还降低了功耗和成本。
-
公开(公告)号：CN207675817U
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201721345179.X
申请日：2017-10-18
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 江苏多维科技有限公司
摘要： 本实用新型提出了一种TMR和ASIC全集成电流传感器芯片，包括TMR磁电阻桥，聚磁层、ASIC芯片、引线框架、键合引线及封装体；TMR磁电阻桥由至少一个磁电阻桥臂构成，每个磁电阻桥臂由一个磁电阻结构成或者由多个磁电阻结串联构成；磁电阻结包括底部电极层、种子层、钉扎层、被钉扎层、隔离层、自由层、偏置层、保护层及顶部电极层；聚磁层，用于使TMR磁电阻的灵敏方向垂直于TMR和ASIC全集成电流传感器芯片的表面；所述ASIC芯片与所述TMR磁电阻桥位于所述封装体内部。将TMR传感器和ASIC封装在了一个独立的封装体内，最大限度地减少了电流传感器芯片的外围器件，能减小系统的设计难度，提高装配效率。
-
-
-
-
搜索结果
5 条记录 (耗时 0.024 秒)