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公开(公告)号：CN106222742A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610817233.X
申请日：2016-09-12
申请人： 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种晶体硅的制备方法，包括：将多晶硅料和掺杂剂加入到铸锭炉或单晶炉的坩埚内，掺杂剂为含有掺杂元素的单质、合金、氧化物和氮化物中的一种或多种；掺杂元素包括硼、镓和锑；多晶硅料中，镓、锑和硼三种元素的原子浓度比为1:(0.15-0.3):(0.005-0.1)；在保护气体存在下，加热使多晶硅料和掺杂剂完全熔化形成硅熔体，调节晶体硅生长参数，使硅熔体开始长晶，待坩埚内的硅熔体结晶完毕后，得到晶体硅。本发明提供的晶体硅的制备方法，解决了晶体硅的电阻率分布较宽的问题，提高了晶体硅的收率；方便了头尾料的回收，降低了晶体硅的应用成本。本发明还提供了一种晶体硅，该晶体硅电阻率分布集中，利用该晶体硅制成的太阳能电池片的光衰大大降低。
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公开(公告)号：CN106591942A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611259281.8
申请日：2016-12-30
申请人： 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种多晶硅铸锭用坩埚，包括坩埚本体和掺杂层，坩埚本体包括底座及由底座向上延伸的侧壁，掺杂层附着在距底座第一高度和第二高度之间的侧壁的内表面上，第一高度为坩埚内预填装硅料熔化后形成的熔融硅液液面距坩埚本体底座的高度，第二高度为所述熔融硅液全部转变为固态硅锭时硅锭上表面距坩埚本体底座的高度，掺杂层的材料包括石英棉或碳纤维和负载在石英棉或碳纤维中的掺杂材料，掺杂材料包括第一掺杂剂，第一掺杂剂包括P型掺杂元素和N型掺杂元素中的任一种和/或锗元素；第一掺杂剂在坩埚内的预填装硅料中的初始原子体积浓度为1×1013‑7×1018atmos/cm3。本发明提供的坩埚，可有效降低坩埚侧壁传热的速度，降低掺杂层的温度，避免第一掺杂剂提前熔化。
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公开(公告)号：CN103469292B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201310389099.4
申请日：2013-08-31
申请人： 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种多晶硅片及其制备方法，首先，提供坩埚，将所述坩埚底部划分为一个或多个目标区域，所述目标区域由目标图案区域和非目标图案区域组成，将晶粒尺寸不同的两种籽晶分别铺设在所述目标图案区域和所述非目标图案区域，得到籽晶层；然后在所述籽晶层上填装硅料，加热使所述坩埚内硅料熔化形成硅熔体，调节热场形成过冷状态，使得所述硅熔体在所述籽晶层基础上开始长晶，长晶完成后在多晶硅片上得到和所述目标图案一致或相似的图案，使多晶硅片更加美观和更易识别。
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公开(公告)号：CN104060324A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410269640.2
申请日：2014-06-17
申请人： 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种用于多晶硅铸锭的脱模层，所述脱模层设置于铸锭用坩埚内壁的表面，将硅料与坩埚内壁隔离，所述坩埚内壁包括坩埚底部和坩埚侧壁，所述脱模层的材质为纯度在99.99％以上的高纯硅化物薄片，所述脱模层的厚度为0.1mm～2mm。采用高纯硅化物薄片作为脱模层，解决了现有涂层技术带来的粗糙界面对形核不利的问题，以及涂层颗粒引起长晶杂质原子以及杂质颗粒沾污的问题；本发明还提供了一种多晶硅锭的制备方法和铸锭用坩埚，将所述坩埚应用于多晶硅铸锭，可以改善铸锭底部及侧边红区的宽度，尤其是可以应用于准单晶硅铸锭，降低了现有涂层技术对准单晶侧部生长的不利影响，大幅提高准单晶的比例。
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公开(公告)号：CN105369351A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510952651.5
申请日：2015-12-17
申请人： 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种多晶硅锭的制备方法，包括以下步骤：(1)在坩埚底部铺设籽晶，形成籽晶层；(2)在籽晶层上方设置阻挡层，阻挡层的熔点小于等于硅的熔点；(3)在阻挡层上方填装硅料，加热使硅料熔化形成硅熔体，硅料熔化过程中，阻挡层用于阻挡硅熔体与籽晶层接触，待硅料和阻挡层完全熔化后形成的固液界面刚好处在或深入籽晶层时，调节热场形成过冷状态，使硅熔体在籽晶层基础上开始长晶；(4)待全部硅熔体结晶完后，经退火冷却得到多晶硅锭。本发明通过在籽晶层上方设置阻挡层，籽晶的形核界面位错得到减少，可以减少后续晶体生长过程中的位错增殖，从而提高了多晶硅铸锭整锭的质量，实现了铸锭硅片所制多晶硅电池效率的提高。
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公开(公告)号：CN105369351B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201510952651.5
申请日：2015-12-17
申请人： 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种多晶硅锭的制备方法，包括以下步骤：(1)在坩埚底部铺设籽晶，形成籽晶层；(2)在籽晶层上方设置阻挡层，阻挡层的熔点小于等于硅的熔点；(3)在阻挡层上方填装硅料，加热使硅料熔化形成硅熔体，硅料熔化过程中，阻挡层用于阻挡硅熔体与籽晶层接触，待硅料和阻挡层完全熔化后形成的固液界面刚好处在或深入籽晶层时，调节热场形成过冷状态，使硅熔体在籽晶层基础上开始长晶；(4)待全部硅熔体结晶完后，经退火冷却得到多晶硅锭。本发明通过在籽晶层上方设置阻挡层，籽晶的形核界面位错得到减少，可以减少后续晶体生长过程中的位错增殖，从而提高了多晶硅铸锭整锭的质量，实现了铸锭硅片所制多晶硅电池效率的提高。
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公开(公告)号：CN102503545B
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201110299490.6
申请日：2011-09-28
申请人： 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
IPC分类号： C04B41/50
摘要： 本发明提供了一种用于多晶硅铸锭坩埚的氮化硅喷涂溶液的制备方法，包括取氮化硅原料，加入碱液进行洗涤，搅拌，反应制得含有硅酸盐的氮化硅溶液，固液分离，碱液洗涤过程中根据氮化硅原料中含有的硅粉和二氧化硅的量调整氮化硅溶液的pH值和/或固液分离的次数，制得含有硅酸根离子的氮化硅溶液，加入过量酸液进行洗涤，搅拌，固液分离，直至氮化硅溶液的pH值与纯水的pH值接近，制得含有0.0001～10％硅酸的氮化硅溶液，进行搅拌、超声或球磨，制得用于多晶硅铸锭坩埚的氮化硅喷涂溶液。该方法成本低、应用广泛且适合大规模生产，制得的氮化硅喷涂溶液纯度高，可免烘烤喷涂在坩埚上形成与坩埚内壁紧密结合的不易脱落的氮化硅涂层。
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公开(公告)号：CN103469292A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310389099.4
申请日：2013-08-31
申请人： 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种多晶硅片及其制备方法，首先，提供坩埚，将所述坩埚底部划分为一个或多个目标区域，所述目标区域由目标图案区域和非目标图案区域组成，将晶粒尺寸不同的两种籽晶分别铺设在所述目标图案区域和所述非目标图案区域，得到籽晶层；然后在所述籽晶层上填装硅料，加热使所述坩埚内硅料熔化形成硅熔体，调节热场形成过冷状态，使得所述硅熔体在所述籽晶层基础上开始长晶，长晶完成后在多晶硅片上得到和所述目标图案一致或相似的图案，使多晶硅片更加美观和更易识别。
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