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公开(公告)号：CN116466157A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310353957.3
申请日：2023-04-06
申请人： 江苏能华微电子科技发展有限公司
IPC分类号： G01R31/00
摘要： 本发明公开一种耗尽型GaNHEMT器件反偏老化测试装置，涉及功率器件测试领域，装置包括：电源模块和测试电阻转换模块的一端均与测试模块连接；测试模块用于放置待测试器件；电源模块用于对所述待测试器件提供电压；测试电阻转换模块的另一端与测试电阻连接；测试电阻转换模块用于根据待测试器件的电压和电流调节测试电阻的阻值；控制模块分别与电源模块和测试电阻转换模块连接；控制模块用于控制电源模块的开关，并设置测试电阻转换模块的参数，以进行反偏老化测试。本发明的电源模块能够仅对功率器件的漏极提供高压，栅极接地，提高了功率器件反偏老化测试的稳定性。
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公开(公告)号：CN114823655B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210732002.4
申请日：2022-06-27
申请人： 江苏能华微电子科技发展有限公司
IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/485 , H01L21/56 , H01L21/60
摘要： 本发明涉及一种GaN HEMT器件的共源共栅封装结构及方法，包括：Si MOS器件和GaN HEMT器件；Si MOS器件的源极与GaN HEMT器件的栅极通过第一源极通孔、第二导通线、第二栅极通孔连接；Si MOS器件的漏极与GaN HEMT器件的源极通过第一漏极通孔、第一导通线、第一金属柱、第三导通线和第二源极通孔连接；将Si MOS器件的源极引出作为封装结构的源极引脚；将Si MOS器件的栅极引出作为封装结构的栅极引脚；将GaN HEMT器件的漏极引出作为封装结构的漏极引脚。将GaN HEMT器件和Si MOS器件级联，并结合面板级扇出型先进封装技术，提高器件的开关频率。
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公开(公告)号：CN114070081A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111156495.3
申请日：2021-09-30
申请人： 江苏能华微电子科技发展有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于分立的耗尽型GaN器件的快充电路，包括：交流电源、整流桥、输入电解电容、变压器、吸收电路、输出整流管、输出电容、负载、GaN HEMT管和低压silicon管；本发明采用分立的高压D mode GaN器件和低压silicon器件级联形式，并使用一个外置电容来补偿电容的不匹配，从而实现低压Silicon工作在合理的电压区间。
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公开(公告)号：CN114050153A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111156516.1
申请日：2021-09-30
申请人： 江苏能华微电子科技发展有限公司
IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/492 , H01L23/367
摘要： 本发明涉及了一种Cascode增强型级联器件，所述级联器件包括：金属板、SiMOSFET器件和GaNHEMT器件；所述SiMOSFET器件和所述GaNHEMT器件均设置在所述金属板上；所述SiMOSFET器件和所述GaNHEMT器件通过所述金属板级联连接。本发明将金属板作为所述SiMOSFET器件和所述GaNHEMT器件互联的基础，并作为散热片，无需陶瓷板，在提高了器件的散热性能的基础上，降低了成本。
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公开(公告)号：CN114823655A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210732002.4
申请日：2022-06-27
申请人： 江苏能华微电子科技发展有限公司
IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/485 , H01L21/56 , H01L21/60
摘要： 本发明涉及一种GaN HEMT器件的共源共栅封装结构及方法，包括：Si MOS器件和GaN HEMT器件；Si MOS器件的源极与GaN HEMT器件的栅极通过第一源极通孔、第二导通线、第二栅极通孔连接；Si MOS器件的漏极与GaN HEMT器件的源极通过第一漏极通孔、第一导通线、第一金属柱、第三导通线和第二源极通孔连接；将Si MOS器件的源极引出作为封装结构的源极引脚；将Si MOS器件的栅极引出作为封装结构的栅极引脚；将GaN HEMT器件的漏极引出作为封装结构的漏极引脚。将GaN HEMT器件和Si MOS器件级联，并结合面板级扇出型先进封装技术，提高器件的开关频率。
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公开(公告)号：CN116137286A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202310402411.2
申请日：2023-04-17
申请人： 江苏能华微电子科技发展有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/778 , H01L21/335
摘要： 本发明提供了一种增强型GaN HEMT器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域。本发明制备的增强型GaN HEMT器件在相同器件面积下，相对于传统p‑GaN栅HEMT器件，输出电流提高50%~200%，栅漏电降低1~4个数量级，阈值电压可以在1~5V范围调整。驱动电压可以工作在10V，最大可以工作在30V，p‑GaN栅HEMT器件工作在6V，最大不能超过7V。本发明的增强型GaN HEMT器件电流密度更大，驱动电压范围较宽，可靠性高。
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公开(公告)号：CN115863425A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202310052768.2
申请日：2023-02-03
申请人： 江苏能华微电子科技发展有限公司
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/10 , H01L23/367 , H01L23/373
摘要： 本发明公开一种蓝宝石衬底的GaN HEMT器件及共源共栅结构，涉及GaN HEMT器件技术领域，所述蓝宝石衬底的GaN HEMT器件，包括：由上向下依次设置的蓝宝石衬底、GaN HEMT层和电极层；所述电极层包括源极、栅极和漏极。本发明可以实现GaN HEMT器件的高效散热。
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公开(公告)号：CN114038910A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111156517.6
申请日：2021-09-30
申请人： 江苏能华微电子科技发展有限公司
IPC分类号： H01L29/47 , H01L29/45 , H01L29/778 , H01L29/812
摘要： 本发明涉及了一种组合接触结构及新型GaN HEMT器件，新型GaNHEMT器件包括增强型GaN HEMT器件和组合接触结构，所述组合接触结构包括欧姆接触部和肖特基接触部；所述组合接触结构设置在增强型GaN HEMT器件的p‑GaN帽层的上部；所述欧姆接触部与所述增强型GaN HEMT器件的p‑GaN帽层形成欧姆接触；所述肖特基接触部与所述增强型GaN HEMT器件的p‑GaN帽层形成欧姆接触肖特基接触。本发明通过欧姆接触部提供足够的空穴，以消除“浮动p‑GaN”效应，通过肖特基接触部的设置减少欧姆接触的栅极漏电。
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公开(公告)号：CN115996050A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202310286190.7
申请日：2023-03-23
申请人： 江苏能华微电子科技发展有限公司
IPC分类号： H03K17/687
摘要： 本发明公开一种耗尽型GaN功率器件直驱电路，涉及GaN器件驱动领域，包括驱动芯片、驱动电路和至少一个耗尽型GaN功率器件；驱动芯片分别与驱动电路的一端和耗尽型GaN功率器件的源极以及KS引脚连接；驱动电路的另一端与耗尽型GaN功率器件的栅极连接。本发明的耗尽型GaN功率器件直驱电路的外围电路很少，电路结构简单，应用工程师能够很轻松简单地进行使用；耗尽型GaN功率器件可以采用各种不同形式的封装，能满足大功率应用需求；另外，该电路可以很容易实现GaN功率器件的并联。
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