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发明公开
一种基于新型前驱体和PE-ALD的氧化铪薄膜的制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN117626217A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311672770.6

申请日：2023-12-07

申请人： 江苏雅克科技股份有限公司 , 江苏先科半导体新材料有限公司

发明人： 朱丹萍 , 张香梅 , 席慧敏 , 谢东颖 , 翁圣斐 , 顾玲

IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/455

摘要： 本发明公开了一种基于新型前驱体和PE‑ALD的氧化铪薄膜的制备方法，包括：将基底放置在ALD设备中，设定沉积温度范围；将前驱体CpHf(NMe2)3引入到ALD设备的反应室内，前驱体与预先通入的等离子体在设定的沉积温度范围内进行反应；CpHf(NMe2)3前驱体在反应室内按照设定的沉积温度范围进行原子层沉积，通过控制GPC，使前驱体在基底表面生成氧化铪薄膜。本发明通过使用特定前驱体和等离子体增强原子层沉积方法，制备的氧化铪薄膜具备高纯度、热稳定性好、元素分布均匀、高介电常数等诸多优点。