公开(公告)号：CN112382629A

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN202011632856.2

申请日：2020-12-31

申请人： 江阴长电先进封装有限公司

发明人： 陈海杰 ,  王金峰 ,  陈栋 ,  陈锦辉 ,  谢皆雷

IPC分类号： H01L25/18 ,  H01L25/065 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L21/98 ,  H01L21/768

摘要： 本发明涉及一种堆叠晶圆结构及其封装方法，属于半导体芯片封装技术领域。其包括晶圆堆叠体C2、承载晶圆A1、电气连接层（150），所述晶圆堆叠体C2设置于承载晶圆A1上方并通过电气连接层（150）连接，所述晶圆堆叠体C1包括若干层功能晶圆，从下而上，所述晶圆尺寸逐渐减小，其四周形成阶梯状的侧壁，于承载晶圆A1上方，所述晶圆堆叠体C2的正面及其阶梯状的侧壁涂覆介电层Ⅲ（300）并形成介电层Ⅲ开口（301），所述介电层Ⅲ开口（301）上内设置金属种子层（310）和金属凸块（360），所述金属凸块（360）与相邻的晶圆的金属互联层（120）通过金属种子层（310）连接。本发明提供了多层堆叠晶圆结构及其制作方法。

公开(公告)号：CN112466869A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN202011619443.0

申请日：2020-12-31

申请人： 江阴长电先进封装有限公司

发明人： 陈海杰 ,  王金峰 ,  陈栋 ,  陈锦辉 ,  谢皆雷

IPC分类号： H01L25/18 ,  H01L25/065 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L21/98 ,  H01L21/768

摘要： 本发明涉及一种堆叠晶圆结构及其制作方法，属于半导体芯片封装技术领域。其包括晶圆堆叠体C2、晶圆A1、电气连接层（150），所述晶圆堆叠体C2设置于晶圆A1上方并通过电气连接层（150）连接，所述晶圆堆叠体C1包括若干层功能晶圆，于晶圆A1上方，所述晶圆堆叠体C2的正面涂覆介电层Ⅲ（300）并形成介电层Ⅲ开口（301），所述介电层Ⅲ开口（301）上内设置金属种子层（310）和金属凸块（360），所述金属凸块（360）与相邻的晶圆的金属互联层（120）通过金属种子层（310）连接。本发明提供了多层堆叠晶圆结构及其制作方法。

公开(公告)号：CN214012940U

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202023298769.6

申请日：2020-12-31

申请人： 江阴长电先进封装有限公司

发明人： 陈海杰 ,  王金峰 ,  陈栋 ,  陈锦辉 ,  谢皆雷

IPC分类号： H01L25/18 ,  H01L25/065 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L21/98 ,  H01L21/768

摘要： 本实用新型涉及一种堆叠晶圆的封装结构，属于半导体芯片封装技术领域。其包括晶圆堆叠体C1、晶圆A1、电气连接层（150），所述晶圆堆叠体C1设置于晶圆A1上方并通过电气连接层（150）连接，所述晶圆堆叠体C1包括若干层功能晶圆，于晶圆A1上方，所述晶圆堆叠体C1的正面涂覆介电层Ⅲ（300）并形成介电层Ⅲ开口（301），所述介电层Ⅲ开口（301）上内设置金属种子层（310）和金属凸块（360），所述金属凸块（360）与相邻的晶圆的金属互联层（120）通过金属种子层（310）连接。本实用新型提供了多层堆叠晶圆的封装结构。

公开(公告)号：CN213936190U

公开(公告)日：2021-08-10

申请号：CN202023317002.3

申请日：2020-12-31

申请人： 江阴长电先进封装有限公司

发明人： 陈海杰 ,  王金峰 ,  陈栋 ,  陈锦辉 ,  谢皆雷

IPC分类号： H01L25/18 ,  H01L25/065 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L21/98 ,  H01L21/768

摘要： 本实用新型涉及一种堆叠晶圆的封装结构，属于半导体芯片封装技术领域。其包括晶圆堆叠体C2、晶圆A1、电气连接层（150），所述晶圆堆叠体C2设置于晶圆A1上方并通过电气连接层（150）连接，所述晶圆堆叠体C1包括若干层功能晶圆，从下而上，所述晶圆尺寸逐渐减小，其四周形成阶梯状的侧壁，于晶圆A1上方，所述晶圆堆叠体C2的正面及其阶梯状的侧壁涂覆介电层Ⅲ（300）并形成介电层Ⅲ开口（301），所述介电层Ⅲ开口（301）上内设置金属种子层（310）和金属凸块（360），所述金属凸块（360）与相邻的晶圆的金属互联层（120）通过金属种子层（310）连接。本实用新型提供了多层堆叠晶圆的封装结构及其制作方法。