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公开(公告)号：CN107833967A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201711206635.7
申请日：2015-12-04
申请人： 江苏时代全芯存储科技有限公司 , 江苏时代芯存半导体有限公司 , 英属维京群岛商时代全芯科技有限公司
摘要： 本发明揭露一种相变化记忆体及其制造方法。制造相变化记忆体的方法包含：(i)在半导体基材上形成垂直互连结构及第一电极，第一电极位于为垂直互连结构上，且第一电极具有暴露的顶面；(ii)形成加热元件于第一电极上，加热元件包含接触顶面的第一部以及从第一部横向延伸出顶面外的第二部；(iii)形成相变化元件接触加热元件的第二部，相变化元件在半导体基材上的投影与第一电极在半导体基材上的投影不重叠；以及(iv)形成第二电极于相变化元件上，且第二电极在半导体基材上的投影与第一电极在半导体基材上的投影不重叠。在此揭露的相变化记忆体具有很高的布局设计的设计弹性。
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公开(公告)号：CN105742488B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201610107332.9
申请日：2016-02-26
申请人： 江苏时代全芯存储科技有限公司 , 江苏时代芯存半导体有限公司 , 英属维京群岛商时代全芯科技有限公司
发明人： 吴孝哲
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 一种相变化记忆体以及制造相变化记忆体的方法。相变化记忆体包含具有多个第一导电线及多个第一绝缘层的层叠结构、接触结构、第二绝缘层以及相变化结构。第一导电线夹置在两相邻第一绝缘层之间，各第一导电线包含凹口部。接触结构在实质上垂直于各第一导电线的方向上延伸，且接触结构对应于各第一导电线的凹口部。第二绝缘层覆盖各第一导电线的凹口部的一部分，且凹口部的另一部分未被第二绝缘层覆盖。相变化结构围绕接触结构，且包含第一部分以及第二部分，第一部分夹置在接触结构与第二绝缘层之间，第二部分实体接触未被第二绝缘层覆盖的各凹口部的所述另一部分。
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公开(公告)号：CN104993049B
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201510405307.4
申请日：2015-07-08
申请人： 江苏时代全芯存储科技有限公司 , 江苏时代芯存半导体有限公司 , 英属维京群岛商时代全芯科技有限公司
摘要： 一种相变化存储装置及制造方法是部分移除导电材料以使加热器的内径往相变化材料端逐渐缩小，进而使加热器与相变化材料间的接触面积较小。依据此结构，以较小的电流即能够改变小范围相变化材料的结晶态，因此可降低装置的功耗，且可避免产生空洞的缺陷以提升装置的可靠度。
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公开(公告)号：CN104900806B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201510304430.7
申请日：2015-06-04
申请人： 江苏时代全芯存储科技有限公司 , 江苏时代芯存半导体有限公司 , 英属维京群岛商时代全芯科技有限公司
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明有关一种相变化记忆体元件的制造方法。相变化记忆体元件包含一介电层、一金属阻隔层、一加热器、一绝缘层以及一相变化层。该介电层具有一表面以及一通道贯穿该介电层。该金属阻隔层内衬该通道。该加热器设置于该通道且包含一针状部以及一柱状部，该针状部凸出于该介电层的表面。该绝缘层设置于介电层表面且遮蔽部分该加热器。该相变化层设置于介电层表面且与该加热器的针状部接触。本发明的方法改变加热器与记忆体之间的接触面积，达到高电流密度以提高加热器热转换效率。
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公开(公告)号：CN107833873A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201711257248.6
申请日：2015-04-20
申请人： 江苏时代全芯存储科技有限公司 , 江苏时代芯存半导体有限公司 , 英属维京群岛商时代全芯科技有限公司
发明人： 吴孝哲
IPC分类号： H01L23/528 , H01L27/22 , H01L27/24 , H01L21/768
CPC分类号： H01L23/5283 , H01L21/76838 , H01L27/222 , H01L27/24
摘要： 本发明揭露一种记忆体结构与其制备方法。记忆体结构包含一绝缘层、一穿孔、一导电接触以及一记忆体单元。穿孔贯穿此绝缘层。导电接触则位于穿孔中，并具有一第一高度与一第二高度，且第一高度与第二高度之间具有一高度差。而记忆体单元位于导电接触上。
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公开(公告)号：CN109859787A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910048257.7
申请日：2016-02-26
申请人： 江苏时代全芯存储科技有限公司 , 江苏时代芯存半导体有限公司 , 英属维京群岛商时代全芯科技有限公司
发明人： 吴孝哲
摘要： 一种记忆体电路于此揭露。记忆体电路包含晶体管开关、覆盖晶体管开关的上方及周围的绝缘结构、多个设置于绝缘结构上方且呈垂直堆叠的记忆单元层、以及金属层结构。晶体管开关包含栅极结构，源极及漏极。每一记忆单元层包含与晶体管开关的源极之间以源极接触孔电性连接的导电底板、位于导电底板上的多个二极管结构、分别位于二极管结构上的多个记忆单元、以及分别位于记忆单元上，与导电底板大致成垂直排列的多个导电层。金属层结构与晶体管开关的漏极之间以漏极接触孔电性连接。如此一来，透过一个控制开关便可控制多个记忆单元层中的多个记忆单元，提高单位面积中的记忆容量，并简化三维记忆体电路的制程步骤，降低制程成本。
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公开(公告)号：CN105788632B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201610107337.1
申请日：2016-02-26
申请人： 江苏时代全芯存储科技有限公司 , 江苏时代芯存半导体有限公司 , 英属维京群岛商时代全芯科技有限公司
发明人： 吴孝哲
摘要： 一种记忆体电路于此揭露。记忆体电路包含晶体管开关、覆盖晶体管开关的上方及周围的绝缘结构、多个设置于绝缘结构上方且呈垂直堆叠的记忆单元层、以及金属层结构。晶体管开关包含栅极结构，源极及漏极。每一记忆单元层包含与晶体管开关的源极之间以源极接触孔电性连接的导电底板、位于导电底板上的多个二极管结构、分别位于二极管结构上的多个记忆单元、以及分别位于记忆单元上，与导电底板大致成垂直排列的多个导电层。金属层结构与晶体管开关的漏极之间以漏极接触孔电性连接。如此一来，透过一个控制开关便可控制多个记忆单元层中的多个记忆单元，提高单位面积中的记忆容量，并简化三维记忆体电路的制程步骤，降低制程成本。
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公开(公告)号：CN108550696A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810339585.8
申请日：2016-03-08
申请人： 江苏时代全芯存储科技有限公司 , 江苏时代芯存半导体有限公司 , 英属维京群岛商时代全芯科技有限公司
发明人： 吴孝哲
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/1286 , H01L45/12
摘要： 本发明揭露一种相变化记忆体。相变化记忆体包含相变化层、导电层、加热元件、第一绝缘垫以及接触结构。相变化层具有一主表面，导电层位于相变化层的主表面的一侧，且电性连接相变化层。加热元件接触相变化层的主表面。第一绝缘垫接触相变化层的主表面，且包含相对的第一侧面以及第二侧面，分别接触加热元件以及导电层。接触结构电性连接加热元件。此相变化记忆体具有低生产成本、稳定的品质及高的记忆单元密度。
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公开(公告)号：CN105489757B
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201510886052.8
申请日：2015-12-04
申请人： 江苏时代全芯存储科技有限公司 , 江苏时代芯存半导体有限公司 , 英属维京群岛商时代全芯科技有限公司
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明揭露一种相变化记忆体结构与其制造方法。相变化记忆体结构包含一主动元件、一下电极、一墙形加热器、一相变化层、一上电极以及一绝缘层。下电极耦接主动元件，而墙形加热器接触下电极。墙形加热器具有一侧面与一墙面，侧面沿一第一方向延伸，而墙面沿一第二方向延伸，且第一方向与第二方向彼此交错。一相变化层位于墙形加热器的一侧，相变化层具有一侧面沿第一方向延伸，且墙形加热器的侧面接触相变化层的侧面。上电极位于相变化层上，而绝缘层覆盖墙形加热器与相变化层。此方法能制造具有极小特征尺寸的墙形加热器，而不需繁复的对准机制，且墙形加热器与相变化层之间的接触面积很小，因此相变化记忆体的重置电流很低。
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公开(公告)号：CN105789437B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201610130129.3
申请日：2016-03-08
申请人： 江苏时代全芯存储科技有限公司 , 江苏时代芯存半导体有限公司 , 英属维京群岛商时代全芯科技有限公司
发明人： 吴孝哲
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明揭露一种制造相变化记忆体的方法。相变化记忆体的制造方法包含以下操作：(i)形成多个层叠结构，各层叠结构包含多个介电层、多个相变化材料层及多个导电层，各导电层及各相变化材料层夹置在相邻的两个所述介电层之间；(ii)形成一绝缘层于相邻的两个所述层叠结构之间，其中绝缘层具有至少一接触孔暴露出各相变化材料层的一侧壁部分和各导电层的一侧壁部分；(iii)移除各导电层的侧壁部分，以在相邻的所述介电层与所述相变化材料层之间形成一第一空隙；(iv)在各第一空隙中形成一绝缘材料；(v)移除各绝缘材料的一部分，以形成多个第二空隙；(vi)在各第二空隙中形成一加热材料层；以及(vii)形成一接触结构于接触孔中。
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