一种低锗废渣快速检测锗的方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117007764A

    公开(公告)日:2023-11-07

    申请号:CN202310752664.2

    申请日:2023-06-26

    摘要: 本发明涉及低锗废渣检测技术领域,且公开了一种低锗废渣快速检测锗的方法,包括以下步骤:S1、将含有低锗的废渣通过粉碎设备对其废渣块进行粉碎,并将粉碎后得到的低锗废渣粉粒与煤粉和氧化铁矿粉进行搅拌混合一端时间,使其混合均匀,混合均匀后在混捏机内压制成渣块。该一种低锗废渣快速检测锗的方法,通过先将低锗废渣粉碎并与一些促进燃烧的物质结合,使其在焙烧的过程中被焙烧的更加充分,提高焙烧的效率,避免了低锗废渣正常焙烧时间长和焙烧不充分的问题,同时通过将焙烧残渣进行取出,对其进行除杂和磁选,使其焙烧后的残渣中的锗被提取出,在缩短了锗回收检测时间的同时也提高了对低锗废渣中锗含量检测的精准性。

    一种高纯二氧化锗制备装置及制备方法

    公开(公告)号:CN116870825A

    公开(公告)日:2023-10-13

    申请号:CN202310640818.9

    申请日:2023-05-30

    IPC分类号: B01J19/18 C01G17/02 B01D11/00

    摘要: 本发明公开了一种高纯二氧化锗制备装置及制备方法,涉及二氧化锗生产设备技术领域。包括萃取塔;萃取塔底端设有支脚,萃取塔一侧设有三个进料口,萃取塔内部设有四个隔板,四个隔板将萃取塔内部分隔成三个萃取隔间,萃取塔另一侧设有连接管,连接管将相邻萃取隔间相互连通,萃取塔内部设有升降机构,隔板固定设置在升降机构上,隔板顶端设有搅拌机构,隔板底端设有联动机构。通过设置的联动式搅拌机构可以通过单个驱动结构进行驱动,从而使多个搅拌机构保持同步运行并对原料进行搅拌操作,进而降低了驱动结构的使用以及后续的维护成本,通过设置的升降式搅拌结构可以在搅拌过程中将整体结构下移,从而便于提升整体的搅拌效果。

    一种大直径低位错锗单晶热场系统及配置方法

    公开(公告)号:CN117305969A

    公开(公告)日:2023-12-29

    申请号:CN202311055377.2

    申请日:2023-08-22

    IPC分类号: C30B11/00 C30B29/08

    摘要: 本发明公开了一种大直径低位错锗单晶热场系统及配置方法,包括炉体、坩埚、保温层、托杆以及加热装置;所述保温层在炉体内壁,所述坩埚设置在炉体内部中心,所述托杆的上端与坩埚连接,下端穿过炉体;所述加热装置包括筒状加热器、底座以及高度调节装置,所述底座上设有石墨电极,所述筒状加热器通过石墨螺栓固定设置在石墨电极上,所述底座通过高度调节装置可调节的设置在炉体内;所述筒状加热器从上至下包括第一环形段、锥面段以及第二环形段,三段式筒状加热器降低了热场中的温度梯度、结晶液位温度平稳,通过液位检测仪实时监测液位高度,从而调节筒状加热器保持液位中心处于热应力中心,保持单晶低位错生长。

    大颗粒高纯硫酸镓的制备方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118894550A

    公开(公告)日:2024-11-05

    申请号:CN202410827826.9

    申请日:2024-06-25

    IPC分类号: C01G15/00 C25C1/22

    摘要: 本发明涉及化学品合成技术领域,具体为大颗粒高纯硫酸镓的制备方法,通过向含镓废液中加入双氧水、硫酸溶液,搅拌过滤,去除不溶杂质;向过滤液中加入足量铝粉,加热搅拌,趁热过滤,去除滤渣;得到的滤液降温冷却,趁冷过滤,弃去滤液,得到含镓固体;将得到的含镓固体用冷水洗涤至中性,然后在电解池阳极进行电解提纯,得到高纯镓;向得到的高纯镓中加入硫酸溶液,至镓全部溶解,得到硫酸镓溶液;溶液蒸发浓缩,然后加水,重复蒸发浓缩数次,冷却结晶,过滤得到硫酸镓晶体;然后真空干燥,得到大颗粒高纯硫酸镓。该制备方法以含镓废液为原料制备大颗粒高纯硫酸镓,成本低,硫酸镓纯度高于99.9%,适用于大规模生产利用,且具有较高的经济价值。

    一种含锗废料氯化回收装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117926039A

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202311872120.6

    申请日:2023-12-30

    摘要: 本发明公开了一种含锗废料氯化回收装置,包括外部罐体、内部蒸馏主体,所述内部蒸馏主体通过可升降装置可升降的设置在外部罐体内;内部罐体侧壁上端设有第一温度传感器,所述蒸汽管道上设有第一阀门,所述外部罐体侧壁上设有第一液位检测仪,所述内部蒸馏主体侧壁上设有第二液位检测仪,将热水作为加热媒介,通过蒸汽持续加热热水保持加热温度,控制其加热温度低于100摄氏度,避免对反应液过度加热导致的三氯化砷蒸发;通过对内部蒸发主体液位检测、热水液位控制,保持热水的液位与蒸馏主体内部液位一致,液位保持一致可保证蒸馏主体内反应液完全与热水完全接触,充分加热。

    一种锗晶片去胶清洗装置

    公开(公告)号:CN220942109U

    公开(公告)日:2024-05-14

    申请号:CN202322462824.8

    申请日:2023-09-12

    IPC分类号: B08B3/02 B08B3/14 B08B1/36

    摘要: 本实用新型公开了一种锗晶片去胶清洗装置,包括装置箱,所述装置箱的顶端固定有安装罩。该锗晶片去胶清洗装置使用时,将晶片工件放置在操作台的顶端,接着控制第二气缸启动,三组弧形夹板同时向内移动,将晶片固定在操作台顶端,控制驱动电机启动利用啮合的驱动齿轮和齿圈带动海绵盘转动,同时控制水泵启动,将装置箱内部的清洗剂抽出并利用出液管输送至集水管内部,再由集水管内侧的喷洒头喷出在锗晶片上,之后控制第一气缸启动输出端向下伸出,并带动海绵盘下移至晶片工件的顶端,转动的海绵盘配合清洗剂使用对晶片上的胶进行湿洗去胶,不容易存在残留胶,解决的是不便于对锗晶片外部进行去胶清洗操作的问题。

    一种便于调节的热料平铺装置

    公开(公告)号:CN221318467U

    公开(公告)日:2024-07-12

    申请号:CN202323429711.4

    申请日:2023-12-15

    IPC分类号: B65G69/20 B65G69/04

    摘要: 本实用新型涉及加工技术领域,具体为一种便于调节的热料平铺装置,包括底座,所述底座上固定设有两块竖板,两块竖板另一端通过第一支撑板固定连接,第一支撑板上固定安装气缸,气缸输出端固定连接压板,两块竖板之间设置有储料仓,储料仓为中空筒状,储料仓两侧分别通过第二支撑板与两块竖板固定连接,储料仓一侧开设有进料口,储料仓底部滑动连接冷却仓,所述压板位于储料仓正上方,所述底座在两块竖板之间还固定设置传送装置,所述传送装置位于冷却仓下方。本实用新型通过气缸控制压板的下移距离调节锗料的平铺厚度,冷却仓加速平铺后的锗料的快速冷却,冷却后的锗料经由传送装置运送至下一生产工艺,大大提高了生产效率。

    一种光学铣磨片自动连续检测装置

    公开(公告)号:CN220853520U

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202322809209.X

    申请日:2023-10-19

    IPC分类号: G01B21/00 G01B21/30 G01B21/20

    摘要: 本实用新型涉及光学铣磨片加工技术领域,尤其涉及一种光学铣磨片自动连续检测装置,包括底座,所述底座内部滑动连接有移动板,所述移动板上端转动连接有活动板,所述活动板上端滑动连接有两个夹板,所述壳体内部滑动连接有板块,所述板块内部滑动连接有连接块,所述连接块下端固定连接有铣磨片,所述壳体内顶端固定安装有检测仪。通过带电机一带动螺杆一进行转动,其中一个移动板向壳体内部移动时,另一个移动板移动至壳体外部,通过电机二带动活动板与物料进行旋转,从而使铣磨片对物料进行加工,再通过检测仪对加工后的物料进行检测,从而自动连续的对物料进行加工检测,同时提高物料的质量,降低人员操作疲劳。

    一种多功能回转炉
    10.
    实用新型

    公开(公告)号:CN220583067U

    公开(公告)日:2024-03-12

    申请号:CN202322182376.6

    申请日:2023-08-15

    摘要: 本实用新型涉及回转炉技术领域,且公开了一种多功能回转炉,包括电机;设置在电机下部的鼓风机;设置在电机上部的支撑结构;以及设置在电机上部的处理部件,所述处理部件包括送料部、预热部、棒磨部、承接部、球磨部、出料部,所述送料部安装在预热部的顶端,所述预热部安装在棒磨部的顶端,所述承接部安装在预热部的底端,所述球磨部安装在出料部的顶端,通过物料通过送料管进入回转管中,会被热气预热,被使用过的热气会通过滤块过滤,逸散到预热腔中,最后被鼓风机吹出的气体带入废气管,预热后的物料会在棒磨部被旋转的粉碎棒磨碎成小物块,只有比第一滤盘上滤孔小的会进入下一道工序,无法被过滤的会继续在棒磨部打磨。