公开(公告)号：CN114346337B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202210069889.3

申请日：2022-01-21

申请人： 江苏大学

发明人： 朱浩 ,  韩进财 ,  蒋子宣 ,  徐坤 ,  赵斗艳 ,  张朝阳 ,  刘洋 ,  高健

IPC分类号： B23H5/06 ,  B23H11/00 ,  B23K26/362 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/082 ,  B23K26/70

摘要： 本发明公开了一种磨粒辅助激光电解自耦合协同对位打孔方法及系统，涉及特种加工领域，利用短脉冲激光“点扫”在半导体材料上表面指定位置处实现刻蚀，并利用激光在溶液中的空化作用驱动磨粒对加工表面冲击划擦，提高加工表面质量；同时激光辐照在材料内诱导产生出局域电导率增强区域，形成电流优先通过的瞬时定域导电通道；在半导体材料背面利用阴极针管电解加工激光扫描位置，带有磨粒的电解液以一定压力从阴极针管内射出，利用磨粒冲击作用破坏半导体材料下表面钝化层使得电解反应在局域电导率增强区域持续高效进行，从而在半导体材料上表面和下表面上形成位置对应的微孔对。本发明可获得表面质量好、上下位置严格对应的微孔结构。

公开(公告)号：CN114523165B

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202210156476.9

申请日：2022-02-21

申请人： 江苏大学

发明人： 朱浩 ,  蒋子宣 ,  王超 ,  杜文武 ,  张敏

IPC分类号： B23H5/08 ,  B23H11/00

摘要： 本发明公开了一种在半导体材料上制备阵列孔的激光增强超声电解复合加工方法及装置，属于特种加工技术领域，利用超声加工头高频振动驱动电解液中悬浮微磨粒冲击半导体材料实现指定位置材料去除；同时，超声加工头作为阴极对半导体材料进行电解加工，实现超声‑电解定域复合加工。本发明方法利用超声振动、磨粒、电化学与激光在工件背面快速加工微孔结构。本发明装置用来实现本发明方法，本发明的加工系统功能完善，易于组装实现。所设计的阴阳极位置调节装置结构简单，易于安装、检修。

公开(公告)号：CN114346337A

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202210069889.3

申请日：2022-01-21

申请人： 江苏大学

发明人： 朱浩 ,  韩进财 ,  蒋子宣 ,  徐坤 ,  赵斗艳 ,  张朝阳 ,  刘洋 ,  高健

IPC分类号： B23H5/06 ,  B23H11/00 ,  B23K26/362 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/082 ,  B23K26/70

摘要： 本发明公开了一种磨粒辅助激光电解自耦合协同对位打孔方法及系统，涉及特种加工领域，利用短脉冲激光“点扫”在半导体材料上表面指定位置处实现刻蚀，并利用激光在溶液中的空化作用驱动磨粒对加工表面冲击划擦，提高加工表面质量；同时激光辐照在材料内诱导产生出局域电导率增强区域，形成电流优先通过的瞬时定域导电通道；在半导体材料背面利用阴极针管电解加工激光扫描位置，带有磨粒的电解液以一定压力从阴极针管内射出，利用磨粒冲击作用破坏半导体材料下表面钝化层使得电解反应在局域电导率增强区域持续高效进行，从而在半导体材料上表面和下表面上形成位置对应的微孔对。本发明可获得表面质量好、上下位置严格对应的微孔结构。

公开(公告)号：CN113146066A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202110383677.8

申请日：2021-04-09

申请人： 江苏大学

发明人： 朱浩 ,  蒋子宣 ,  张敏 ,  张朝阳 ,  徐坤 ,  赵斗艳 ,  高健

IPC分类号： B23K26/38 ,  B23K26/02 ,  B23H3/00

摘要： 本发明公开了一种激光电解背向协同打群孔方法及系统，涉及特种加工领域，激光辐照在半导体材料上，在半导体材料指定位置形成局域高温区域，从而定域增强导电性能，半导体材料作为阳极与直流脉冲电源的正极相接；直流脉冲电源的负极与阴极阵列针管相接，阴极阵列针管与半导体材料存在一定间隙；间隙由与灵敏压力计连通的计算机控制实现的；电解液通过阴极阵列针管以低压射流形式引入到半导体材料与阴极阵列针管之间间隙内，以带走气泡和杂质，使阴极与阳极间电路导通，半导体材料背面电化学阳极溶解区域对应于激光束在上表面辐照位置，通过激光束指定位置“点扫”确保下表面电解加工出群孔。本发明可获得高质量、高深径比群孔结构。