公开(公告)号：CN115805076B

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202111081379.X

申请日：2021-09-15

申请人： 江苏天奈科技股份有限公司

发明人： 阮玉凤 ,  魏兆杰 ,  汤杨莲 ,  徐凯 ,  张美杰 ,  郑涛

IPC分类号： B01J23/75 ,  B01J23/887 ,  B01J23/889 ,  B01J23/883 ,  B01J23/755 ,  C01B32/162

摘要： 本发明涉及碳材料制备技术领域，其公开了一种催化剂及其制备方法、阵列碳纳米管及其制备方法。一种催化剂，由催化剂前驱体溶液煅烧制成，所述催化剂前驱体溶液由含活性金属元素的可溶性活性组分、含载体元素的可溶性载体组分和可溶性络合剂在水中溶解制得，所述活性金属元素的浓度为0.5‑3mol/L，所述载体元素的浓度为0.5‑5.0mol/L，所述络合剂的浓度为3.0‑7.0mol/L。本申请的催化剂有利于制备低比表面积阵列长度短的阵列碳纳米管，从而有利于制得高分散性的阵列碳纳米管，进而提高阵列碳纳米管的应用分散性。

公开(公告)号：CN115806287A

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202111081720.1

申请日：2021-09-15

申请人： 江苏天奈科技股份有限公司

发明人： 阮玉凤 ,  魏兆杰 ,  徐凯 ,  汤杨莲 ,  张美杰 ,  郑涛

IPC分类号： C01B32/162 ,  B01J21/18 ,  B01J23/78 ,  B01J23/887 ,  B01J23/889 ,  B01J35/10 ,  B01J32/00

摘要： 本发明涉及碳材料制备技术领域，其公开了一种阵列碳纳米管及制备阵列碳纳米管和片层状催化剂的方法。一种阵列碳纳米管，其呈现束状并生长于片层状催化剂上，其中阵列碳纳米管的长度为10‑50μm，比表面积为100‑180m2/g，所述阵列碳纳米管的粉末电阻率为10‑25mΩ·cm。本申请所述的阵列碳纳米管具有低比表面积且阵列长度短的特性，从而有利于制得高分散性的阵列碳纳米管，进而提高阵列碳纳米管的应用分散性。

公开(公告)号：CN115805076A

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202111081379.X

申请日：2021-09-15

申请人： 江苏天奈科技股份有限公司

发明人： 阮玉凤 ,  魏兆杰 ,  汤杨莲 ,  徐凯 ,  张美杰 ,  郑涛

IPC分类号： B01J23/75 ,  B01J23/887 ,  B01J23/889 ,  B01J23/883 ,  B01J23/755 ,  C01B32/162

摘要： 本发明涉及碳材料制备技术领域，其公开了一种催化剂及其制备方法、阵列碳纳米管及其制备方法。一种催化剂，由催化剂前驱体溶液煅烧制成，所述催化剂前驱体溶液由含活性金属元素的可溶性活性组分、含载体元素的可溶性载体组分和可溶性络合剂在水中溶解制得，所述活性金属元素的浓度为0.5‑3mol/L，所述载体元素的浓度为0.5‑5.0mol/L，所述络合剂的浓度为3.0‑7.0mol/L。本申请的催化剂有利于制备低比表面积阵列长度短的阵列碳纳米管，从而有利于制得高分散性的阵列碳纳米管，进而提高阵列碳纳米管的应用分散性。

公开(公告)号：CN116253316A

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202111511842.X

申请日：2021-12-11

申请人： 江苏天奈科技股份有限公司

发明人： 叶志国 ,  魏兆杰 ,  徐凯 ,  张美杰 ,  郑涛

IPC分类号： C01B32/162 ,  B01J23/755 ,  B01J23/883 ,  B01J23/75 ,  B01J23/882

摘要： 本发明公开了一种可控调节碳纳米管生长的方法。包括以下步骤：催化剂预处理：催化剂在保护气氛中通入氢气，在600‑800℃还原温度下还原2‑300min，获得预处理催化剂；碳纳米管生长：催化剂预处理后通入碳源气体，在所述还原温度下反应，反应结束后冷却，其中，氢气流量为0.05‑10L/min，还原时间为2‑300min获得BET在90‑330m2/g、管径6‑30nm的可控的碳纳米管。该方法实际生产的灵活性强，更有利于企业的生产管理更简单方便，成本更低。