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公开(公告)号：CN108226824A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810015110.3
申请日：2018-01-08
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 江苏多维科技有限公司
摘要： 本发明提出了一种TMR和ASIC全集成电流传感器芯片，包括TMR磁电阻桥，聚磁层、ASIC芯片、引线框架、键合引线及封装体；TMR磁电阻桥由至少一个磁电阻桥臂构成，每个磁电阻桥臂由一个磁电阻结构成或者由多个磁电阻结串联构成；磁电阻结包括底部电极层、种子层、钉扎层、被钉扎层、隔离层、自由层、偏置层、保护层及顶部电极层；聚磁层，用于使TMR磁电阻的灵敏方向垂直于TMR和ASIC全集成电流传感器芯片的表面；所述ASIC芯片与所述TMR磁电阻桥位于所述封装体内部。将TMR传感器和ASIC封装在了一个独立的封装体内，最大限度地减少了电流传感器芯片的外围器件，能减小系统的设计难度，提高装配效率。
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公开(公告)号：CN207675817U
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201721345179.X
申请日：2017-10-18
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 江苏多维科技有限公司
摘要： 本实用新型提出了一种TMR和ASIC全集成电流传感器芯片，包括TMR磁电阻桥，聚磁层、ASIC芯片、引线框架、键合引线及封装体；TMR磁电阻桥由至少一个磁电阻桥臂构成，每个磁电阻桥臂由一个磁电阻结构成或者由多个磁电阻结串联构成；磁电阻结包括底部电极层、种子层、钉扎层、被钉扎层、隔离层、自由层、偏置层、保护层及顶部电极层；聚磁层，用于使TMR磁电阻的灵敏方向垂直于TMR和ASIC全集成电流传感器芯片的表面；所述ASIC芯片与所述TMR磁电阻桥位于所述封装体内部。将TMR传感器和ASIC封装在了一个独立的封装体内，最大限度地减少了电流传感器芯片的外围器件，能减小系统的设计难度，提高装配效率。
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公开(公告)号：CN110412118B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN201910817744.5
申请日：2019-08-30
申请人： 江苏多维科技有限公司
摘要： 本发明实施例公开了一种基于电隔离隧道磁阻敏感元件的氢气传感器，包括：位于X‑Y平面的衬底，位于衬底上的隧道磁阻传感器以及位于隧道磁阻传感器上的氢敏感层，氢敏感层和隧道磁阻传感器之间相互电隔离，氢敏感层包含[钯金属层/铁磁层]n的多层薄膜结构，其中，n为大于或等于1的整数；钯金属层用于吸附空气中的氢气以引起铁磁层的各向异性磁场在X‑Z平面内X轴方向的偏转角的变化，隧道磁阻传感器用于感测氢敏感层的磁场信号并根据该磁场信号确定氢气浓度信息。本发明实施例的氢气传感器，保证了测量安全性。
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公开(公告)号：CN109708727B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN201910160547.0
申请日：2019-03-04
申请人： 江苏多维科技有限公司
发明人： 詹姆斯·G·迪克 , 伊拉姆帕瑞蒂·维斯瓦纳坦
IPC分类号： G01F23/72
摘要： 本发明公开了一种基于磁阻传感器交叉点阵列的数字液位传感器，包括：多个TMR磁传感器芯片；微控制器、行解码器以及列解码器，微控制器和行解码器、列解码器电连接；TMR磁传感器芯片包括多个MTJ元件，每行MTJ元件与行引线或列引线之间连接有二极管，通过行解码器以及列解码器解码的数据并基于公式Address＝m+[M x(n‑1)]寻址TMR磁传感器芯片，其中Address表示地址值，其中m表示当前行的值；微控制器用于扫描TMR磁传感器芯片的地址并找出最高激活状态的MTJ元件的地址，并将地址值转换为与之呈线性比例关系的液位值，并将液位值传送到输出接口；永磁体和保护管。通过一次仅为一个传感器芯片元件供电而极大地最小化传感器元件的功耗。
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公开(公告)号：CN113029208B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110247124.X
申请日：2021-03-05
申请人： 江苏多维科技有限公司
IPC分类号： G01D5/16
摘要： 本发明实施例公开了一种用于磁阻器件的激光编程写入装置及方法，该装置包括：依次层叠设置的衬底、磁阻传感器和热控制层，磁阻传感器与热控制层之间设置有用于电隔离的非磁性绝缘层，磁阻传感器由磁阻传感单元构成，磁阻传感单元为具有反铁磁层的多层薄膜堆叠结构；激光编程写入装置用于在激光编程写入阶段，改变热控制层和/或磁阻传感器的膜层参数，以调节磁阻传感器的温度随激光功率的变化率，并增加或减小同一激光功率写入磁阻传感器的温度，膜层参数包括膜层材料和膜层厚度中的至少一种。本发明实施例，实现了磁阻传感器的高精度激光写编程，改善磁阻传感器的制造缺陷，提高了磁阻传感器的性能，进而改善磁阻传感器的检测精度。
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公开(公告)号：CN111198342B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202010028130.1
申请日：2020-01-10
申请人： 江苏多维科技有限公司
摘要： 本发明实施例公开了一种谐波增宽线性范围的磁电阻传感器，包括：衬底和多项推挽式磁电阻传感电桥，其推臂包含N种推磁电阻传感单元，其挽臂包含N种挽磁电阻传感单元；每个磁电阻传感单元的关键特征参数包括R0i、MRi、Hsi、±αpi以及ai，推磁电阻传感单元及其对应的挽磁电阻传感单元的关键特征参数不同于标准推挽式线性磁电阻传感器的标准磁电阻传感单元的关键特征参数，存在着至少一组关键特征参数[(ROj，MRj，Hsj，±αpj)，aj]，表征推磁电阻传感单元和挽磁电阻传感单元的R‑H特征曲线线性部分、非线性谐波部分进行叠加，使得多项推挽式磁电阻传感电桥的线性范围大于标准推挽式线性磁电阻传感器的线性范围。本发明实施例具有谐波增宽线性范围的效果。
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公开(公告)号：CN113029208A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110247124.X
申请日：2021-03-05
申请人： 江苏多维科技有限公司
IPC分类号： G01D5/16
摘要： 本发明实施例公开了一种用于磁阻器件的激光编程写入装置及方法，该装置包括：依次层叠设置的衬底、磁阻传感器和热控制层，磁阻传感器与热控制层之间设置有用于电隔离的非磁性绝缘层，磁阻传感器由磁阻传感单元构成，磁阻传感单元为具有反铁磁层的多层薄膜堆叠结构；激光编程写入装置用于在激光编程写入阶段，改变热控制层和/或磁阻传感器的膜层参数，以调节磁阻传感器的温度随激光功率的变化率，并增加或减小同一激光功率写入磁阻传感器的温度，膜层参数包括膜层材料和膜层厚度中的至少一种。本发明实施例，实现了磁阻传感器的高精度激光写编程，改善磁阻传感器的制造缺陷，提高了磁阻传感器的性能，进而改善磁阻传感器的检测精度。
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公开(公告)号：CN111277231A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010098935.3
申请日：2020-02-18
申请人： 江苏多维科技有限公司
摘要： 本发明实施例公开了一种增益可控的磁阻模拟放大器，该放大器包括：位于X-Y平面上的衬底；位于衬底上的输出信号磁阻传感器；输入信号线圈和增益调节线圈，输入信号线圈和增益调节线圈分别位于输出信号磁阻传感器的两侧表面，增益调节线圈用于输入增益信号并产生增益磁场，以使增益磁场作用于输出信号磁阻传感器的自由层磁化方向，调节输出信号磁阻传感器的电阻-输入磁场转移曲线斜率，输入信号线圈用于输入电流信号并产生输入磁场，以使输入磁场作用于输出信号磁阻传感器的钉扎层磁化方向，控制增益信号以调节电流信号经过输出信号磁阻传感器后的输出信号的增益因子。本发明实施例中磁阻模拟放大器实现了输入和输出信号隔离以及增益可控。
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公开(公告)号：CN110412118A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910817744.5
申请日：2019-08-30
申请人： 江苏多维科技有限公司
摘要： 本发明实施例公开了一种基于电隔离隧道磁阻敏感元件的氢气传感器，包括：位于X-Y平面的衬底，位于衬底上的隧道磁阻传感器以及位于隧道磁阻传感器上的氢敏感层，氢敏感层和隧道磁阻传感器之间相互电隔离，氢敏感层包含[钯金属层/铁磁层]n的多层薄膜结构，其中，n为大于或等于1的整数；钯金属层用于吸附空气中的氢气以引起铁磁层的各向异性磁场在X-Z平面内X轴方向的偏转角的变化，隧道磁阻传感器用于感测氢敏感层的磁场信号并根据该磁场信号确定氢气浓度信息。本发明实施例的氢气传感器，保证了测量安全性。
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公开(公告)号：CN103968918B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201310029455.1
申请日：2013-01-25
申请人： 江苏多维科技有限公司
IPC分类号： G01F23/72
摘要： 本发明涉及一种数字液位传感器。该数字液位传感器包括非磁性导管，位于所述非磁性导管外并可沿所述非磁性导管轴向移动的浮子，和固定于所述浮子的永磁体。该非磁性导管中进一步包括开关单元和编码单元。开关单元包括至少一个在所述永磁体产生的磁场作用下闭合或断开的隧道磁电阻开关，编码单元包括至少一个编码器，其输入端分别接收来自所述隧道磁电阻开关的通断信号并输出表征所述浮子位置的数字信号。根据本发明的数字液位传感器体积小、成本低、功耗低、可靠性高、灵敏度高、分辨率高、使用寿命长、抗干扰能力强，并能实现数字信号直接输出。
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