公开(公告)号：CN119023627A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202410962330.2

申请日：2024-07-18

Applicant: 江西师范大学

Inventor： 杨勇 ,  尧慎曼 ,  王德华 ,  李嘉昊 ,  朱玉林 ,  尤见贤 ,  俞挺 ,  袁彩雷

IPC: G01N21/63 ,  G01N21/65 ,  G01N21/31 ,  G01N21/33 ,  G01N21/17 ,  G01N21/25 ,  G01N21/01 ,  G01N21/84 ,  G01N27/04

Abstract: 本发明公开了一种可见光激发室温乙酸气体传感器及其制备方法和应用，涉及气体传感器的制备及应用领域，包括衬底以及生长在所述衬底表面的Bi2WO6晶面异质结敏感层，所述Bi2WO6晶面异质结为纳米片形貌。制备方法包括：采用溶剂辅助固相反应法制备Bi2WO6晶面异质结；然后采用厚膜工艺将所述Bi2WO6晶面异质结作为敏感层涂覆到具有贵金属Pt叉指电极的Al2O3衬底上；该传感器能够用于在低功耗可见光LED的激发下对乙酸进行室温高选择性检测。本发明的有益效果是本发明的乙酸气体传感器中Bi2WO6晶面异质结具有丰富的氧吸附活性位点和高效的空间光生载流子分离效率，在可见光激发下实现乙酸气体的室温高选择性检测。

公开(公告)号：CN119349655A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411934423.0

申请日：2024-12-26

Applicant: 江西师范大学

Inventor： 杨勇 ,  尤见贤 ,  朱玉林 ,  俞挺 ,  袁彩雷

IPC: C01G53/04 ,  G01N27/12 ,  C23C18/14 ,  C01G15/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y15/00

Abstract: 本发明属于纳米材料异质结技术领域，具体涉及NiO/Ag/ZnIn2S4异质结纳米片阵列及其制备方法和室温气体传感器。其包括衬底以及原位生长在衬底表面的NiO/Ag/ZnIn2S4异质结纳米片阵列；NiO/Ag/ZnIn2S4异质结纳米片阵列由NiO多孔纳米片、Ag纳米颗粒和ZnIn2S4纳米片构成，其中NiO纳米片为垂直交错生长的阵列结构，Ag纳米颗粒均匀的分散在NiO多孔纳米片表面，ZnIn2S4纳米片包裹住NiO多孔纳米片。本发明的制备过程简单，成本低，NiO/Ag/ZnIn2S4异质结纳米片阵列具有良好的异质界面接触，Ag纳米颗粒的存在促进了NiO与ZnIn2S4之间的电子转移，ZnIn2S4的包裹增加了材料的比表面积。NiO/Ag/ZnIn2S4异质结纳米片阵列可以应用在室温气体传感器中，具体在白光激发下三乙胺的室温高选择性检测。