公开(公告)号：CN107919333B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN201711458888.3

申请日：2017-12-28

申请人： 江阴长电先进封装有限公司

发明人： 郭亚 ,  陈栋 ,  张黎 ,  孙超 ,  胡正勋 ,  陈锦辉 ,  赖志明

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L21/56

摘要： 本发明公开了一种三维POP封装结构及其封装方法，属于半导体封装技术领域。其包含上下堆叠的至少两层封装体以及载有再布线金属层的高密度柔性转接板，其中下层封装体背面减薄露出BGA焊球及金属凸块起到互联导通的作用，高密度柔性转接板采用Liftoff工艺制备，能够满足高密度封装的需求。上层封装体和下层封装体之间通过封装体ⅢBGA支撑焊球实现连接，该结构将传统POP结构中的再布线金属层分离单独制备，一方面可解决传统工艺中的翘曲问题，另外高密度柔性转接板也能够满足高I/O比封装的需求。

公开(公告)号：CN107919333A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201711458888.3

申请日：2017-12-28

申请人： 江阴长电先进封装有限公司

发明人： 郭亚 ,  陈栋 ,  张黎 ,  孙超 ,  胡正勋 ,  陈锦辉 ,  赖志明

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L2224/16 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L23/488

摘要： 本发明公开了一种三维POP封装结构及其封装方法，属于半导体封装技术领域。其包含上下堆叠的至少两层封装体以及载有再布线金属层的高密度柔性转接板，其中下层封装体背面减薄露出BGA焊球及金属凸块起到互联导通的作用，高密度柔性转接板采用Liftoff工艺制备，能够满足高密度封装的需求。上层封装体和下层封装体之间通过封装体ⅢBGA支撑焊球实现连接，该结构将传统POP结构中的再布线金属层分离单独制备，一方面可解决传统工艺中的翘曲问题，另外高密度柔性转接板也能够满足高I/O比封装的需求。

公开(公告)号：CN207624678U

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201721879835.4

申请日：2017-12-28

申请人： 江阴长电先进封装有限公司

发明人： 郭亚 ,  陈栋 ,  张黎 ,  孙超 ,  胡正勋 ,  陈锦辉 ,  赖志明

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L2224/16225 ,  H01L2924/18161

摘要： 本实用新型公开了一种三维POP封装结构，属于半导体封装技术领域。其包含上下堆叠的至少两层封装体以及载有再布线金属层的高密度柔性转接板，其中下层封装体背面减薄露出BGA焊球及金属凸块起到互联导通的作用，高密度柔性转接板采用Liftoff工艺制备，能够满足高密度封装的需求。上层封装体和下层封装体之间通过封装体ⅢBGA支撑焊球实现连接，该结构将传统POP结构中的再布线金属层分离单独制备，一方面可解决传统工艺中的翘曲问题，另外高密度柔性转接板也能够满足高I/O比封装的需求。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利