一种基于中空结构纳米颗粒的浮栅存储器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN118870829A

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202411346332.5

    申请日:2024-09-26

    Abstract: 本发明公开了一种基于中空结构纳米颗粒的浮栅存储器件及其制备方法,涉及电荷存储技术领域,浮栅存储器件包括:衬底;隧道氧化层,设置在衬底上;存储介质层,设置在隧道氧化层上,含有具有中空结构的CoO纳米颗粒;控制氧化层,设置在存储介质层上;制备方法包括:在衬底上形成隧道氧化层;继续形成存储介质层,包括:通过脉冲激光沉积设备在隧道氧化层上交替沉积氧化物和Co,保护气体氛围下退火处理,Co纳米颗粒埋嵌在非晶态的氧化物内;氧气氛围下退火处理,形成中空结构的CoO纳米颗粒;继续形成控制氧化层。本发明的有益效果是形成中空结构的氧化钴纳米颗粒,具有更多表面缺陷和界面态,能俘获更多的注入电荷,增强器件的电荷存储能力。

    室温铁磁二硒化钒纳米颗粒及其制备方法和作为析氧反应电催化剂的应用

    公开(公告)号:CN114772560B

    公开(公告)日:2023-04-11

    申请号:CN202210400383.6

    申请日:2022-04-16

    Abstract: 本发明提供了一种室温铁磁二硒化钒纳米颗粒及其制备方法和作为析氧反应电催化剂的应用。所述制备方法具体为:提供衬底和靶材,所述靶材为二硒化钒靶和碳靶的混合靶材;在真空环境中,使所述衬底和靶材沿相反方向旋转,并利用准分子激光轰击所述靶材,使得所述靶材中的二硒化钒和碳交替沉积到所述衬底上;在惰性气体氛围中,将沉积了二硒化钒和碳的所述衬底进行退火处理,得到所述室温铁磁二硒化钒纳米颗粒。这种新颖的室温铁磁二硒化钒纳米颗粒在充分暴露边缘催化活性位点的同时保证了较好的导电性,且在外磁场作用下析氧反应性能可以得到大幅提升;其在电解水析氧反应中表现出优异的催化活性、良好的稳定性以及显著的磁场增强析氧反应。

    一种具有异质结构的氢氧化钴/氧化铜微米珊瑚阵列电极材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN114113234A

    公开(公告)日:2022-03-01

    申请号:CN202111275374.0

    申请日:2021-10-29

    Abstract: 本发明公开了一种具有异质结构的氢氧化钴/氧化铜微米珊瑚阵列电极材料及其制备方法和应用。该复合材料是按照以下步骤进行制备的:a、采用方波电势脉冲法处理光滑金属铜表面,快速原位生长出微米珊瑚状金属铜阵列;b、以循环伏安法将珊瑚状金属铜阵列电氧化,形成微米珊瑚状氧化铜阵列;c、经过电化学沉积处理,在氧化铜阵列表面负载氢氧化钴,形成具有异质结构的氢氧化钴/氧化铜微米珊瑚阵列电极材料。该复合电极材料用于无酶电化学传感检测葡萄糖时表现出了灵敏度高、响应迅速、抗干扰和抗毒化性能,具有宽线性范围、低检测限及良好的稳定性。本发明为发展高性能、低成本的非贵金属基无酶葡萄糖传感器提供了新的思路。

    一种多孔碳包覆Fe掺杂CoP颗粒/碳纳米管析氧电催化复合材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN113903929A

    公开(公告)日:2022-01-07

    申请号:CN202111073353.0

    申请日:2021-09-14

    Abstract: 本发明涉及一种多孔碳包覆Fe掺杂CoP颗粒/碳纳米管析氧电催化复合材料及其制备方法和应用,属于电催化析氧领域。该复合材料的制备步骤为:a、采用液相法在羧基化碳纳米管表面均匀生长ZnCo双金属沸石咪唑框架化合物,作为前驱体;b、以离子交换法在前驱体表面负载含Fe类普鲁士兰晶体,形成ZIFs@PBA/CNTs复合前驱体;c、经过在惰性气氛中高温退火处理,产生多孔碳包覆Fe掺杂金属Co颗粒/碳纳米管复合物;d、最终将复合物预氧化,再以次亚磷酸钠晶体为磷源,在石英管式炉中热处理反应获得多孔碳包覆Fe掺杂CoP颗粒/碳纳米管析氧电催化复合材料。该复合材料具有良好的导电性和电催化稳定性。

    三维分级FeP纳米片析氢电催化材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN109989070B

    公开(公告)日:2021-08-27

    申请号:CN201910373534.1

    申请日:2019-05-07

    Abstract: 本发明涉及一种三维分级FeP纳米片析氢电催化材料及其制备方法和应用,属于电催化析氢领域。本发明首先采用交流电压剥离铁丝制备三维纳米片铁氧化物,作为前驱体;再以次亚磷酸钠晶体为磷源,在石英管式炉中,一步热处理反应制备三维FeP纳米片析氢电催化材料。本发明提供的方法中三维纳米片铁氧化物制备工艺简单、绿色,产率高;采用简便、温和的一步低温磷化法制备三维FeP纳米片析氢电催化材料,成本低、重复性高、易于大规模合成。三维FeP纳米片材料用于电催化析氢反应时表现出优异的催化性能,得到还原电流密度10mA·cm–2时,仅需测试过电位88mV,而塔菲尔斜率仅为47.7mV·dec–1;具有良好的电催化稳定性。

    基于纳米材料的传感器的形成方法

    公开(公告)号:CN106556626A

    公开(公告)日:2017-04-05

    申请号:CN201611020999.1

    申请日:2015-01-22

    CPC classification number: G01N27/12

    Abstract: 基于纳米材料的传感器的形成方法,包括:半导体衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面,半导体衬底的第一表面具有第一介质层,第二表面具有第二介质层;在所述第一介质层表面形成若干MoS2纳米结构,若干MoS2纳米结构呈线性排列;在第一介质层表面形成若干传输线,所述传输线具有间隔,所述间隔适于容纳所述MoS2纳米结构;在半导体衬底的第二介质层表面形成接地层,所述接地层形成有互补开口谐振环,互补开口谐振环的位置与所述MoS2纳米结构的位置对应,互补开口谐振环的超材料可在λ/8至λ/12谐振。本发明实施例的形成的传感器无需电源驱动和连线传输信号或检测数据,且灵敏度高、检测精度高、兼容性好。

    集成MOS器件的CMOS湿度传感器形成方法

    公开(公告)号:CN105366636B

    公开(公告)日:2017-03-22

    申请号:CN201510873922.8

    申请日:2015-02-09

    Abstract: 一种集成MOS器件CMOS湿度传感器形成方法,其中集成MOS器件CMOS湿度传感器的形成方法包括:利用MOS器件中的子金属互连层的形成工艺形成湿度传感器的下电极层、第一金属互连层、第一电连接层、第二电连接层以及上电极层;然后采用兼容标准CMOS工艺中的刻蚀工艺、各向同性刻蚀工艺,在传感器区形成环形凹槽以及隔热区域,在传感器区形成相互贯穿的通孔以及沟槽;然后形成填充满通孔和沟槽的湿敏材料层。本发明湿度传感器的形成工艺与MOS器件的形成工艺完全兼容,将湿度传感器和MOS器件集成在同一芯片上,缩小了芯片面积,降低了功耗,提高了集成度和产量。

    基于纳米材料的传感器检测气体的方法

    公开(公告)号:CN106404849A

    公开(公告)日:2017-02-15

    申请号:CN201611020960.X

    申请日:2015-01-22

    CPC classification number: G01N27/127

    Abstract: 一种基于纳米材料的传感器检测气体的方法,包括:获取第一曲线,所述第一曲线为:在没有待检测气体的环境下,所述传感器的频率与S11的曲线;将所述传感器放置于待检测环境,获取第二曲线,所述第二曲线为:在待检测环境下,所述传感器的频率与S11的曲线;通过比较第一曲线和第二曲线的频移的谐振频率变化与否,检测待检测环境下是否存在待检测气体。本发明实施例的传感器检测气体的方法灵敏度高、检测精度高、兼容性好。

    埋嵌型二硫化钼纳米颗粒及其制备方法和作为析氢反应电催化剂的应用

    公开(公告)号:CN114774945A

    公开(公告)日:2022-07-22

    申请号:CN202210400382.1

    申请日:2022-04-16

    Abstract: 本发明提供了一种埋嵌型二硫化钼纳米颗粒及其制备方法和作为析氢反应电催化剂的应用。所述埋嵌型二硫化钼纳米颗粒是采用脉冲激光沉积技术结合快速退火方法制备获得的,制备方法具体为:提供衬底和靶材,所述靶材为二硫化钼靶和碳靶的混合靶材;在真空环境中,使所述衬底和靶材沿相反方向旋转,并利用准分子激光轰击所述靶材,使得所述靶材中的二硫化钼和碳交替沉积到所述衬底上;在惰性气体氛围中,将沉积了二硫化钼和碳的所述衬底进行退火处理,得到所述埋嵌型二硫化钼纳米颗粒。这种新颖的埋嵌型二硫化钼纳米颗粒在充分暴露边缘催化活性位点的同时保证了较好的导电性,在电解水析氢反应中表现出优异的催化活性和良好的稳定性。

Patent Agency Ranking