一种基于压电效应检测周期极化晶体占空比的方法

    公开(公告)号:CN111474421B

    公开(公告)日:2022-03-08

    申请号:CN202010409268.6

    申请日:2020-05-14

    IPC分类号: G01R29/22 H01S3/06

    摘要: 本发明公开了一种基于压电效应检测周期极化晶体占空比的方法,包括以下步骤:步骤1,确定待测试样品的压电性能为D,畴结构周期L,待测试样品为周期极化晶体;步骤2,在待测试样品上选取测试面或测试点;步骤3,通过压电系数测试方法,测量步骤2所选取测试面或测试点压电性能,获得测试面或测试点的压电系数X(d33);步骤4,根据步骤1所得待测试样品压电性能、步骤3所得待测试样品的压电系数以及占空比计算式计算步骤2所选取测试面或测试点的占空比η;实现无损检测样品的占空比,检测误差小通过该方法可以获得周期极化晶体占空比的具体数值,且通常使用条件下(R>10L)最大误差不超过3%,可用于周期极化晶体占空比的准确测试。

    一种基于压电效应检测周期极化晶体占空比的方法

    公开(公告)号:CN111474421A

    公开(公告)日:2020-07-31

    申请号:CN202010409268.6

    申请日:2020-05-14

    IPC分类号: G01R29/22 H01S3/06

    摘要: 本发明公开了一种基于压电效应检测周期极化晶体占空比的方法,包括以下步骤:步骤1,确定待测试样品的压电性能为D,畴结构周期L,待测试样品为周期极化晶体;步骤2,在待测试样品上选取测试面或测试点;步骤3,通过压电系数测试方法,测量步骤2所选取测试面或测试点压电性能,获得测试面或测试点的压电系数X(d33);步骤4,根据步骤1所得待测试样品压电性能、步骤3所得待测试样品的压电系数以及占空比计算式计算步骤2所选取测试面或测试点的占空比η;实现无损检测样品的占空比,检测误差小通过该方法可以获得周期极化晶体占空比的具体数值,且通常使用条件下(R>10L)最大误差不超过3%,可用于周期极化晶体占空比的准确测试。

    一种直波导型电光相位调制器及其制备方法

    公开(公告)号:CN107219646B

    公开(公告)日:2019-07-23

    申请号:CN201710414043.8

    申请日:2017-06-05

    IPC分类号: G02F1/03

    摘要: 本发明公开了一种直波导型电光相位调制器及其制备方法,电光调制器具有平板电容型结构,包括相当于介质层的单晶与单晶上下表面的电极层。单晶为二元(1‑x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑xPbTiO3体系或三元(1‑x‑y)Pb(In1/2Nb1/2)O3‑xPb(Mg1/3Nb2/3)O3‑yPbTiO3体系。直波导型电光相位调制器是利用铁电体的畴转向和双折射率之差,通过加在共面电极上的预制电场诱发畴转向,在局部区间产生了高达3%的折射率变化,有效构造了一种结构简单,易于加工制造的光波导结构。本发明具有极低的半波电压、低的插入损耗、高的带宽和优异的相位调制能力。将铁电性和强光学非线性结合,可设计多种光信息转换器件,实现光子偏振态的有效控制,微弱信号的检测以及相控阵信号的生成与控制,适用于量子保密通信技术及微波光子学雷达技术领域。

    一种高性能直波导型电光相位调制器及其制备方法

    公开(公告)号:CN107219646A

    公开(公告)日:2017-09-29

    申请号:CN201710414043.8

    申请日:2017-06-05

    IPC分类号: G02F1/03

    CPC分类号: G02F1/0316 G02F1/03

    摘要: 本发明公开了一种高性能直波导型电光相位调制器及其制备方法,电光调制器具有平板电容型结构,包括相当于介质层的单晶与单晶上下表面的电极层。单晶为二元(1‑x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑xPbTiO3体系或三元(1‑x‑y)Pb(In1/2Nb1/2)O3‑xPb(Mg1/3Nb2/3)O3‑yPbTiO3体系。直波导型电光相位调制器是利用铁电体的畴转向和双折射率之差,通过加在共面电极上的预制电场诱发畴转向,在局部区间产生了高达3%的折射率变化,有效构造了一种结构简单,易于加工制造的光波导结构。本发明具有极低的半波电压、低的插入损耗、高的带宽和优异的相位调制能力。将铁电性和强光学非线性结合,可设计多种光信息转换器件,实现光子偏振态的有效控制,微弱信号的检测以及相控阵信号的生成与控制,适用于量子保密通信技术及微波光子学雷达技术领域。