公开(公告)号：CN111621787B

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202010344070.4

申请日：2020-04-27

申请人： 江苏富乐华半导体科技股份有限公司

发明人： 王斌 ,  贺贤汉 ,  欧阳鹏 ,  孙泉 ,  葛荘 ,  戴洪兴

IPC分类号： C23F1/34 ,  C23F1/36 ,  C23F1/32 ,  C09K13/00 ,  H01L21/48

摘要： 本发明公开了一种蚀刻液体系及一种氮化铝基板的刻蚀方法。所述的蚀刻液体系包括：第一蚀刻液，以质量百分比计，包括1％‑5％氨水、3％‑8％强氧化剂、0.5％～5％络合剂以及余量的水；第二蚀刻液，以质量百分比计，包括1％‑5％碱、2％‑8％过氧化氢以及余量的水。所述的氮化铝基板的刻蚀方法，对焊料结合层的蚀刻分两步进行，第一步使用本发明所述第一蚀刻液对铜银共晶层及氮钛反应层进行刻蚀，第二步使用本发明所述第二蚀刻液对铝钛金属间化合物进行刻蚀。本发明的蚀刻液体系具备高选择性、刻蚀能力强；本发明的刻蚀方法蚀刻效率高、蚀刻品质优良；本发明实现了高导热氮化铝陶瓷基板高效、高精度的刻蚀。

公开(公告)号：CN110993485B

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN201911181492.8

申请日：2019-11-27

申请人： 江苏富乐华半导体科技股份有限公司

发明人： 王斌 ,  贺贤汉 ,  欧阳鹏 ,  孙泉 ,  马敬伟 ,  戴洪兴

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/48

摘要： 本发明涉及半导体技术领域。一种氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化方法，在完成图形蚀刻以后进行氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化；步骤一，用1％～5％浓度氢氟酸溶液将氮化硅陶瓷覆铜基板浸泡钝化；步骤二，氮化硅陶瓷覆铜基板用去离子水超声浸泡清洗；步骤三，氮化硅陶瓷覆铜基板用异丙醇浸泡清洗；步骤四，将氮化硅陶瓷覆铜基板热风烘干。通过以上钝化工序，可有效去除产品表面亲水性键合结构(Si‑OH)，从而降低氮化硅表面漏电流随环境变化的漂移值，提高产品绝缘可靠性。