公开(公告)号：CN109244230B

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN201811329748.0

申请日：2018-11-09

申请人： 江阴长电先进封装有限公司

发明人： 张黎 ,  赖志明 ,  陈锦辉 ,  陈栋

IPC分类号： H10N30/88 ,  H10N30/02 ,  H01L23/498

摘要： 本发明公开了一种声表面滤波芯片的封装结构及其封装方法，属于半导体芯片封装技术领域。其所述金属柱上下贯穿包封料层；所述包封料层的上表面设置多层再布线层，并与金属柱连接，并在多层再布线层的上表面设置若干个金属连接块；所述声表面波滤波器芯片通过金属连接块与多层再布线层多点倒装固连，所述多层再布线层与金属柱连接将声表面波滤波器芯片的电信号向下传导；包封膜包封在多层再布线层的上方、声表面波滤波器芯片的下方形成空腔，芯片功能区置于空腔内。本发明降低了制作时的工艺难度，提高了声表面波滤波器的成品率。

公开(公告)号：CN109244231B

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN201811331085.6

申请日：2018-11-09

申请人： 江阴长电先进封装有限公司

发明人： 陈栋 ,  张黎 ,  柳国恒 ,  张憬 ,  赵强 ,  陈锦辉 ,  赖志明

IPC分类号： H10N30/88 ,  H10N30/02 ,  H01L23/498

摘要： 本发明公开了一种声表面滤波芯片的封装结构，属于半导体芯片封装技术领域。其包括正面设有芯片功能区的声表面波滤波器芯片、金属连接块、多层再布线层、金属块Ⅰ、金属挡环和包封层，所述金属连接块设置在所述芯片功能区的外围，所述声表面波滤波器芯片通过金属连接块与多层再布线层多点倒装连接，将声表面波滤波器芯片的电信号向下传导；所述金属挡环设置在金属连接块和金属块Ⅰ的外围的多层再布线层的上表面，呈围墙状，所述包封层在多层再布线层的上方、声表面波滤波器芯片的下方、金属挡环的内侧形成空腔，将所述芯片功能区置于空腔内。本发明降低了制作时的工艺难度，提高了声表面波滤波器的成品率。

公开(公告)号：CN107919333B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN201711458888.3

申请日：2017-12-28

申请人： 江阴长电先进封装有限公司

发明人： 郭亚 ,  陈栋 ,  张黎 ,  孙超 ,  胡正勋 ,  陈锦辉 ,  赖志明

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L21/56

摘要： 本发明公开了一种三维POP封装结构及其封装方法，属于半导体封装技术领域。其包含上下堆叠的至少两层封装体以及载有再布线金属层的高密度柔性转接板，其中下层封装体背面减薄露出BGA焊球及金属凸块起到互联导通的作用，高密度柔性转接板采用Liftoff工艺制备，能够满足高密度封装的需求。上层封装体和下层封装体之间通过封装体ⅢBGA支撑焊球实现连接，该结构将传统POP结构中的再布线金属层分离单独制备，一方面可解决传统工艺中的翘曲问题，另外高密度柔性转接板也能够满足高I/O比封装的需求。

公开(公告)号：CN114420658A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202111342061.2

申请日：2021-11-12

申请人： 江阴长电先进封装有限公司

发明人： 徐霞 ,  金豆 ,  徐虹 ,  陈栋 ,  陈锦辉

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L25/18 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

摘要： 本发明公开了三维封装结构、半导体器件及封装方法，其中，三维封装结构包括：包括：第一芯片，正面设置有第一焊盘和形成在所述第一焊盘旁侧的芯片连接区；第二芯片，背面设置在所述芯片连接区上并在正面设置有第二焊盘；再布线结构，设置在所述第二芯片的正面方向并与所述第二焊盘电性连接；电连接件，设置在所述再布线结构与所述第一焊盘之间并电性连接所述再布线结构与所述第一焊盘。本发明实施例采用电连接件连接堆叠的芯片的焊盘与再布线结构，电连接件可以采用植球工艺直接成型在焊盘上，相比于现有技术中采用电镀成型金属凸块的方案工艺更加的简单，并且避免了电镀过程中光阻材料的大量使用能够更好的节省成本。

公开(公告)号：CN112908871A

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN202110375994.5

申请日：2021-04-08

申请人： 江阴长电先进封装有限公司

发明人： 陈海杰 ,  徐立 ,  潘浩 ,  朱友义 ,  陈栋 ,  陈锦辉

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/304

摘要： 本发明涉及一种晶圆级层压塑封圆片的裁切成型方法，属于半导体封装的治具技术领域。其裁切平台包括裁切刀组（50）、底盘（70）、旋转电机（80）和膜屑抽吸系统（90），底盘（70）通过真空吸住塑封圆片（20），其裁切刀组（50）的裁刀Ⅰ（51）、裁刀Ⅱ（52）、裁刀Ⅲ（53）、裁刀Ⅳ（54）和锉刀（58）对塑封圆片（20）依次作业，完成对塑封圆片（20）的边缘修整及其对位缺口（13）的修整。本发明对完成层压工艺的塑封圆片的边缘进行修整和约束，形成标准圆片的形貌。

公开(公告)号：CN112151472A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN202011327765.8

申请日：2020-11-24

申请人： 江阴长电先进封装有限公司

发明人： 徐虹 ,  陈栋 ,  金豆 ,  徐霞 ,  陈锦辉 ,  郑芳

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L23/544 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

摘要： 本发明公开了一种芯片的封装结构及其封装方法，属于半导体封装技术领域。其第一塑封体的芯片单元本体（10）上设置有芯片电极（113）、钝化层Ⅰ（210）、绝缘层Ⅰ（310），其原始对位标记（120）处设置对位标记保护块（150），所述绝缘层Ⅰ开口Ⅰ（311）内设置金属连接件Ⅰ，塑封料Ⅰ（510）将对位标记保护块（150）、金属连接件Ⅰ进行塑封，所述塑封料Ⅱ（610）包覆第一塑封体形成第二塑封体，所述再布线金属层（710）参考对位标记保护块（150）设置于第二塑封体上方，所述再布线金属层（710）上方设置钝化层Ⅱ（810）和金属连接件Ⅱ（900）。本发明能够有效地保护芯片正面，提高了产品的可靠性。

公开(公告)号：CN111477605A

公开(公告)日：2020-07-31

申请号：CN202010316343.4

申请日：2020-04-21

申请人： 江阴长电先进封装有限公司

发明人： 陈栋 ,  成炎炎 ,  胡震 ,  陈锦辉 ,  张国栋

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L23/373 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

摘要： 本发明公开了一种芯片的封装结构及其封装方法，属于半导体封装技术领域。其芯片本体(100)的有源表面和芯片电极(101)的上表面设置有保护层(200)，所述保护层(200)在芯片电极(101)上方开设保护层开口(201)，所述保护层开口(201)内设置金属凸块(300)，所述金属凸块(300)通过保护层开口(201)与芯片电极(101)连接；所述芯片本体(100)的背面依次设置有粘附层(601)、种子层(602)及背金块(600)，所述粘附层(601)覆盖芯片本体(100)的背面；所述种子层(602)的下表面设置背金块(600)，所述包覆层(700)包覆背金块(600)裸露面，并向上延展至粘附层(601)的下表面的四周边缘。本发明能够有效地克服晶圆翘曲及碎片、降低划片难度、解决封装成品产生的翘曲及碎裂等问题。

公开(公告)号：CN110808230A

公开(公告)日：2020-02-18

申请号：CN201911291000.0

申请日：2019-12-16

申请人： 江阴长电先进封装有限公司

发明人： 金豆 ,  徐虹 ,  徐霞 ,  陈栋 ,  张黎 ,  赖志明 ,  张国栋 ,  陈锦辉

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L21/56

摘要： 本发明一种包覆型芯片尺寸的封装结构及其封装方法，属于半导体封装技术领域。其包括硅基本体（111）和芯片电极（113），且芯片电极（113）嵌入硅基本体（111）表面，露出芯片电极（113）的正面。在硅基本体（111）表面设置钝化层（210），且在芯片电极处设置有钝化层开口（213），所述钝化层开口（213）的尺寸小于芯片电极（113）的尺寸，且露出芯片电极（113）的正面。主要先完成重现布线层（510），然后进行晶圆重构，完成五面包覆。在完成金属凸块（520）后，对所述芯片正面进行包覆，最终实现六面包覆。本发明有效隔绝芯片表面介电层Ⅰ与外界环境；另一方面，对介电层Ⅱ表面缓冲应力的同时，还可以支撑金属凸块，提高金属凸块的可靠性的作用。

公开(公告)号：CN107910307B

公开(公告)日：2020-01-31

申请号：CN201711454291.1

申请日：2017-12-28

申请人： 江阴长电先进封装有限公司

发明人： 张黎 ,  赖志明 ,  陈锦辉 ,  陈栋

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

摘要： 本发明公开了一种半导体芯片的封装结构及其封装方法，属于半导体芯片封装技术领域。其硅基本体的上方设置再布线金属层Ⅰ，在所述输入/输出端Ⅰ设置金属柱，所述包封层包裹金属柱和再布线金属层Ⅰ的裸露面以及硅基本体的侧壁，并露出金属柱的上表面，所述介电层设置在包封层的上表面，并开设介电层开口露出金属柱的上表面，所述介电层的上表面设置再布线金属层Ⅱ，所述再布线金属层Ⅱ通过介电层开口与金属柱固连，所述输入/输出端Ⅱ设置在金属柱的垂直区域之外，所述保护层填充再布线金属层Ⅱ和介电层的裸露面并露出连接件的上表面；所述包封层于硅基本体至介电层的厚度H＞40微米。提供了一种有效保护芯片的封装结构及其封装方法。

公开(公告)号：CN106373938B

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201611015529.6

申请日：2016-11-18

申请人： 江阴长电先进封装有限公司

发明人： 张黎 ,  赖志明 ,  陈锦辉 ,  陈栋

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/14 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L25/18

摘要： 本发明涉及一种混合密度封装基板的结构及其封装方法，属于半导体封装技术领域。其包括普通基板（20）、超高密度基板（10）、高密度芯片（51）、低密度芯片（53）和包封层Ⅰ（310），超高密度基板（10）嵌于包封层Ⅰ（310）内，超高密度基板（10）与高密度芯片（51）倒装连接、其下表面通过盲孔Ⅰ（130）与普通基板（20）连接，在超高密度基板（10）的垂直区域外形成若干个基板外层金属电极（110），基板外层金属电极（110）通过盲孔Ⅱ（150）与普通基板（20）连接、其上表面与低密度芯片（53）倒装连接，焊盘Ⅱ（250）设置焊料凸块。该封装结构采用圆片级封装方法实现，实现了超高密度基板和普通基板的集成，提升了封装可靠性，有利于产品良率的提升。